Галлий (Ga)
Постпереходный металлТвёрдое тело
Стандартная относительная атомная масса
69,723 uЭлектронная конфигурация
[Ar] 4s2 3d10 4p1Температура плавления
29,76 °CТемпература кипения
2203,85 °CПлотность
5910 kg/m³Степени окисления
−5, −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3Электроотрицательность (по Полингу)
1,81Энергия ионизации (1-я)
5,999302 eVГод открытия
1875Атомный радиус
130 pmПодробные сведения
Галлий — мягкий постпереходный металл группы 13, химически родственный алюминию и индий. Он примечателен тем, что плавится чуть выше комнатной температуры, образует легкоплавкие сплавы и служит источником для полупроводников через такие соединения, как арсенид галлия и нитрид галлия. В природе он рассеян, а не сосредоточен в собственных рудах, поэтому извлекается главным образом как побочный продукт переработки алюминия и цинка.
Это один из четырёх металлов — ртуть, цезий и рубидий — которые могут быть жидкими вблизи комнатной температуры и, следовательно, могут использоваться в высокотемпературных термометрах. Он имеет один из самых широких интервалов жидкого состояния среди всех металлов и низкое давление пара даже при высоких температурах.
Для галлия характерна сильная склонность к переохлаждению ниже температуры замерзания. Поэтому для инициирования кристаллизации может потребоваться затравка.
Ультрачистый галлий имеет красивый серебристый вид, а твёрдый металл обладает раковистым изломом, подобным стеклу. При затвердевании металл расширяется на 3,1 процента; поэтому его не следует хранить в стеклянных или металлических контейнерах, поскольку они могут разорваться по мере затвердевания металла.
Галлий высокой чистоты лишь медленно разрушается минеральными кислотами.
Название происходит от латинского gallia, означающего Францию. Элемент был открыт в сфалерите французским химиком Полем-Эмилем Лекоком де Буабодраном в 1875 году. Впервые он был выделен в 1878 году Лекоком де Буабодраном и французским химиком Эмилем-Клеманом Жанфлешем.
Впервые существование элемента было предложено Дмитрием Менделеевым в 1871 году на основе пробелов в его недавно созданной Периодической таблице элементов; галлий был спектроскопически открыт французским химиком Полем-Эмилем Лекоком де Буабодраном в 1875 году. Позднее в том же году Лекок смог получить чистый галлий путем электролиза раствора гидроксида галлия (Ga(OH)3) в гидроксиде калия (KOH). Следовые количества галлия обнаруживаются в диаспоре, сфалерите, германите и боксите, а также в побочных продуктах сжигания угля.
От латинского слова Gallia, Франция; также от латинского gallus, перевода «Lecoq», петух. Предсказан и описан Менделеевым как экаалюминий и спектроскопически открыт Лекоком де Буабодраном в 1875 году, который в том же году получил свободный металл электролизом раствора гидроксида в KOH.
Чистый галлий — это серебристый, блестящий металл, который при обычной комнатной температуре твёрдый, но плавится примерно при 30 °C. Твёрдое вещество достаточно хрупкое, чтобы ломаться, тогда как жидкость легко смачивает многие поверхности и может проникать в некоторые металлы, особенно в алюминий.
Галлий используется главным образом в соединениях полупроводникового назначения. Арсенид галлия (GaAs) важен в высокочастотной электронике, оптоэлектронике, инфракрасных светодиодах и некоторых фотоэлектрических элементах. Нитрид галлия (GaN) является ключевым материалом для синих и ультрафиолетовых светодиодов, лазерных диодов и эффективной силовой электроники. Галлийсодержащие сплавы с низкой температурой плавления используются в термометрах, тепловых интерфейсах и специализированных теплообменных применениях, где ртуть нежелательна. Радиоизотопы, такие как ⁶⁷Ga и ⁶⁸Ga, используются в диагностической ядерной медицине.
