Germanium (Ge)
metalloidSolid
Стандартна відносна атомна маса
72,63 uЕлектронна конфігурація
[Ar] 4s2 3d10 4p2Температура плавлення
938,25 °CТемпература кипіння
2832,85 °CГустина
5323,4 kg/m³Ступені окиснення
−4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3, +4Електронегативність (за Полінгом)
2,01Енергія йонізації (1-ша)
7,899435 eVРік відкриття
1886Атомний радіус
125 pmВідомості
Germanium is a hard, brittle metalloid in group 14, chemically intermediate between silicon and tin. It is a covalent semiconductor with a narrow band gap and forms stable compounds mainly in the +4 and +2 oxidation states. The element is not mined as a principal ore in most operations; it is commonly recovered as a by-product from zinc processing and from some coal-derived materials. Its technological importance rests on infrared optics, fiber-optic materials, semiconductor devices, and specialty catalysts.
The element is a gray-white metalloid. In pure state, the element is crystalline and brittle, retaining its luster in air at room temperature. It is a very important semiconductor. Zone-refining techniques have led to production of crystalline germanium for semiconductor use with an impurity of only one part in 1010.
The name derives from the Latin germania for Germany. It was discovered and isolated by the German chemist Clemens-Alexander Winkler in 1886 in the mineral argyrodite (GeS2×4Ag2S).
First proposed to exist by Dmitri Mendeleyev in 1871 based on gaps in his newly created Periodic Table of Elements, germanium was discovered by the German chemist Clemens Winkler in the mineral argyrodite (Ag8GeS6) in 1886. Today, germanium is primarily obtained from the smelting of zinc ores and from the byproducts of burning certain types of coal.
From the Latin word Germania, Germany. Mendeleev predicted the existence of Germanium in 1871 as ekasilicon, and the element was discovered by Winkler in 1886.
Pure germanium is a lustrous, grayish-white solid with a metallic sheen. It crystallizes in the diamond-cubic structure and is brittle rather than malleable. High-purity material is commonly encountered as polycrystalline pieces, single-crystal ingots, or wafers for electronic and optical use.
Germanium is used where its optical and electronic properties are valuable rather than as a structural metal. Germanium dioxide, GeO₂, is added to silica glass for optical fibers because it raises refractive index. Elemental germanium and germanium-containing glasses are used in infrared lenses, windows, and thermal imaging optics. Germanium substrates support some high-efficiency multijunction solar cells. Small amounts are used in semiconductor detectors, legacy transistors, and SiGe alloys for high-speed electronics. Certain organogermanium and oxide materials have specialized roles, but broad medical uses are not established.
The largest use of germanium is in the semiconductor industry. When doped with small amounts of arsenic, gallium, indium, antimony or phosphorus, germanium is used to make transistors for use in electronic devices. Germanium is also used to create alloys and as a phosphor in fluorescent lamps. Both germanium and germanium oxide (GeO) are transparent to infrared radiation and are used in infrared optical instruments and infrared detectors. Some germanium compounds seem to be effective in killing some types of bacteria and are currently being studied for use in chemotherapy.
When germanium is doped with arsenic, gallium, or other elements, it is used as a transistor element in thousands of electronic applications. The most common use of germanium is as a semiconductor. Germanium is also finding many other applications including use as an alloying agent, as a phosphor in fluorescent lamps, and as a catalyst.
Germanium and germanium oxide are transparent to the infrared and are used in infrared spectroscopes and other optical equipment, including extremely sensitive infrared detectors.
The high index of refraction and dispersion properties of its oxide's have made germanium useful as a component of wide-angle camera lenses and microscope objectives.
The field of organo-germanium chemistry is becoming increasingly important. Certain germanium compounds have a low mammalian toxicity, but a marked activity against certain bacteria, which makes them useful as chemotherapeutic agents.
