Gallium (Ga)
post-transition-metalSolid
ప్రామాణిక పరమాణు భారం
69.723 uఎలక్ట్రాన్ విన్యాసం
[Ar] 4s2 3d10 4p1ద్రవీభవన స్థానం
29.76 °Cమరుగు స్థానం
2203.85 °Cసాంద్రత
5910 kg/m³ఆక్సీకరణ స్థితులు
−5, −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3విద్యుదృణాత్మకత (పాలింగ్)
1.81అయనీకరణ శక్తి (1వ)
5.999302 eVఆవిష్కరణ సంవత్సరం
1875పరమాణు వ్యాసార్థం
130 pmవివరాలు
Gallium is a soft post-transition metal in group 13, chemically related to aluminium and indium. It is notable for melting just above room temperature, forming low-melting alloys, and supplying semiconductors through compounds such as gallium arsenide and gallium nitride. In nature it is dispersed rather than concentrated in its own ores, so it is recovered mainly as a by-product of aluminium and zinc processing.
It is one of four metals mercury, cesium, and rubidium which can be liquid near room temperature and, thus, can be used in high-temperature thermometers. It has one of the longest liquid ranges of any metal and has a low vapor pressure even at high temperatures.
There is a strong tendency for gallium to supercool below its freezing point. Therefore, seeding may be necessary to initiate solidification.
Ultra-pure gallium has a beautiful, silvery appearance, and the solid metal exhibits a conchoidal fracture similar to glass. The metal expands 3.1 percent on solidifying; therefore, it should not be stored in glass or metal containers, because they may break as the metal solidifies.
High-purity gallium is attacked only slowly by mineral acids.
The name derives from the Latin gallia for France. It was discovered in zinc blende by the French chemist Paul-Emile Lecoq de Boisbaudran in 1875. It was first isolated in 1878 by Lecoq de Boisbaudran and the French chemist Émile-Clément Jungflesch.
First proposed to exist by Dmitri Mendeleyev in 1871 based on gaps in his newly created Periodic Table of Elements, gallium was discovered spectroscopically by the French chemist Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran in 1875. Later that same year, Lecoq was able to obtain pure gallium through the electrolysis of a solution of gallium hydroxide (Ga(OH)3) in potassium hydroxide (KOH). Trace amounts of gallium are found in diaspore, sphalerite, germanite and bauxite as well as in the byproducts of burning coal.
From the Latin word Gallia, France; also from Latin, gallus, a translation of "Lecoq," a cock. Predicted and described by Mendeleev as ekaaluminum, and discovered spectroscopically by Lecoq de Boisbaudran in 1875, who in the same year obtained the free metal by electrolysis of a solution of the hydroxide in KOH.
Pure gallium is a silvery, lustrous metal that is solid at ordinary room temperature but melts at about 30 °C. The solid is brittle enough to fracture, while the liquid readily wets many surfaces and can penetrate some metals, especially aluminium.
Gallium is used chiefly in compound semiconductors. Gallium arsenide (GaAs) is important in high-frequency electronics, optoelectronics, infrared light-emitting diodes, and some photovoltaic cells. Gallium nitride (GaN) is central to blue and ultraviolet light-emitting diodes, laser diodes, and efficient power electronics. Low-melting gallium alloys are used in thermometers, thermal interfaces, and specialized heat-transfer applications where mercury is undesirable. Radioisotopes such as ⁶⁷Ga and ⁶⁸Ga are used in diagnostic nuclear medicine.
Gallium melts near room temperature and has one of the largest liquid ranges of any metal, so it has found use in high temperature thermometers. Gallium easily forms alloys with most metals and has been used to create low melting alloys. Gallium is used as a doping material for semiconductors and has been used to produce solid-state items like transistors and light emitting diodes. Gallium arsenide (GaAs) can produce laser light directly from electricity. Large amounts of gallium trichloride (GaCl3) have been gathered to build the Gallium Neutrino Observatory, an observatory located in Italy built to study particles called neutrinos which are produced inside the sun during the process of nuclear fusion.