Галлий плавится около комнатной температуры и имеет один из самых широких интервалов существования жидкости среди всех металлов, поэтому он нашел применение в высокотемпературных термометрах. Галлий легко образует сплавы с большинством металлов и использовался для создания легкоплавких сплавов. Галлий используется как легирующий материал для полупроводников и применялся для производства твердотельных изделий, таких как транзисторы и светодиоды. Арсенид галлия (GaAs) может непосредственно генерировать лазерный свет из электричества. Большие количества трихлорида галлия (GaCl3) были собраны для строительства Обсерватории галлиевого нейтрино — обсерватории, расположенной в Италии и построенной для изучения частиц, называемых нейтрино, которые образуются внутри Солнца в процессе ядерного синтеза.
Галлий смачивает стекло или фарфор и образует блестящее зеркало, если его нанести на стекло. Он широко используется для легирования полупроводников и производства твердотельных устройств, таких как транзисторы.
Магнийгаллат, содержащий двухвалентные примеси, такие как Mn+2, находит применение в коммерческих порошковых люминофорах, активируемых ультрафиолетом. Арсенид галлия способен непосредственно преобразовывать электричество в когерентный свет. Галлий легко образует сплавы с большинством металлов и использовался как компонент в легкоплавких сплавах.
Изотопы в медицине
68Ga (с периодом полураспада 68 мин) — радиоактивный изотоп, испускающий позитроны, которые используются для получения изображений высокого разрешения методом позитронно-эмиссионной томографии (PET). В отличие от наиболее часто используемого 18F, 68Ga проще получать с помощью экономичного генератора с материнским радионуклидом 68Ge (с периодом полураспада 271 сут) (Fig. IUPAC.31.1). После получения 68Ga легко связывается с биомолекулами (чаще всего пептидами), которые нацелены на G-белок-сопряжённые рецепторы, сверхэкспрессированные на опухолевых клетках человека. Меченый белок служит радиоактивным индикатором для диагностики рака. PET-изображения часто совмещают с CT-изображениями, чтобы получить более полную картину организма [256] I. Kayani, B. G. Conry, A. M. Groves, T. Win, J. Dickson, M. Caplin, J. B. Bomanji. J. Nucl. Med.50, 1927 (2009)., [257] M. Fani, J. P. André, H. R. Maecke. Contrast Media Mol. Imaging3, 67 (2008)., [258] G. J. Ehrhardt, M. J. Welch. J. Nucl. Med.19, 925 (1978)., [259] G. Ehrhardt, S. Wagner, M. J. Welch. J. Labelled Compd. Radiopharm.16, 111 (1979)., [260] M. V. Cantorias, S. D. Figueroa, T. P. Quinn, J. R. Lever, T. J. Hoffman, L. D. Watkinson, T. L. Carmack, C. S. Cutler. Nucl. Med. Biol.36, 505 (2009)., [261] J. C. Rold, T. L. Sieckman, G. L. Figueroa, S. D. Sublett, S. V. Engelbrecht, H. Cutler, C. S. Jurisson, S. S. Hoffman, T. J. Bottenus, B. N. Garrison. Trans. Am. Nucl. Soc.98, 802 (2008)., [262] J. Fitzsimmons, M. Fassbender, R. Atcher. J. Nucl. Med.48, 319 (2007).. Радиофармпрепарат 67Ga (с периодом полураспада 78 ч) — это гамма-излучающий изотоп, используемый в сцинтиграфии для медицинской визуализации [263] S. M. Larson, P. B. Hoffer. “Normal patterns of localization”, in Gallium-67 Imaging, P. B. Hoffer, C. Bekerman, and R. E. Henkin (Eds.), John Wiley, New York (1978)., [264] A. Wirth, J. F. Seymour, R. J. Hicks, R. Ware, R. Fisher, M. Prince, M. P. MacManus, G. Ryan, H. Januszewicz, M. Wolf. Am. J. Med.112, 262 (2002)., [265] A. Vijayananthan, A. V. Arumugam, G. Kumar, D. Harichandra. Int. J. Biomed. Imaging4 (2), e23 (2008)..