Isotopes in Earth/Planetary Science
Because molecules, atoms, and ions of the stable isotopes of germanium possess slightly different physical and chemical properties, they commonly will be fractionated during physical, chemical, and biological processes, giving rise to variations in isotopic abundances and in atomic weights. There are measureable variations in the isotopic abundances of germanium in terrestrial materials (Fig. IUPAC.32.1).
Isotopes in Medicine
68Ge is used to calibrate positron emission tomography (PET) scanners, which have been used for medical diagnostic procedures [268] Office of Science, Los Alamos National Laboratory. Isotope Production and Applications, Los Alamos National Laboratory (2017), Feb. 26; http://www.lanl.gov/science-innovation/science-programs/office-of-science-programs/nuclear-physics/isotopes/_assets/docs/isotope-program-brochure.pdf..
Isotopes Used as a Source of Radioactive Isotope(s)
72Ge and 74Ge are used to produce the radioactive isotopes 72As and 74As, with half-lives of 26 h and 17.8 days, respectively. The arsenic nuclei can attach to tumors and the decay of these isotopes is used to image the location of cancerous tumors in vivovia the 72Ge (n, p) 72As reaction and the 74Ge (n, p) 74As reaction [269] M. Jennewein, M. A. Lewis, D. Zhao, E. Tsyganov, N. Slavine, J. He, L. Watkins, V. D. Kodibagkar, S. O’Kelly, P. Kulkarni, P. P. Antich, A. Hermanne, F. Rösch, R. P. Mason, P. E. Thorpe. Clin. Cancer Res.14, 1377 (2008).. 70Ge, 72Ge, and 74Ge have all been used to produce the medical radioisotope 73Se via the 70Ge (4He, n) 73Se reaction, via the 72Ge (4He, 3n) 73Se reaction and via the reaction 74Ge (4He, 5n) 73Se, respectively [269] M. Jennewein, M. A. Lewis, D. Zhao, E. Tsyganov, N. Slavine, J. He, L. Watkins, V. D. Kodibagkar, S. O’Kelly, P. Kulkarni, P. P. Antich, A. Hermanne, F. Rösch, R. P. Mason, P. E. Thorpe. Clin. Cancer Res.14, 1377 (2008)..
Germanium chemistry resembles a heavier analogue of silicon chemistry, with notable stability of both +4 and +2 compounds. Germanium dioxide, GeO₂, is the principal oxide and occurs in quartz-like and rutile-like forms. Germanium tetrachloride, GeCl₄, is a volatile liquid used as an intermediate in purification and glass manufacture. Germanium monosulfide, GeS, and germanium disulfide, GeS₂, illustrate lower and higher oxidation-state chalcogenides. Germanes such as germane, GeH₄, are reactive hydrides used in deposition chemistry. Organogermanium compounds contain Ge–C bonds, but their chemistry is less commercially extensive than organosilicon chemistry.
See more information at the Germanium compound page.
Massive germanium metal is of low acute toxicity and is not considered a nutritional requirement for humans. Dusts and finely divided material can irritate the respiratory tract and should be controlled in industrial handling. Germane, GeH₄, is highly flammable and toxic, posing a significant gas-handling hazard. Germanium tetrachloride, GeCl₄, fumes in moist air and can form corrosive hydrogen chloride, HCl. Some soluble germanium compounds have caused kidney and nerve toxicity when ingested in inappropriate supplement use.
Germanium is a dispersed trace element in the crust and is enriched in some zinc ores, lignites, and coal ashes. In natural waters it commonly follows silica behavior because dissolved germanium species can resemble silicic acid in geochemical cycling. Weathering releases only small concentrations, and the element has no known essential biological function. Industrial releases are usually associated with mining, smelting, coal combustion residues, and processing of germanium-bearing intermediates.
Germanium supply is tied to by-product recovery, so availability depends strongly on zinc refining, processing of certain coal ashes, and the economics of collecting dilute streams. Concentrates are converted through intermediates such as germanium tetrachloride, GeCl₄, then hydrolyzed and reduced to high-purity metal or oxide. Demand is concentrated in fiber optics, infrared optics, polymerization catalysts, electronics, and space solar cells. Recycling from optical scrap, semiconductor material, and some catalysts is important because primary sources are geographically and geologically limited. Substitution is possible in some optical and electronic uses, but often with performance or design penalties.