Gallium wets glass or porcelain and forms a brilliant mirror when it is painted on glass. It is widely used in doping semiconductors and producing solid-state devices such as transistors.
Magnesium gallate containing divalent impurities, such as Mn+2, is finding use in commercial ultraviolet-activated powder phosphors. Gallium arsenide is capable of converting electricity directly into coherent light. Gallium readily alloys with most metals, and has been used as a component in low-melting alloys.
Isotopes in Medicine
68Ga (with a half-life of 68 min) is a radioactive isotope that emits positrons, which are used to produce high-resolution imaging with positron emission tomography (PET). Unlike 18F, which is most commonly used, 68Ga is more easily produced using a cost-effective generator with the parent radionuclide 68Ge (with a half-life of 271 days) (Fig. IUPAC.31.1). Once produced, 68Ga easily couples to biomolecules (most commonly peptides) that target G-protein coupled receptors, which are over-expressed on human tumor cells. The labeled protein acts as a radioactive tracer for cancer diagnostics. PET images are often coupled with CT images to get a more complete picture of the body [256] I. Kayani, B. G. Conry, A. M. Groves, T. Win, J. Dickson, M. Caplin, J. B. Bomanji. J. Nucl. Med.50, 1927 (2009)., [257] M. Fani, J. P. André, H. R. Maecke. Contrast Media Mol. Imaging3, 67 (2008)., [258] G. J. Ehrhardt, M. J. Welch. J. Nucl. Med.19, 925 (1978)., [259] G. Ehrhardt, S. Wagner, M. J. Welch. J. Labelled Compd. Radiopharm.16, 111 (1979)., [260] M. V. Cantorias, S. D. Figueroa, T. P. Quinn, J. R. Lever, T. J. Hoffman, L. D. Watkinson, T. L. Carmack, C. S. Cutler. Nucl. Med. Biol.36, 505 (2009)., [261] J. C. Rold, T. L. Sieckman, G. L. Figueroa, S. D. Sublett, S. V. Engelbrecht, H. Cutler, C. S. Jurisson, S. S. Hoffman, T. J. Bottenus, B. N. Garrison. Trans. Am. Nucl. Soc.98, 802 (2008)., [262] J. Fitzsimmons, M. Fassbender, R. Atcher. J. Nucl. Med.48, 319 (2007).. Radiopharmaceutical 67Ga (with a half-life of 78 h) is a gamma-emitting isotope used in scintigraphy for medical imaging [263] S. M. Larson, P. B. Hoffer. “Normal patterns of localization”, in Gallium-67 Imaging, P. B. Hoffer, C. Bekerman, and R. E. Henkin (Eds.), John Wiley, New York (1978)., [264] A. Wirth, J. F. Seymour, R. J. Hicks, R. Ware, R. Fisher, M. Prince, M. P. MacManus, G. Ryan, H. Januszewicz, M. Wolf. Am. J. Med.112, 262 (2002)., [265] A. Vijayananthan, A. V. Arumugam, G. Kumar, D. Harichandra. Int. J. Biomed. Imaging4 (2), e23 (2008)..
Gallium most commonly adopts the +3 oxidation state, although lower-valent gallium chemistry is well established in specialized compounds. Gallium(III) oxide (Ga₂O₃) is a wide-band-gap oxide of growing interest for power and ultraviolet devices. Gallium arsenide (GaAs), gallium nitride (GaN), gallium phosphide (GaP), and gallium antimonide (GaSb) are important III-V semiconductors. Gallium(III) chloride (GaCl₃) is a Lewis acidic halide and forms many adducts. Gallium(III) salts often hydrolyze in water, reflecting the high charge density of Ga³⁺.
See more information at the Gallium compound page.