Галлий чаще всего принимает степень окисления +3, хотя химия галлия в более низкой валентности хорошо известна в специализированных соединениях. Оксид галлия(III) (Ga₂O₃) — это оксид с широкой запрещённой зоной, вызывающий растущий интерес для силовых и ультрафиолетовых устройств. Арсенид галлия (GaAs), нитрид галлия (GaN), фосфид галлия (GaP) и антимонид галлия (GaSb) являются важными полупроводниками типа III-V. Хлорид галлия(III) (GaCl₃) — это галогенид Льюисовой кислоты, образующий множество аддуктов. Соли галлия(III) часто подвергаются гидролизу в воде, что отражает высокую плотность заряда Ga³⁺.
See more information at the Gallium compound page.
Компактный металлический галлий обладает низкой острой токсичностью, но может окрашивать кожу и повреждать детали из алюминия из-за жидкометаллической хрупкости. Пыли, пары и растворимые соединения галлия требуют обычных лабораторных мер контроля, поскольку токсичность сильно зависит от формы соединения и пути воздействия. Арсенид галлия (GaAs) создаёт дополнительную опасность из-за мышьяка при механической обработке, нагревании или обращении с отходами. Медицинские радиоизотопы представляют специфические для изотопа радиационные опасности.
Его токсичность, по-видимому, невысока, но с ним следует обращаться осторожно до получения дополнительных данных.
Галлий присутствует в следовых количествах во многих минералах, особенно в тех, которые связаны с алюминиевыми и цинковыми рудами. Он замещает химически сходные ионы, а не образует обильные минералы галлия. Выветривание и промышленная переработка могут мобилизовать небольшие количества, но галлий не является важным питательным веществом и не имеет хорошо установленной биологической роли. Экологическая обеспокоенность обычно связана с остатками горнодобычи, отходами полупроводниковой промышленности и сопутствующими элементами, такими как мышьяк, а не с самим металлическим галлием.
Поставка галлия в основном определяется извлечением побочного продукта, особенно из щелочных растворов при переработке бокситов и, в меньшей степени, из потоков цинковой переработки. Поскольку первичные руды не добывают исключительно ради галлия, выпуск может быть ограничен производством алюминия и цинка, технологией рафинирования и мощностями очистки. Спрос в основном определяется полупроводниковыми и оптоэлектронными материалами, где необходима высокая чистота. Рециклинг осуществляется из производственного лома и некоторых материалов по окончании срока службы, однако рассеянные применения и сложные устройства ограничивают полное извлечение. Замещение зависит от области применения; кремний, карбид кремния или другие соединения III-V могут заменить галлиевые материалы в некоторых устройствах, но не без изменений конструкции.
Галлий часто встречается как следовый элемент в диаспоре, сфалерите, германите, боксите и угле. Показано, что некоторые пылевые выбросы при сжигании угля содержат до 1.5% галлия.
Галлий является относительно редким элементом в космосе по сравнению с более лёгкими металлами. Его стабильные изотопы, ⁶⁹Ga и ⁷¹Ga, образуются на путях звёздного нуклеосинтеза, включающих захват нейтронов и связанные процессы в эволюционировавших звёздах и сверхновых. В планетарных материалах он ведёт себя как умеренно летучий, литофильный до халькофильного рассеянный элемент и используется в геохимических исследованиях дифференциации и летучести.
- Галлий расширяется при замерзании, поэтому при затвердевании может разрушать жёсткие контейнеры.
- Жидкий металл имеет необычно широкий интервал жидкого состояния до кипения.
- Галлий может диффундировать в алюминий и вызывать его крошение под нагрузкой.
- Природный галлий состоит главным образом из двух стабильных изотопов, ⁶⁹Ga и ⁷¹Ga.
- Для многих полупроводниковых применений требуется галлий очень высокой чистоты.
