Gallium (Ga)
post-transition-metalSolid
Стандартна відносна атомна маса
69,723 uЕлектронна конфігурація
[Ar] 4s2 3d10 4p1Температура плавлення
29,76 °CТемпература кипіння
2203,85 °CГустина
5910 kg/m³Ступені окиснення
−5, −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3Електронегативність (за Полінгом)
1,81Енергія йонізації (1-ша)
5,999302 eVРік відкриття
1875Атомний радіус
130 pmВідомості
Gallium is a soft post-transition metal in group 13, chemically related to aluminium and indium. It is notable for melting just above room temperature, forming low-melting alloys, and supplying semiconductors through compounds such as gallium arsenide and gallium nitride. In nature it is dispersed rather than concentrated in its own ores, so it is recovered mainly as a by-product of aluminium and zinc processing.
It is one of four metals mercury, cesium, and rubidium which can be liquid near room temperature and, thus, can be used in high-temperature thermometers. It has one of the longest liquid ranges of any metal and has a low vapor pressure even at high temperatures.
There is a strong tendency for gallium to supercool below its freezing point. Therefore, seeding may be necessary to initiate solidification.
Ultra-pure gallium has a beautiful, silvery appearance, and the solid metal exhibits a conchoidal fracture similar to glass. The metal expands 3.1 percent on solidifying; therefore, it should not be stored in glass or metal containers, because they may break as the metal solidifies.
High-purity gallium is attacked only slowly by mineral acids.
The name derives from the Latin gallia for France. It was discovered in zinc blende by the French chemist Paul-Emile Lecoq de Boisbaudran in 1875. It was first isolated in 1878 by Lecoq de Boisbaudran and the French chemist Émile-Clément Jungflesch.
First proposed to exist by Dmitri Mendeleyev in 1871 based on gaps in his newly created Periodic Table of Elements, gallium was discovered spectroscopically by the French chemist Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran in 1875. Later that same year, Lecoq was able to obtain pure gallium through the electrolysis of a solution of gallium hydroxide (Ga(OH)3) in potassium hydroxide (KOH). Trace amounts of gallium are found in diaspore, sphalerite, germanite and bauxite as well as in the byproducts of burning coal.
From the Latin word Gallia, France; also from Latin, gallus, a translation of "Lecoq," a cock. Predicted and described by Mendeleev as ekaaluminum, and discovered spectroscopically by Lecoq de Boisbaudran in 1875, who in the same year obtained the free metal by electrolysis of a solution of the hydroxide in KOH.
Pure gallium is a silvery, lustrous metal that is solid at ordinary room temperature but melts at about 30 °C. The solid is brittle enough to fracture, while the liquid readily wets many surfaces and can penetrate some metals, especially aluminium.
Gallium is used chiefly in compound semiconductors. Gallium arsenide (GaAs) is important in high-frequency electronics, optoelectronics, infrared light-emitting diodes, and some photovoltaic cells. Gallium nitride (GaN) is central to blue and ultraviolet light-emitting diodes, laser diodes, and efficient power electronics. Low-melting gallium alloys are used in thermometers, thermal interfaces, and specialized heat-transfer applications where mercury is undesirable. Radioisotopes such as ⁶⁷Ga and ⁶⁸Ga are used in diagnostic nuclear medicine.
Gallium melts near room temperature and has one of the largest liquid ranges of any metal, so it has found use in high temperature thermometers. Gallium easily forms alloys with most metals and has been used to create low melting alloys. Gallium is used as a doping material for semiconductors and has been used to produce solid-state items like transistors and light emitting diodes. Gallium arsenide (GaAs) can produce laser light directly from electricity. Large amounts of gallium trichloride (GaCl3) have been gathered to build the Gallium Neutrino Observatory, an observatory located in Italy built to study particles called neutrinos which are produced inside the sun during the process of nuclear fusion.
Gallium wets glass or porcelain and forms a brilliant mirror when it is painted on glass. It is widely used in doping semiconductors and producing solid-state devices such as transistors.
Magnesium gallate containing divalent impurities, such as Mn+2, is finding use in commercial ultraviolet-activated powder phosphors. Gallium arsenide is capable of converting electricity directly into coherent light. Gallium readily alloys with most metals, and has been used as a component in low-melting alloys.