Compact gallium metal has low acute toxicity, but it can stain skin and damage aluminium parts by liquid-metal embrittlement. Dusts, fumes, and soluble gallium compounds require normal laboratory controls because toxicity depends strongly on compound form and exposure route. Gallium arsenide (GaAs) introduces additional concern from arsenic during machining, heating, or waste handling. Medical radioisotopes present isotope-specific radiation hazards.
Its toxicity appears to be of a low order, but should be handled with care until more data is available.
Gallium occurs at trace levels in many minerals, especially those associated with aluminium and zinc ores. It substitutes for chemically similar ions rather than forming abundant gallium minerals. Weathering and industrial processing can mobilize small amounts, but gallium is not a major nutrient and has no well-established biological role. Environmental concern is usually tied to mining residues, semiconductor waste, and associated elements such as arsenic rather than to metallic gallium alone.
Gallium supply is dominated by by-product recovery, especially from bauxite processing liquors and, to a lesser extent, zinc-processing streams. Because primary ores are not mined for gallium alone, output can be constrained by aluminium and zinc production, refinery technology, and purification capacity. Demand is driven mainly by semiconductor and optoelectronic materials, where high purity is essential. Recycling occurs from manufacturing scrap and some end-of-life material, but dispersed uses and complex devices limit complete recovery. Substitution is application-specific; silicon, silicon carbide, or other III-V compounds can replace gallium materials in some devices but not without design changes.
Gallium is often found as a trace element in diaspore, sphalerite, germanite, bauxite, and coal. Some flue dusts from burning coal have been shown to contain as much 1.5 percent gallium.
Gallium is a relatively rare element in the cosmos compared with lighter metals. Its stable isotopes, ⁶⁹Ga and ⁷¹Ga, are produced in stellar nucleosynthesis pathways involving neutron capture and related processes in evolved stars and supernova environments. In planetary materials it behaves as a moderately volatile, lithophile to chalcophile trace element and is used in geochemical studies of differentiation and volatility.