The metal is found in
▸ argyrodite, a sulfide of germanium and silver;
▸ germanite, which contains 8 percent of the element;
▸ zinc ores;
▸ coal; and
▸ other minerals
The element is commercially obtained from the dust from smelters that process zinc ores. It is also recovered from combustion by-products of certain coals.
Germanium can be separated from other metals by fractional distillation of its volatile tetrachloride. These techniques permit the production of germanium of ultra-high purity.
Germanium is a minor cosmic element produced mainly by neutron-capture processes in evolved stars and supernova-related environments, with contributions from charged-particle reactions. It is far less abundant than silicon because heavier nuclei beyond iron-region seed patterns require less common nucleosynthetic pathways. In meteorites and planetary rocks it behaves partly as a moderately siderophile and chalcophile trace element, partitioning into metal and sulfide phases under suitable conditions.
- Germanium was predicted by Mendeleev as eka-silicon before it was isolated.
- Zone refining of germanium helped establish ultra-high-purity semiconductor practice.
- Germanium expands on freezing, as silicon and water do.
- Natural germanium contains five stable isotopes.
- GeO₂ can be reduced to the element with hydrogen in industrial purification.
Зображення
Властивості
Фізичні
- Атомний радіус (емпіричний)
- 125 pm Порівняти Атомний радіус (емпіричний) усіх елементів →
- Ковалентний радіус
- 120 pm Порівняти Ковалентний радіус усіх елементів →
- Радіус ван дер Ваальса
- 211 pm Порівняти Радіус ван дер Ваальса усіх елементів →
- Металічний радіус
- 124 pm Порівняти Металічний радіус усіх елементів →
- Густина
- 5323,4 kg/m³ Порівняти Густина усіх елементів →
- Молярний об’єм
- 0,0136 L/mol
- Фаза за стандартних температури й тиску
- Твердий стан Порівняти Фаза за стандартних температури й тиску усіх елементів →
- Температура плавлення
- 938,25 °C Порівняти Температура плавлення усіх елементів →
- Температура кипіння
- 2832,85 °C Порівняти Температура кипіння усіх елементів →
- Теплопровідність
- 60,2 Вт/(м·K) Порівняти Теплопровідність усіх елементів →
- Питома теплоємність
- 0,32 Дж/(г·K) Порівняти Питома теплоємність усіх елементів →
- Молярна теплоємність
- 23,222 Дж/(моль·K) Порівняти Молярна теплоємність усіх елементів →
- Кристалічна структура
- Кубічна алмазного типу Порівняти Кристалічна структура усіх елементів →
Хімічні
- Електронегативність (за Полінгом)
- 2,01 Порівняти Електронегативність (за Полінгом) усіх елементів →
- Електронегативність (за Алленом)
- 1,994
- Спорідненість до електрона
- 1,232 eV
- Енергія йонізації (1-ша)
- 7,899435 eV Порівняти Енергія йонізації (1-ша) усіх елементів →
- Енергія йонізації (2-га)
- 15,934665 eV Порівняти Енергія йонізації (2-га) усіх елементів →
- Енергія йонізації (3-тя)
- 34,057717 eV Порівняти Енергія йонізації (3-тя) усіх елементів →
- Енергія йонізації (4-та)
- 45,715657 eV Порівняти Енергія йонізації (4-та) усіх елементів →