Isotopes in Medicine
68Ga (with a half-life of 68 min) is a radioactive isotope that emits positrons, which are used to produce high-resolution imaging with positron emission tomography (PET). Unlike 18F, which is most commonly used, 68Ga is more easily produced using a cost-effective generator with the parent radionuclide 68Ge (with a half-life of 271 days) (Fig. IUPAC.31.1). Once produced, 68Ga easily couples to biomolecules (most commonly peptides) that target G-protein coupled receptors, which are over-expressed on human tumor cells. The labeled protein acts as a radioactive tracer for cancer diagnostics. PET images are often coupled with CT images to get a more complete picture of the body [256] I. Kayani, B. G. Conry, A. M. Groves, T. Win, J. Dickson, M. Caplin, J. B. Bomanji. J. Nucl. Med.50, 1927 (2009)., [257] M. Fani, J. P. André, H. R. Maecke. Contrast Media Mol. Imaging3, 67 (2008)., [258] G. J. Ehrhardt, M. J. Welch. J. Nucl. Med.19, 925 (1978)., [259] G. Ehrhardt, S. Wagner, M. J. Welch. J. Labelled Compd. Radiopharm.16, 111 (1979)., [260] M. V. Cantorias, S. D. Figueroa, T. P. Quinn, J. R. Lever, T. J. Hoffman, L. D. Watkinson, T. L. Carmack, C. S. Cutler. Nucl. Med. Biol.36, 505 (2009)., [261] J. C. Rold, T. L. Sieckman, G. L. Figueroa, S. D. Sublett, S. V. Engelbrecht, H. Cutler, C. S. Jurisson, S. S. Hoffman, T. J. Bottenus, B. N. Garrison. Trans. Am. Nucl. Soc.98, 802 (2008)., [262] J. Fitzsimmons, M. Fassbender, R. Atcher. J. Nucl. Med.48, 319 (2007).. Radiopharmaceutical 67Ga (with a half-life of 78 h) is a gamma-emitting isotope used in scintigraphy for medical imaging [263] S. M. Larson, P. B. Hoffer. “Normal patterns of localization”, in Gallium-67 Imaging, P. B. Hoffer, C. Bekerman, and R. E. Henkin (Eds.), John Wiley, New York (1978)., [264] A. Wirth, J. F. Seymour, R. J. Hicks, R. Ware, R. Fisher, M. Prince, M. P. MacManus, G. Ryan, H. Januszewicz, M. Wolf. Am. J. Med.112, 262 (2002)., [265] A. Vijayananthan, A. V. Arumugam, G. Kumar, D. Harichandra. Int. J. Biomed. Imaging4 (2), e23 (2008)..
Gallium most commonly adopts the +3 oxidation state, although lower-valent gallium chemistry is well established in specialized compounds. Gallium(III) oxide (Ga₂O₃) is a wide-band-gap oxide of growing interest for power and ultraviolet devices. Gallium arsenide (GaAs), gallium nitride (GaN), gallium phosphide (GaP), and gallium antimonide (GaSb) are important III-V semiconductors. Gallium(III) chloride (GaCl₃) is a Lewis acidic halide and forms many adducts. Gallium(III) salts often hydrolyze in water, reflecting the high charge density of Ga³⁺.
See more information at the Gallium compound page.
Compact gallium metal has low acute toxicity, but it can stain skin and damage aluminium parts by liquid-metal embrittlement. Dusts, fumes, and soluble gallium compounds require normal laboratory controls because toxicity depends strongly on compound form and exposure route. Gallium arsenide (GaAs) introduces additional concern from arsenic during machining, heating, or waste handling. Medical radioisotopes present isotope-specific radiation hazards.
Its toxicity appears to be of a low order, but should be handled with care until more data is available.
Gallium occurs at trace levels in many minerals, especially those associated with aluminium and zinc ores. It substitutes for chemically similar ions rather than forming abundant gallium minerals. Weathering and industrial processing can mobilize small amounts, but gallium is not a major nutrient and has no well-established biological role. Environmental concern is usually tied to mining residues, semiconductor waste, and associated elements such as arsenic rather than to metallic gallium alone.
Gallium supply is dominated by by-product recovery, especially from bauxite processing liquors and, to a lesser extent, zinc-processing streams. Because primary ores are not mined for gallium alone, output can be constrained by aluminium and zinc production, refinery technology, and purification capacity. Demand is driven mainly by semiconductor and optoelectronic materials, where high purity is essential. Recycling occurs from manufacturing scrap and some end-of-life material, but dispersed uses and complex devices limit complete recovery. Substitution is application-specific; silicon, silicon carbide, or other III-V compounds can replace gallium materials in some devices but not without design changes.