- Gallium expands on freezing, so solidification can break rigid containers.
- The liquid metal has an unusually wide liquid range before boiling.
- Gallium can diffuse into aluminium and make it crumble under stress.
- Natural gallium consists mainly of two stable isotopes, ⁶⁹Ga and ⁷¹Ga.
- Very high-purity gallium is needed for many semiconductor applications.
చిత్రాలు
లక్షణాలు
భౌతిక
- పరమాణు వ్యాసార్థం (అనుభవాధారిత)
- 130 pm అన్ని మూలకాల పరమాణు వ్యాసార్థం (అనుభవాధారిత) పోల్చండి →
- సంయోజనీయ వ్యాసార్థం
- 122 pm అన్ని మూలకాల సంయోజనీయ వ్యాసార్థం పోల్చండి →
- వాన్ డర్ వాల్స్ వ్యాసార్థం
- 187 pm అన్ని మూలకాల వాన్ డర్ వాల్స్ వ్యాసార్థం పోల్చండి →
- లోహ వ్యాసార్థం
- 125 pm అన్ని మూలకాల లోహ వ్యాసార్థం పోల్చండి →
- సాంద్రత
- 5910 kg/m³ అన్ని మూలకాల సాంద్రత పోల్చండి →
- మోలార్ ఘనపరిమాణం
- 0.0118 L/mol
- STP వద్ద దశ
- ఘనం అన్ని మూలకాల STP వద్ద దశ పోల్చండి →
- ద్రవీభవన స్థానం
- 29.76 °C అన్ని మూలకాల ద్రవీభవన స్థానం పోల్చండి →
- మరుగు స్థానం
- 2203.85 °C అన్ని మూలకాల మరుగు స్థానం పోల్చండి →
- ఉష్ణ వాహకత
- 28.1 W/(m·K) అన్ని మూలకాల ఉష్ణ వాహకత పోల్చండి →
- విశిష్ట ఉష్ణ సామర్థ్యం
- 0.373 J/(g·K) అన్ని మూలకాల విశిష్ట ఉష్ణ సామర్థ్యం పోల్చండి →
- మోలార్ ఉష్ణ సామర్థ్యం
- 26.03 J/(mol·K) అన్ని మూలకాల మోలార్ ఉష్ణ సామర్థ్యం పోల్చండి →
- స్ఫటిక నిర్మాణం
- ఆర్థోరాంబిక్ అన్ని మూలకాల స్ఫటిక నిర్మాణం పోల్చండి →
రసాయన
- విద్యుదృణాత్మకత (పాలింగ్)
- 1.81 అన్ని మూలకాల విద్యుదృణాత్మకత (పాలింగ్) పోల్చండి →
- విద్యుదృణాత్మకత (అలెన్)
- 1.756
- ఎలక్ట్రాన్ బంధుత్వం
- 0.3 eV
- అయనీకరణ శక్తి (1వ)
- 5.999302 eV అన్ని మూలకాల అయనీకరణ శక్తి (1వ) పోల్చండి →
- అయనీకరణ శక్తి (2వ)
- 20.515211 eV అన్ని మూలకాల అయనీకరణ శక్తి (2వ) పోల్చండి →
- అయనీకరణ శక్తి (3వ)
- 30.725866 eV అన్ని మూలకాల అయనీకరణ శక్తి (3వ) పోల్చండి →
- అయనీకరణ శక్తి (4వ)
- 63.241218 eV అన్ని మూలకాల అయనీకరణ శక్తి (4వ) పోల్చండి →
- అయనీకరణ శక్తి (5వ)
- 86.010296 eV అన్ని మూలకాల అయనీకరణ శక్తి (5వ) పోల్చండి →
- ఆక్సీకరణ స్థితులు
- −5, −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3 అన్ని మూలకాల ఆక్సీకరణ స్థితులు పోల్చండి →
- సంయోజక ఎలక్ట్రాన్లు
- 3 అన్ని మూలకాల సంయోజక ఎలక్ట్రాన్లు పోల్చండి →
- ఎలక్ట్రాన్ విన్యాసం
- [Ar] 4s2 3d10 4p1
ఉష్ణగతిక
- త్రిక స్థానం (ఉష్ణోగ్రత)
- 29.7666 °C
- ద్రవీభవన ఉష్ణం
- 0.05793647 eV అన్ని మూలకాల ద్రవీభవన ఉష్ణం పోల్చండి →
- బాష్పీభవన ఉష్ణం
- 2.653262 eV అన్ని మూలకాల బాష్పీభవన ఉష్ణం పోల్చండి →
- ఉత్పతన ఉష్ణం
- 2.808727 eV