- Енергія йонізації (5-та)
- 90,500312 eV Порівняти Енергія йонізації (5-та) усіх елементів →
- Ступені окиснення
- −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3, +4 Порівняти Ступені окиснення усіх елементів →
- Валентні електрони
- 4 Порівняти Валентні електрони усіх елементів →
- Електронна конфігурація
- [Ar] 4s2 3d10 4p2
Термодинамічні
- Критична точка (температура)
- 9529 °C
- Теплота плавлення
- 0,38285744 eV Порівняти Теплота плавлення усіх елементів →
- Теплота випаровування
- 3,420221 eV Порівняти Теплота випаровування усіх елементів →
- Теплота сублімації
- 3,907343 eV
- Теплота атомізації
- 3,907343 eV
- Ентальпія атомізації
- 3,855522 eV
Ядерні
- Протони
- 32 Порівняти Протони усіх елементів →
- Нейтрони
- 42 Порівняти Нейтрони усіх елементів →
- Відомі ізотопи
- 33 Порівняти Відомі ізотопи усіх елементів →
- Стабільні ізотопи
- 4 Порівняти Стабільні ізотопи усіх елементів →
- Найстабільніший ізотоп
- Ge-74
- Рік відкриття
- 1886
Поширеність
- Вміст (земна кора)
- 1,5 мг/кг Порівняти Вміст (земна кора) усіх елементів →
- Вміст (океан)
- 5 × 10−5 мг/л Порівняти Вміст (океан) усіх елементів →
Кристалічна структура
- Стала ґратки a
- 566 pm
Електронна будова
- Електрони за оболонками
- 2, 8, 18, 4 Порівняти Електрони за оболонками усіх елементів →
Ідентифікатори
- Номер CAS
- 7440-56-4 Порівняти Номер CAS усіх елементів →
- Символ терма
- 3P0
- InChI
- InChI=1S/Ge
- Ключ InChI
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N
Електронна конфігурація Виміряно
Ge: 3d¹⁰ 4s² 4p²[Ar] 3d¹⁰ 4s² 4p²1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p⁶ 3d¹⁰ 4s² 4p²Модель атома
Ізотопи відрізняються кількістю нейтронів, масою та стабільністю, але не електронною конфігурацією нейтрального атома.
Схематична модель атома, без дотримання масштабу.
Атомний відбиток
Спектр випромінювання / поглинання
Ізотопний розподіл
| Масове число | Атомна маса (u) | Природний вміст | Період напіврозпаду |
|---|---|---|---|
| 70 Стабільний | 69,92424875 ± 0,0000009 | 20,5700% | Стабільний |
| 72 Стабільний | 71,922075826 ± 0,000000081 | 27,4500% | Стабільний |
| 73 Стабільний | 72,923458956 ± 0,000000061 | 7,7500% | Стабільний |
| 74 Стабільний | 73,921177761 ± 0,000000013 | 36,5000% | Стабільний |
Фаза / стан
Причина: на 913,3 °C нижче температури плавлення (938,25 °C)
Схематично, без дотримання масштабу
Точки фазових переходів
Енергії переходів
Енергія, необхідна для плавлення 1 моль за температури плавлення
Енергія, необхідна для випаровування 1 моль за температури кипіння
Енергія, необхідна для сублімації 1 моль за температури сублімації
Густина
За стандартних умов
За стандартних умов
Розширені дані
Атомні спектри
Показано 10 з 32. Відсортовано за зарядом йона (за зростанням).
Наявні дані про лінії ?
| Йон | Заряд | Загальна кількість ліній | Імовірності переходів | Позначення рівнів |
|---|---|---|---|---|
| Ge I | 0 | 224 | 26 | 223 |
| Ge II | +1 | 149 | 20 | 149 |
| Ge III | +2 | 55 | 0 | 0 |
| Ge IV | +3 | 27 | 0 | 0 |
| Ge V | +4 | 37 | 0 | 0 |
Наявні дані про рівні ?