Gallium is often found as a trace element in diaspore, sphalerite, germanite, bauxite, and coal. Some flue dusts from burning coal have been shown to contain as much 1.5 percent gallium.
Gallium is a relatively rare element in the cosmos compared with lighter metals. Its stable isotopes, ⁶⁹Ga and ⁷¹Ga, are produced in stellar nucleosynthesis pathways involving neutron capture and related processes in evolved stars and supernova environments. In planetary materials it behaves as a moderately volatile, lithophile to chalcophile trace element and is used in geochemical studies of differentiation and volatility.
- Gallium expands on freezing, so solidification can break rigid containers.
- The liquid metal has an unusually wide liquid range before boiling.
- Gallium can diffuse into aluminium and make it crumble under stress.
- Natural gallium consists mainly of two stable isotopes, ⁶⁹Ga and ⁷¹Ga.
- Very high-purity gallium is needed for many semiconductor applications.
Зображення
Властивості
Фізичні
- Атомний радіус (емпіричний)
- 130 pm Порівняти Атомний радіус (емпіричний) усіх елементів →
- Ковалентний радіус
- 122 pm Порівняти Ковалентний радіус усіх елементів →
- Радіус ван дер Ваальса
- 187 pm Порівняти Радіус ван дер Ваальса усіх елементів →
- Металічний радіус
- 125 pm Порівняти Металічний радіус усіх елементів →
- Густина
- 5910 kg/m³ Порівняти Густина усіх елементів →
- Молярний об’єм
- 0,0118 L/mol
- Фаза за стандартних температури й тиску
- Твердий стан Порівняти Фаза за стандартних температури й тиску усіх елементів →
- Температура плавлення
- 29,76 °C Порівняти Температура плавлення усіх елементів →
- Температура кипіння
- 2203,85 °C Порівняти Температура кипіння усіх елементів →
- Теплопровідність
- 28,1 Вт/(м·K) Порівняти Теплопровідність усіх елементів →
- Питома теплоємність
- 0,373 Дж/(г·K) Порівняти Питома теплоємність усіх елементів →
- Молярна теплоємність
- 26,03 Дж/(моль·K) Порівняти Молярна теплоємність усіх елементів →
- Кристалічна структура
- Ромбічна Порівняти Кристалічна структура усіх елементів →
Хімічні
- Електронегативність (за Полінгом)
- 1,81 Порівняти Електронегативність (за Полінгом) усіх елементів →
- Електронегативність (за Алленом)
- 1,756
- Спорідненість до електрона
- 0,3 eV
- Енергія йонізації (1-ша)
- 5,999302 eV Порівняти Енергія йонізації (1-ша) усіх елементів →
- Енергія йонізації (2-га)
- 20,515211 eV Порівняти Енергія йонізації (2-га) усіх елементів →
- Енергія йонізації (3-тя)
- 30,725866 eV Порівняти Енергія йонізації (3-тя) усіх елементів →
- Енергія йонізації (4-та)
- 63,241218 eV Порівняти Енергія йонізації (4-та) усіх елементів →
- Енергія йонізації (5-та)
- 86,010296 eV Порівняти Енергія йонізації (5-та) усіх елементів →
- Ступені окиснення
- −5, −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3 Порівняти Ступені окиснення усіх елементів →
- Валентні електрони
- 3 Порівняти Валентні електрони усіх елементів →
- Електронна конфігурація
- [Ar] 4s2 3d10 4p1
Термодинамічні
- Потрійна точка (температура)
- 29,7666 °C
- Теплота плавлення
- 0,05793647 eV Порівняти Теплота плавлення усіх елементів →
- Теплота випаровування
- 2,653262 eV Порівняти Теплота випаровування усіх елементів →
- Теплота сублімації
- 2,808727 eV
- Теплота атомізації
- 2,808727 eV
- Ентальпія атомізації
- 2,818676 eV
Ядерні
- Протони
- 31 Порівняти Протони усіх елементів →
- Нейтрони
- 38 Порівняти Нейтрони усіх елементів →
- Відомі ізотопи
- 33 Порівняти Відомі ізотопи усіх елементів →
- Стабільні ізотопи
- 2 Порівняти Стабільні ізотопи усіх елементів →
- Найстабільніший ізотоп
- Ga-69
- Рік відкриття
- 1875
Поширеність
- Вміст (земна кора)
- 19 мг/кг Порівняти Вміст (земна кора) усіх елементів →
- Вміст (океан)
- 3 × 10−5 мг/л Порівняти Вміст (океан) усіх елементів →
Кристалічна структура
- Стала ґратки a
- 451 pm
Електронна будова
- Електрони за оболонками
- 2, 8, 18, 3 Порівняти Електрони за оболонками усіх елементів →
Ідентифікатори
- Номер CAS
- 7440-55-3 Порівняти Номер CAS усіх елементів →
- Символ терма
- 2P°1/2
- InChI
- InChI=1S/Ga
- Ключ InChI
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N
Електронна конфігурація Виміряно
Ga: 3d¹⁰ 4s² 4p¹[Ar] 3d¹⁰ 4s² 4p¹1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p⁶ 3d¹⁰ 4s² 4p¹Модель атома
Ізотопи відрізняються кількістю нейтронів, масою та стабільністю, але не електронною конфігурацією нейтрального атома.