Изображения
Свойства
Физические свойства
- Атомный радиус (эмпирический)
- 130 pm Сравнить Атомный радиус (эмпирический) у всех элементов →
- Ковалентный радиус
- 122 pm Сравнить Ковалентный радиус у всех элементов →
- Ван-дер-ваальсов радиус
- 187 pm Сравнить Ван-дер-ваальсов радиус у всех элементов →
- Металлический радиус
- 125 pm Сравнить Металлический радиус у всех элементов →
- Плотность
- 5910 kg/m³ Сравнить Плотность у всех элементов →
- Молярный объём
- 0,0118 L/mol
- Фаза при стандартных температуре и давлении
- Твёрдое вещество Сравнить Фаза при стандартных температуре и давлении у всех элементов →
- Температура плавления
- 29,76 °C Сравнить Температура плавления у всех элементов →
- Температура кипения
- 2203,85 °C Сравнить Температура кипения у всех элементов →
- Теплопроводность
- 28,1 Вт/(м·К) Сравнить Теплопроводность у всех элементов →
- Удельная теплоёмкость
- 0,373 Дж/(г·К) Сравнить Удельная теплоёмкость у всех элементов →
- Молярная теплоёмкость
- 26,03 Дж/(моль·К) Сравнить Молярная теплоёмкость у всех элементов →
- Кристаллическая структура
- Ромбическая Сравнить Кристаллическая структура у всех элементов →
Химические свойства
- Электроотрицательность (по Полингу)
- 1,81 Сравнить Электроотрицательность (по Полингу) у всех элементов →
- Электроотрицательность (по Аллену)
- 1,756
- Сродство к электрону
- 0,3 eV
- Энергия ионизации (1-я)
- 5,999302 eV Сравнить Энергия ионизации (1-я) у всех элементов →
- Энергия ионизации (2-я)
- 20,515211 eV Сравнить Энергия ионизации (2-я) у всех элементов →
- Энергия ионизации (3-я)
- 30,725866 eV Сравнить Энергия ионизации (3-я) у всех элементов →
- Энергия ионизации (4-я)
- 63,241218 eV Сравнить Энергия ионизации (4-я) у всех элементов →
- Энергия ионизации (5-я)
- 86,010296 eV Сравнить Энергия ионизации (5-я) у всех элементов →
- Степени окисления
- −5, −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3 Сравнить Степени окисления у всех элементов →
- Валентные электроны
- 3 Сравнить Валентные электроны у всех элементов →
- Электронная конфигурация
- [Ar] 4s2 3d10 4p1
Термодинамические свойства
- Тройная точка (температура)
- 29,7666 °C
- Теплота плавления
- 0,05793647 eV Сравнить Теплота плавления у всех элементов →
- Теплота испарения
- 2,653262 eV Сравнить Теплота испарения у всех элементов →
- Теплота сублимации
- 2,808727 eV
- Теплота атомизации
- 2,808727 eV
- Энтальпия атомизации
- 2,818676 eV
Ядерные свойства
- Протоны
- 31 Сравнить Протоны у всех элементов →
- Нейтроны
- 38 Сравнить Нейтроны у всех элементов →
- Известные изотопы
- 33 Сравнить Известные изотопы у всех элементов →
- Стабильные изотопы
- 2 Сравнить Стабильные изотопы у всех элементов →
- Наиболее стабильный изотоп
- Ga-69
- Год открытия
- 1875
Распространённость
- Содержание в земной коре
- 19 мг/кг Сравнить Содержание в земной коре у всех элементов →
- Содержание в океане
- 3 × 10−5 мг/л Сравнить Содержание в океане у всех элементов →
Кристаллическая структура
- Параметр решётки a
- 451 pm
Электронная структура
- Электроны по оболочкам
- 2, 8, 18, 3 Сравнить Электроны по оболочкам у всех элементов →
Идентификаторы
- Номер CAS
- 7440-55-3 Сравнить Номер CAS у всех элементов →
- Символ терма
- 2P°1/2
- InChI
- InChI=1S/Ga
- Ключ InChI
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N
Электронная конфигурация Измеренные
Ga: 3d¹⁰ 4s² 4p¹[Ar] 3d¹⁰ 4s² 4p¹1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p⁶ 3d¹⁰ 4s² 4p¹Модель атома
Изотопы различаются числом нейтронов, массой и стабильностью, но не электронной конфигурацией нейтрального атома.