| Йон | Заряд | Рівні |
|---|---|---|
| Ge I | 0 | 621 |
| Ge II | +1 | 129 |
| Ge III | +2 | 48 |
| Ge IV | +3 | 55 |
| Ge V | +4 | 102 |
| Ge VI | +5 | 105 |
| Ge VII | +6 | 168 |
| Ge VIII | +7 | 2 |
| Ge IX | +8 | 2 |
| Ge X | +9 | 2 |
Йонні радіуси
| Заряд | Координація | Спін | Радіус |
|---|---|---|---|
| +2 | 6 | Немає даних | 73 пм |
| +4 | 4 | Немає даних | 39 пм |
| +4 | 6 | Немає даних | 53 пм |
Сполуки
Ізотопи (4)
| Масове число | Атомна маса (u) | Природний вміст | Період напіврозпаду | Тип розпаду | |
|---|---|---|---|---|---|
| 70 Стабільний | 69,92424875 ± 0,0000009 | 20,5700% ± 0,2700% | Стабільний | stable | |
| 72 Стабільний | 71,922075826 ± 0,000000081 | 27,4500% ± 0,3200% | Стабільний | stable | |
| 73 Стабільний | 72,923458956 ± 0,000000061 | 7,7500% ± 0,1200% | Стабільний | stable | |
| 74 Стабільний | 73,921177761 ± 0,000000013 | 36,5000% ± 0,2000% | Стабільний | stable |
Спектральні лінії
Показано 50 з 57. За замовчуванням показано лише спектральні лінії з виміряною інтенсивністю.
| Довжина хвилі (нм) | Інтенсивність | Ступінь йонізації | Тип | Перехід | Точність | Джерело | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 474.18054 нм | 1000 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.5d 2D | Виміряно | NIST | |
| 481.46084 нм | 1000 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.5d 2D | Виміряно | NIST | |
| 589.33885 нм | 1000 | Ge II | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.5p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 602.10412 нм | 500 | Ge II | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.5p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 517.86474 нм | 200 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.4f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 607.834 нм | 150 | Ge II | emission | 4s.4p.(3P*).5s 4P* → 4s.4p.(3P*).5p 4D | Виміряно | NIST | |
| 626.8068 нм | 150 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.6g 2G | Виміряно | NIST | |
| 513.17516 нм | 100 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.4f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 626.8341 нм | 100 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.6g 2G | Виміряно | NIST | |
| 633.63765 нм | 100 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.6s 2S | Виміряно | NIST | |
| 648.41813 нм | 100 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.6s 2S | Виміряно | NIST | |
| 628.34518 нм | 75 | Ge II | emission | 4s2.5d 2D → 4s2.6f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 422.656259 нм | 70 | Ge I | emission | 4s2.4p2 1S → 4s2.4p.5s 1P* | Виміряно | NIST | |
| 482.40972 нм | 50 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.5d 2D | Виміряно | NIST | |
| 626.7136 нм | 50 | Ge II | emission | 4s2.5d 2D → 4s2.6f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 678.0486 нм | 50 | Ge II | emission | 4s2.6p 2P* → 4s2.7d 2D | Виміряно | NIST | |
| 704.93692 нм | 50 | Ge II | emission | 4s.4p2 2D → 4s2.5p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 384.50994 нм | 30 | Ge II | emission | 4s.4p2 4P → 4s2.5p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 714.53898 нм | 30 | Ge II | emission | 4s.4p2 2D → 4s2.5p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 494.12769 нм | 20 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.6p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 520.56488 нм | 20 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.7g 2G | Виміряно | NIST | |
| 696.63205 нм | 20 | Ge II | emission | 4s.4p2 2D → 4s2.5p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 439.1656 нм | 15 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.9g 2G | Виміряно | NIST | |