Схематична модель атома, без дотримання масштабу.
Атомний відбиток
Спектр випромінювання / поглинання
Ізотопний розподіл
| Масове число | Атомна маса (u) | Природний вміст | Період напіврозпаду |
|---|---|---|---|
| 69 Стабільний | 68,9255735 ± 0,0000013 | 60,1080% | Стабільний |
| 71 Стабільний | 70,92470258 ± 0,00000087 | 39,8920% | Стабільний |
Фаза / стан
Причина: на 4,8 °C нижче температури плавлення (29,76 °C)
Схематично, без дотримання масштабу
Точки фазових переходів
Енергії переходів
Енергія, необхідна для плавлення 1 моль за температури плавлення
Енергія, необхідна для випаровування 1 моль за температури кипіння
Енергія, необхідна для сублімації 1 моль за температури сублімації
Густина
За стандартних умов
За стандартних умов
Розширені дані
Атомні спектри
Показано 10 з 31. Відсортовано за зарядом йона (за зростанням).
Наявні дані про лінії ?
| Йон | Заряд | Загальна кількість ліній | Імовірності переходів | Позначення рівнів |
|---|---|---|---|---|
| Ga I | 0 | 342 | 23 | 342 |
| Ga II | +1 | 176 | 10 | 176 |
| Ga III | +2 | 113 | 2 | 113 |
| Ga IV | +3 | 594 | 0 | 594 |
| Ga V | +4 | 185 | 0 | 185 |
| Ga VI | +5 | 501 | 0 | 501 |
| Ga VII | +6 | 451 | 0 | 451 |
Наявні дані про рівні ?
| Йон | Заряд | Рівні |
|---|---|---|
| Ga I | 0 | 262 |
| Ga II | +1 | 96 |
| Ga III | +2 | 61 |
| Ga IV | +3 | 192 |
| Ga V | +4 | 92 |
| Ga VI | +5 | 158 |
| Ga VII | +6 | 181 |
| Ga VIII | +7 | 2 |
| Ga IX | +8 | 2 |
| Ga X | +9 | 2 |
Йонні радіуси
| Заряд | Координація | Спін | Радіус |
|---|---|---|---|
| +3 | 4 | Немає даних | 47 пм |
| +3 | 5 | Немає даних | 55.00000000000001 пм |
| +3 | 6 | Немає даних | 62 пм |
Сполуки
Ізотопи (2)
| Масове число | Атомна маса (u) | Природний вміст | Період напіврозпаду | Тип розпаду | |
|---|---|---|---|---|---|
| 69 Стабільний | 68,9255735 ± 0,0000013 | 60,1080% ± 0,0090% | Стабільний | stable | |
| 71 Стабільний | 70,92470258 ± 0,00000087 | 39,8920% ± 0,0090% | Стабільний | stable |
Спектральні лінії
| Довжина хвилі (нм) | Інтенсивність | Ступінь йонізації | Тип | Перехід | Точність | Джерело | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 417.33 нм | Немає даних | ID 486 | emission | 3s2.3p3 2P* → 3s2.3p3 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.0525 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.70p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.0525 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.70p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.0651 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.69p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.0651 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.69p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.08 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.68p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.08 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.68p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.0924 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.67p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.0924 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.67p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.1098 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.66p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.1098 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.66p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.1257 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.65p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.1257 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.65p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.1406 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.64p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.1406 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.64p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.1588 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.63p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.1588 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.63p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.1761 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.62p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.1761 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.62p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.1948 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.61p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.1948 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.61p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.2157 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.60p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.2157 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.60p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.2367 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.59p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.2367 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.59p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.2582 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.58p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.2582 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.58p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.2826 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.57p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.2826 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.57p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.3887 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.53p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.3887 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.53p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.4204 