Схематическая модель атома, без соблюдения масштаба.
Атомный отпечаток
Спектр излучения / поглощения
Распределение изотопов
| Массовое число | Атомная масса (а. е. м.) | Содержание в природе | Период полураспада |
|---|---|---|---|
| 69 Стабильный | 68,9255735 ± 0,0000013 | 60,1080% | Стабильный |
| 71 Стабильный | 70,92470258 ± 0,00000087 | 39,8920% | Стабильный |
Фаза / агрегатное состояние
Причина: на 4,8 °C ниже температуры плавления (29,76 °C)
Схематично, без соблюдения масштаба
Температуры фазовых переходов
Энергии переходов
Энергия, необходимая для плавления 1 моль вещества при температуре плавления
Энергия, необходимая для испарения 1 моль вещества при температуре кипения
Энергия, необходимая для сублимации 1 моль вещества при температуре сублимации
Плотность
При стандартных условиях
При стандартных условиях
Расширенные данные
Атомные спектры
Показано 10 из 31. Сортировка по заряду иона (по возрастанию).
Данные о спектральных линиях ?
| Ион | Заряд | Всего линий | Вероятности переходов | Обозначения уровней |
|---|---|---|---|---|
| Ga I | 0 | 342 | 23 | 342 |
| Ga II | +1 | 176 | 10 | 176 |
| Ga III | +2 | 113 | 2 | 113 |
| Ga IV | +3 | 594 | 0 | 594 |
| Ga V | +4 | 185 | 0 | 185 |
| Ga VI | +5 | 501 | 0 | 501 |
| Ga VII | +6 | 451 | 0 | 451 |
Данные об энергетических уровнях ?
| Ион | Заряд | Уровни |
|---|---|---|
| Ga I | 0 | 262 |
| Ga II | +1 | 96 |
| Ga III | +2 | 61 |
| Ga IV | +3 | 192 |
| Ga V | +4 | 92 |
| Ga VI | +5 | 158 |
| Ga VII | +6 | 181 |
| Ga VIII | +7 | 2 |
| Ga IX | +8 | 2 |
| Ga X | +9 | 2 |
Ионные радиусы
| Заряд | Координация | Спин | Радиус |
|---|---|---|---|
| +3 | 4 | Нет данных | 47 пм |
| +3 | 5 | Нет данных | 55.00000000000001 пм |
| +3 | 6 | Нет данных | 62 пм |
Соединения
Изотопы (2)
| Массовое число | Атомная масса (а. е. м.) | Содержание в природе | Период полураспада | Тип распада | |
|---|---|---|---|---|---|
| 69 Стабильный | 68,9255735 ± 0,0000013 | 60,1080% ± 0,0090% | Стабильный | stable | |
| 71 Стабильный | 70,92470258 ± 0,00000087 | 39,8920% ± 0,0090% | Стабильный | stable |
Спектральные линии
| Длина волны (нм) | Интенсивность | Степень ионизации | Тип | Переход | Точность | Источник | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 417.33 нм | Нет данных | ID 486 | emission | 3s2.3p3 2P* → 3s2.3p3 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.0525 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.70p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.0525 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.70p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.0651 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.69p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.0651 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.69p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.08 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.68p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.08 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.68p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.0924 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.67p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.0924 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.67p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.1098 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.66p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.1098 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.66p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.1257 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.65p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.1257 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.65p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.1406 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.64p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.1406 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.64p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.1588 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.63p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.1588 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.63p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.1761 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.62p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.1761 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.62p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.1948 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.61p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.1948 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.61p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.2157 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.60p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.2157 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.60p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.2367 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.59p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.2367 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.59p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.2582 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.58p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.2582 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.58p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.2826 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.57p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.2826 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.57p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.3887 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.53p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.3887 