| 520.58372 нм | 15 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.7g 2G | Виміряно | NIST | |
| 552.2987 нм | 15 | Ge II | emission | 4s2.6p 2P* → 4s2.8d 2D | Виміряно | NIST | |
| 439.179 нм | 10 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.9g 2G | Виміряно | NIST | |
| 466.2311 нм | 10 | Ge II | emission | 4s2.5d 2D → 4s2.8f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 468.582849 нм | 10 | Ge I | emission | 4s2.4p2 1S → 4s2.4p.5s 3P* | Виміряно | NIST | |
| 493.40754 нм | 10 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.6p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 517.84615 нм | 10 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.4f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 569.19543 нм | 9 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3D | Виміряно | NIST | |
| 580.2093 нм | 9 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 1P* → 4s2.4p.6p 1D | Виміряно | NIST | |
| 556.47408 нм | 8 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3S | Виміряно | NIST | |
| 560.70101 нм | 8 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3P | Виміряно | NIST | |
| 565.596 нм | 8 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3D | Виміряно | NIST | |
| 562.14256 нм | 7 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 1P | Виміряно | NIST | |
| 733.0383 нм | 7 | Ge I | emission | 4s2.4p.5p 1P → 4s2.4p.7d (1/2,3/2)* | Виміряно | NIST | |
| 738.4208 нм | 7 | Ge I | emission | 4s2.4p.5p 3D → 4s2.4p.8s (1/2,1/2)* | Виміряно | NIST | |
| 526.58915 нм | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3P | Виміряно | NIST | |
| 551.32634 нм | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 1D | Виміряно | NIST | |
| 561.61353 нм | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3P | Виміряно | NIST | |
| 566.4226 нм | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 1P* → 4s2.4p.6p 1S | Виміряно | NIST | |
| 570.17765 нм | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 1P | Виміряно | NIST | |
| 580.1029 нм | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3D | Виміряно | NIST | |
| 655.74883 нм | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 1P* → 4s2.4p.6p 3D | Виміряно | NIST | |
| 713.0126 нм | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5p 3D → 4s2.4p.7d (3/2,5/2)* | Виміряно | NIST | |
| 740.2648 нм | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5p 1P → 4s2.4p.6d (3/2,3/2)* | Виміряно | NIST | |
| 518.4103 нм | 5 | Ge II | emission | 4s2.5d 2D → 4s2.7f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 566.4842 нм | 5 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.(2P*<1/2>).4f 2[7/2] | Виміряно | NIST | |
| 571.78769 нм | 5 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3D | Виміряно | NIST |
Розширені дані про властивості
Ковалентні радіуси (розширені дані)
- Ковалентний радіус (за Пююккьо)
- 121 pm
- Ковалентний радіус (за Пююккьо, подвійний зв’язок)
- 111 pm
- Ковалентний радіус (за Пююккьо, потрійний зв’язок)
- 114 pm
Радіуси ван дер Ваальса
- Truhlar
- 211 pm
- Batsanov
- 210 pm
- Alvarez
- 229 pm
- UFF
- 428 pm
- MM3
- 244 pm
- Dreiding
- 427 pm
Атомні та металічні радіуси
- Атомний радіус (за Рамом)
- 234 pm
- Металічний радіус (C12)
- 144 pm
Шкали нумерації
- Mendeleev
- 89
- Pettifor
- 84
- Glawe
- 84
Шкали електронегативності
- Ghosh
- 0
- Miedema
- 5
- Gunnarsson–Lundqvist
- 5
- Robles–Bartolotti
- 4
Поляризовність і дисперсія
- Дипольна поляризовність
- 40 a.u.
- Дипольна поляризовність (невизначеність)
- 1 a.u.