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.52p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.4204 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.52p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.4531 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.51p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.4531 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.51p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.4886 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.50p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.4886 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.50p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.5261 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.49p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.5261 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.49p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.5675 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.48p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.5675 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.48p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.6112 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.47p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.6112 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.47p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.6563 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.46p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.6563 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.46p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.7046 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.45p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.7046 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.45p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.7569 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.44p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.7569 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.44p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.8143 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.43p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.8143 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.43p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.8743 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.42p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.8743 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.42p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.94 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.41p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 424.94 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.41p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 425.4789 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.34d 2D | Виміряно | NIST | |
| 425.4799 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.34d 2D | Виміряно | NIST | |
| 426.035 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.30d 2D | Виміряно | NIST | |
| 426.0365 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.30d 2D | Виміряно | NIST | |
| 426.6348 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.27d 2D | Виміряно | NIST | |
| 426.6367 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.27d 2D | Виміряно | NIST | |
| 427.1688 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.25d 2D | Виміряно | NIST | |
| 427.1712 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.25d 2D | Виміряно | NIST | |
| 427.8589 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.23d 2D | Виміряно | NIST | |
| 427.8621 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.23d 2D | Виміряно | NIST | |
| 428.7731 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.21d 2D | Виміряно | NIST | |
| 428.7774 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.21d 2D | Виміряно | NIST | |
| 429.3459 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.20d 2D | Виміряно | NIST | |
| 429.3507 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.20d 2D | Виміряно | NIST | |
| 430.0203 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.19d 2D | Виміряно | NIST | |
| 430.026 нм | Немає даних | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.19d 2D | Виміряно | NIST | |
| 448.84 нм | Немає даних | ID 505 | emission | 5p 2P* → 5d 2D | Виміряно | NIST | |
| 459.16 нм | Немає даних | ID 505 | emission | 5s 2S → 5p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 557 нм | Немає даних | ID 482 | emission | 1s.5s 3S → 1s.5p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 567.7 нм | Немає даних | ID 498 | emission | 3s2.3p2 3P → 3s2.3p2 3P | Виміряно | NIST | |
| 587 нм | Немає даних | ID 482 | emission | 1s.4p 3P* → 1s.4d 3D | Виміряно | NIST | |
| 675 нм | Немає даних | ID 486 | emission | 3s2.3p3 2D* → 3s2.3p3 2D* | Виміряно | NIST | |
| 706.7 нм | Немає даних | ID 505 | emission | 4p 2P* → 4d 2D | Виміряно | NIST |
Розширені дані про властивості
Ковалентні радіуси (розширені дані)
- Ковалентний радіус (за Пююккьо)
- 124 pm
- Ковалентний радіус (за Пююккьо, подвійний зв’язок)
- 117 pm
- Ковалентний радіус (за Пююккьо, потрійний зв’язок)
- 121 pm
Радіуси ван дер Ваальса
- Bondi
- 187 pm
- Batsanov
- 210 pm
- Alvarez
- 232 pm
- UFF
- 438,3 pm
- MM3
- 246 pm
- Dreiding
- 439 pm
Атомні та металічні радіуси
- Атомний радіус (за Рамом)
- 233 pm
- Металічний радіус (C12)
- 140 pm
Шкали нумерації
- Mendeleev
- 83
- Pettifor
- 81
- Glawe
- 79
Шкали електронегативності
- Ghosh
- 0
- Miedema
- 4
- Gunnarsson–Lundqvist
- 3
- Robles–Bartolotti
- 3
Поляризовність і дисперсія
- Дипольна поляризовність
- 50 a.u.
- Дипольна поляризовність (невизначеність)
- 3 a.u.