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.53p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.4204 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.52p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.4204 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.52p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.4531 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.51p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.4531 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.51p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.4886 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.50p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.4886 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.50p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.5261 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.49p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.5261 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.49p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.5675 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.48p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.5675 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.48p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.6112 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.47p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.6112 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.47p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.6563 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.46p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.6563 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.46p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.7046 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.45p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.7046 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.45p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.7569 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.44p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.7569 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.44p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.8143 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.43p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.8143 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.43p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.8743 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.42p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.8743 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.42p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.94 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.41p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 424.94 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.41p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 425.4789 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.34d 2D | Измеренная | NIST | |
| 425.4799 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.34d 2D | Измеренная | NIST | |
| 426.035 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.30d 2D | Измеренная | NIST | |
| 426.0365 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.30d 2D | Измеренная | NIST | |
| 426.6348 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.27d 2D | Измеренная | NIST | |
| 426.6367 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.27d 2D | Измеренная | NIST | |
| 427.1688 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.25d 2D | Измеренная | NIST | |
| 427.1712 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.25d 2D | Измеренная | NIST | |
| 427.8589 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.23d 2D | Измеренная | NIST | |
| 427.8621 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.23d 2D | Измеренная | NIST | |
| 428.7731 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.21d 2D | Измеренная | NIST | |
| 428.7774 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.21d 2D | Измеренная | NIST | |
| 429.3459 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.20d 2D | Измеренная | NIST | |
| 429.3507 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.20d 2D | Измеренная | NIST | |
| 430.0203 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.19d 2D | Измеренная | NIST | |
| 430.026 нм | Нет данных | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.19d 2D | Измеренная | NIST | |
| 448.84 нм | Нет данных | ID 505 | emission | 5p 2P* → 5d 2D | Измеренная | NIST | |
| 459.16 нм | Нет данных | ID 505 | emission | 5s 2S → 5p 2P* | Измеренная | NIST | |
| 557 нм | Нет данных | ID 482 | emission | 1s.5s 3S → 1s.5p 3P* | Измеренная | NIST | |
| 567.7 нм | Нет данных | ID 498 | emission | 3s2.3p2 3P → 3s2.3p2 3P | Измеренная | NIST | |
| 587 нм | Нет данных | ID 482 | emission | 1s.4p 3P* → 1s.4d 3D | Измеренная | NIST | |
| 675 нм | Нет данных | ID 486 | emission | 3s2.3p3 2D* → 3s2.3p3 2D* | Измеренная | NIST | |
| 706.7 нм | Нет данных | ID 505 | emission | 4p 2P* → 4d 2D | Измеренная | NIST |
Расширенные данные о свойствах
Ковалентные радиусы (расширенные данные)
- Ковалентный радиус (по Пююккё)
- 124 pm
- Ковалентный радиус (по Пююккё, двойная связь)
- 117 pm
- Ковалентный радиус (по Пююккё, тройная связь)
- 121 pm
Ван-дер-ваальсовы радиусы
- Bondi
- 187 pm
- Batsanov
- 210 pm
- Alvarez
- 232 pm
- UFF
- 438,3 pm
- MM3
- 246 pm
- Dreiding
- 439 pm
Атомные и металлические радиусы
- Атомный радиус (по Раму)
- 233 pm
- Металлический радиус (КЧ 12)
- 140 pm
Шкалы нумерации
- Mendeleev
- 83
- Pettifor
- 81
- Glawe
- 79
Шкалы электроотрицательности
- Ghosh
- 0
- Miedema
- 4
- Gunnarsson–Lundqvist
- 3
- Robles–Bartolotti
- 3
Поляризуемость и дисперсия
- Дипольная поляризуемость
- 50 a.u.
- Дипольная поляризуемость (неопределённость)
- 3 a.u.