- C₆
- 354 Ha·Bohr6
- C₆ (Gould–Bučko)
- 365 Ha·Bohr6
Параметри Мідеми
- Молярний об’єм за Мідемою
- 9,87 cm3/mol
- Електронна густина за Мідемою
- 3
Ризики постачання та економіка
- Концентрація виробництва
- 67
- Відносний ризик постачання
- 8
- Політична стабільність (найбільший виробник)
- 24
Фазові переходи та алотропні модифікації
| Температура плавлення | 1211,4 K |
| Температура кипіння | 3106,15 K |
| Критична точка (температура) | 9802,15 K |
Категорії ступенів окиснення
Розширені довідкові дані
Сталі екранування (8)
| n | Орбіталь | σ |
|---|---|---|
| 1 | s | 0,7063 |
| 2 | p | 3,9178 |
| 2 | s | 8,6352 |
| 3 | d | 15,7487 |
| 3 | p | 14,9864 |
| 3 | s | 14,2103 |
| 4 | p | 25,2196 |
| 4 | s | 23,9564 |
Докладні дані про кристалічні радіуси (3)
| Заряд | CN | Спін | rcrystal (pm) | Походження |
|---|---|---|---|---|
| 2 | VI | 87 | Ahrens (1952) ionic radius, | |
| 4 | IV | 53 | ||
| 4 | VI | 67 | from r^3 vs V plots, |
Типи розпаду ізотопів (50)
| Ізотоп | Режим | Інтенсивність |
|---|---|---|
| 58 | 2p | — |
| 59 | B+ | 100% |
| 59 | B+p | 93% |
| 59 | 2p | 0,2% |
| 60 | B+ | 100% |
| 60 | B+p | 100% |
| 60 | 2p | 14% |
| 61 | B+ | 100% |
| 61 | B+p | 87% |
| 62 | B+ | 100% |
Фактори розсіяння рентгенівського випромінювання (506)
| Енергія (eV) | f₁ | f₂ |
|---|---|---|
| 10 | — | 3,01183 |
| 10,1617 | — | 3,05548 |
| 10,3261 | — | 3,09976 |
| 10,4931 | — | 3,14468 |
| 10,6628 | — | 3,19025 |
| 10,8353 | — | 3,21825 |
| 11,0106 | — | 3,20755 |
| 11,1886 | — | 3,19689 |
| 11,3696 | — | 3,18626 |
| 11,5535 | — | 3,17568 |
Додаткові дані
Estimated Crustal Abundance
The estimated element abundance in the earth's crust.
1.5 milligrams per kilogram
Джерела (1)
- [5] Germanium https://education.jlab.org/itselemental/ele032.html
Estimated Oceanic Abundance
The estimated element abundance in the earth's oceans.
5×10-5 milligrams per liter
Джерела (1)
- [5] Germanium https://education.jlab.org/itselemental/ele032.html
Sources
Sources of this element.
The metal is found in
▸ argyrodite, a sulfide of germanium and silver;
▸ germanite, which contains 8 percent of the element;
▸ zinc ores;
▸ coal; and
▸ other minerals
The element is commercially obtained from the dust from smelters that process zinc ores. It is also recovered from combustion by-products of certain coals.
Germanium can be separated from other metals by fractional distillation of its volatile tetrachloride. These techniques permit the production of germanium of ultra-high purity.
Джерела (1)
- [6] Germanium https://periodic.lanl.gov/32.shtml
Джерела
(9)
Data deposited in or computed by PubChem
The half-life and atomic mass data was provided by the Atomic Mass Data Center at the International Atomic Energy Agency.
Element data are cited from the Atomic weights of the elements (an IUPAC Technical Report). The IUPAC periodic table of elements can be found at https://iupac.org/what-we-do/periodic-table-of-elements/. Additional information can be found within IUPAC publication doi:10.1515/pac-2015-0703 Copyright © 2020 International Union of Pure and Applied Chemistry.
The information are cited from Pure Appl. Chem. 2018; 90(12): 1833-2092, https://doi.org/10.1515/pac-2015-0703.
Thomas Jefferson National Accelerator Facility (Jefferson Lab) is one of 17 national laboratories funded by the U.S. Department of Energy. The lab's primary mission is to conduct basic research of the atom's nucleus using the lab's unique particle accelerator, known as the Continuous Electron Beam Accelerator Facility (CEBAF). For more information visit https://www.jlab.org/
The periodic table at the LANL (Los Alamos National Laboratory) contains basic element information together with the history, source, properties, use, handling and more. The provenance data may be found from the link under the source name.
The periodic table contains NIST's critically-evaluated data on atomic properties of the elements. The provenance data that include data for atomic spectroscopy, X-ray and gamma ray, radiation dosimetry, nuclear physics, and condensed matter physics may be found from the link under the source name. Ref: https://www.nist.gov/pml/atomic-spectra-database
This section provides all form of data related to element Germanium.
The element property data was retrieved from publications.