- C₆
- 498 Ha·Bohr6
- C₆ (Gould–Bučko)
- 456 Ha·Bohr6
Параметри Мідеми
- Молярний об’єм за Мідемою
- 11,82 cm3/mol
- Електронна густина за Мідемою
- 2
Ризики постачання та економіка
- Концентрація виробництва
- 54
- Відносний ризик постачання
- 8
- Політична стабільність (найбільший виробник)
- 24
Фазові переходи та алотропні модифікації
| Температура плавлення | 302,91 K |
| Температура кипіння | 2502,15 K |
| Потрійна точка (температура) | 302,92 K |
Категорії ступенів окиснення
Розширені довідкові дані
Сталі екранування (8)
| n | Орбіталь | σ |
|---|---|---|
| 1 | s | 0,6906 |
| 2 | p | 3,9092 |
| 2 | s | 8,401 |
| 3 | d | 15,9067 |
| 3 | p | 14,7964 |
| 3 | s | 14,0038 |
| 4 | p | 24,7784 |
| 4 | s | 23,9332 |
Докладні дані про кристалічні радіуси (3)
| Заряд | CN | Спін | rcrystal (pm) | Походження |
|---|---|---|---|---|
| 3 | IV | 61 | ||
| 3 | V | 69 | ||
| 3 | VI | 76 | from r^3 vs V plots, |
Типи розпаду ізотопів (51)
| Ізотоп | Режим | Інтенсивність |
|---|---|---|
| 56 | p | — |
| 57 | p | — |
| 58 | p | — |
| 59 | p | — |
| 60 | B+ | 100% |
| 60 | B+p | 1,6% |
| 60 | B+A | 0% |
| 61 | B+ | 100% |
| 61 | B+p | 0,3% |
| 62 | B+ | 100% |
Фактори розсіяння рентгенівського випромінювання (506)
| Енергія (eV) | f₁ | f₂ |
|---|---|---|
| 10 | — | 2,98527 |
| 10,1617 | — | 2,98141 |
| 10,3261 | — | 2,97756 |
| 10,4931 | — | 2,9737 |
| 10,6628 | — | 2,96986 |
| 10,8353 | — | 2,96602 |
| 11,0106 | — | 2,95695 |
| 11,1886 | — | 2,90859 |
| 11,3696 | — | 2,86103 |
| 11,5535 | — | 2,81425 |
Додаткові дані
Estimated Crustal Abundance
The estimated element abundance in the earth's crust.
1.9×101 milligrams per kilogram
Джерела (1)
Estimated Oceanic Abundance
The estimated element abundance in the earth's oceans.
3×10-5 milligrams per liter
Джерела (1)
Sources
Sources of this element.
Gallium is often found as a trace element in diaspore, sphalerite, germanite, bauxite, and coal. Some flue dusts from burning coal have been shown to contain as much 1.5 percent gallium.
Джерела (1)
- [6] Gallium https://periodic.lanl.gov/31.shtml
Джерела
(9)
Data deposited in or computed by PubChem
The half-life and atomic mass data was provided by the Atomic Mass Data Center at the International Atomic Energy Agency.
Element data are cited from the Atomic weights of the elements (an IUPAC Technical Report). The IUPAC periodic table of elements can be found at https://iupac.org/what-we-do/periodic-table-of-elements/. Additional information can be found within IUPAC publication doi:10.1515/pac-2015-0703 Copyright © 2020 International Union of Pure and Applied Chemistry.
The information are cited from Pure Appl. Chem. 2018; 90(12): 1833-2092, https://doi.org/10.1515/pac-2015-0703.
Thomas Jefferson National Accelerator Facility (Jefferson Lab) is one of 17 national laboratories funded by the U.S. Department of Energy. The lab's primary mission is to conduct basic research of the atom's nucleus using the lab's unique particle accelerator, known as the Continuous Electron Beam Accelerator Facility (CEBAF). For more information visit https://www.jlab.org/
The periodic table at the LANL (Los Alamos National Laboratory) contains basic element information together with the history, source, properties, use, handling and more. The provenance data may be found from the link under the source name.
The periodic table contains NIST's critically-evaluated data on atomic properties of the elements. The provenance data that include data for atomic spectroscopy, X-ray and gamma ray, radiation dosimetry, nuclear physics, and condensed matter physics may be found from the link under the source name. Ref: https://www.nist.gov/pml/atomic-spectra-database
This section provides all form of data related to element Gallium.
The element property data was retrieved from publications.