- C₆
- 498 Ha·Bohr6
- C₆ (Gould–Bučko)
- 456 Ha·Bohr6
Параметры Мидемы
- Молярный объём по Мидеме
- 11,82 cm3/mol
- Электронная плотность по Мидеме
- 2
Риски поставок и экономика
- Концентрация производства
- 54
- Относительный риск поставок
- 8
- Политическая стабильность (ведущий производитель)
- 24
Фазовые переходы и аллотропные модификации
| Температура плавления | 302,91 K |
| Температура кипения | 2502,15 K |
| Тройная точка (температура) | 302,92 K |
Категории степеней окисления
Расширенные справочные данные
Константы экранирования (8)
| n | Орбиталь | σ |
|---|---|---|
| 1 | s | 0,6906 |
| 2 | p | 3,9092 |
| 2 | s | 8,401 |
| 3 | d | 15,9067 |
| 3 | p | 14,7964 |
| 3 | s | 14,0038 |
| 4 | p | 24,7784 |
| 4 | s | 23,9332 |
Подробные данные о кристаллических радиусах (3)
| Заряд | CN | Спин | rcrystal (pm) | Происхождение |
|---|---|---|---|---|
| 3 | IV | 61 | ||
| 3 | V | 69 | ||
| 3 | VI | 76 | from r^3 vs V plots, |
Типы распада изотопов (51)
| Изотоп | Режим | Интенсивность |
|---|---|---|
| 56 | p | — |
| 57 | p | — |
| 58 | p | — |
| 59 | p | — |
| 60 | B+ | 100% |
| 60 | B+p | 1,6% |
| 60 | B+A | 0% |
| 61 | B+ | 100% |
| 61 | B+p | 0,3% |
| 62 | B+ | 100% |
Факторы рассеяния рентгеновского излучения (506)
| Энергия (eV) | f₁ | f₂ |
|---|---|---|
| 10 | — | 2,98527 |
| 10,1617 | — | 2,98141 |
| 10,3261 | — | 2,97756 |
| 10,4931 | — | 2,9737 |
| 10,6628 | — | 2,96986 |
| 10,8353 | — | 2,96602 |
| 11,0106 | — | 2,95695 |
| 11,1886 | — | 2,90859 |
| 11,3696 | — | 2,86103 |
| 11,5535 | — | 2,81425 |
Дополнительные данные
Оценочная распространённость в земной коре
The estimated element abundance in the earth's crust.
Оценочная распространённость в земной коре
1.9×101 milligrams per kilogram
Источники (1)
Оценочная распространённость в океане
The estimated element abundance in the earth's oceans.
Оценочная распространённость в океане
3×10-5 milligrams per liter
Источники (1)
Источники
Sources of this element.
Gallium is often found as a trace element in diaspore, sphalerite, germanite, bauxite, and coal. Some flue dusts from burning coal have been shown to contain as much 1.5 percent gallium.
Источники (1)
- [6] Gallium https://periodic.lanl.gov/31.shtml
Источники
(9)
Data deposited in or computed by PubChem
The half-life and atomic mass data was provided by the Atomic Mass Data Center at the International Atomic Energy Agency.
Element data are cited from the Atomic weights of the elements (an IUPAC Technical Report). The IUPAC periodic table of elements can be found at https://iupac.org/what-we-do/periodic-table-of-elements/. Additional information can be found within IUPAC publication doi:10.1515/pac-2015-0703 Copyright © 2020 International Union of Pure and Applied Chemistry.
The information are cited from Pure Appl. Chem. 2018; 90(12): 1833-2092, https://doi.org/10.1515/pac-2015-0703.
Thomas Jefferson National Accelerator Facility (Jefferson Lab) is one of 17 national laboratories funded by the U.S. Department of Energy. The lab's primary mission is to conduct basic research of the atom's nucleus using the lab's unique particle accelerator, known as the Continuous Electron Beam Accelerator Facility (CEBAF). For more information visit https://www.jlab.org/
The periodic table at the LANL (Los Alamos National Laboratory) contains basic element information together with the history, source, properties, use, handling and more. The provenance data may be found from the link under the source name.
The periodic table contains NIST's critically-evaluated data on atomic properties of the elements. The provenance data that include data for atomic spectroscopy, X-ray and gamma ray, radiation dosimetry, nuclear physics, and condensed matter physics may be found from the link under the source name. Ref: https://www.nist.gov/pml/atomic-spectra-database
This section provides all form of data related to element Gallium.
The element property data was retrieved from publications.