- పరమాణీకరణ ఉష్ణం
- 2.808727 eV
- పరమాణీకరణ ఎంథాల్పీ
- 2.818676 eV
కేంద్రక
- ప్రోటాన్లు
- 31 అన్ని మూలకాల ప్రోటాన్లు పోల్చండి →
- న్యూట్రాన్లు
- 38 అన్ని మూలకాల న్యూట్రాన్లు పోల్చండి →
- తెలిసిన సమస్థానికాలు
- 33 అన్ని మూలకాల తెలిసిన సమస్థానికాలు పోల్చండి →
- స్థిరమైన సమస్థానికాలు
- 2 అన్ని మూలకాల స్థిరమైన సమస్థానికాలు పోల్చండి →
- అత్యంత స్థిరమైన సమస్థానికం
- Ga-69
- ఆవిష్కరణ సంవత్సరం
- 1875
సమృద్ధి
- సమృద్ధి (భూపటలం)
- 19 mg/kg అన్ని మూలకాల సమృద్ధి (భూపటలం) పోల్చండి →
- సమృద్ధి (సముద్రం)
- 3 × 10−5 mg/L అన్ని మూలకాల సమృద్ధి (సముద్రం) పోల్చండి →
స్ఫటిక నిర్మాణం
- జాలక స్థిరాంకం a
- 451 pm
ఎలక్ట్రానిక్ నిర్మాణం
- ప్రతి కక్ష్యలో ఎలక్ట్రాన్లు
- 2, 8, 18, 3 అన్ని మూలకాల ప్రతి కక్ష్యలో ఎలక్ట్రాన్లు పోల్చండి →
గుర్తింపులు
- CAS సంఖ్య
- 7440-55-3 అన్ని మూలకాల CAS సంఖ్య పోల్చండి →
- టర్మ్ సంకేతం
- 2P°1/2
- InChI
- InChI=1S/Ga
- InChI కీ
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N
ఎలక్ట్రాన్ విన్యాసం కొలవబడినది
Ga: 3d¹⁰ 4s² 4p¹[Ar] 3d¹⁰ 4s² 4p¹1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p⁶ 3d¹⁰ 4s² 4p¹పరమాణు నమూనా
సమస్థానికాలు న్యూట్రాన్ల సంఖ్య, ద్రవ్యరాశి, స్థిరత్వాన్ని మారుస్తాయి — తటస్థ పరమాణువు యొక్క ఎలక్ట్రాన్ విన్యాసాన్ని కాదు.
రూపరేఖాత్మక పరమాణు నమూనా, ప్రమాణానుసారం కాదు.
పరమాణు ప్రత్యేక గుర్తింపు
ఉద్గార / శోషణ వర్ణపటం
సమస్థానిక పంపిణీ
| ద్రవ్యరాశి సంఖ్య | పరమాణు ద్రవ్యరాశి (u) | సహజ సమృద్ధి | అర్ధాయుష్షు |
|---|---|---|---|
| 69 స్థిరమైన | 68.9255735 ± 0.0000013 | 60.1080% | స్థిరమైన |
| 71 స్థిరమైన | 70.92470258 ± 0.00000087 | 39.8920% | స్థిరమైన |
దశ / స్థితి
కారణం: ద్రవీభవన స్థానం (29.76 °C) కంటే 4.8 °C తక్కువ
రూపరేఖ మాత్రమే, ప్రమాణానుసారం కాదు
దశ పరివర్తన స్థానాలు
పరివర్తన శక్తులు
ద్రవీభవన స్థానం వద్ద 1 molను ద్రవీభవింపజేయడానికి అవసరమైన శక్తి
మరుగు స్థానం వద్ద 1 molను బాష్పీభవింపజేయడానికి అవసరమైన శక్తి
ఉత్పతన స్థానం వద్ద 1 molను ఉత్పతనం చేయడానికి అవసరమైన శక్తి
సాంద్రత
ప్రామాణిక పరిస్థితుల వద్ద
ప్రామాణిక పరిస్థితుల వద్ద
ఉన్నత స్థాయి
పరమాణు వర్ణపటాలు
మొత్తం 31లో 10 చూపించబడుతున్నాయి. అయాన్ ఆవేశం ఆధారంగా ఆరోహణ క్రమంలో అమర్చబడింది.
అందుబాటులో ఉన్న వర్ణపట రేఖల సమాచారం ?
| అయాన్ | ఆవేశం | మొత్తం రేఖలు | పరివర్తన సంభావ్యతలు | స్థాయి గుర్తింపులు |
|---|---|---|---|---|
| Ga I | 0 | 342 | 23 | 342 |
| Ga II | +1 | 176 | 10 | 176 |
| Ga III | +2 | 113 | 2 | 113 |
| Ga IV | +3 | 594 | 0 | 594 |
| Ga V | +4 | 185 | 0 | 185 |
| Ga VI | +5 | 501 | 0 | 501 |
| Ga VII | +6 | 451 | 0 | 451 |
అందుబాటులో ఉన్న శక్తి స్థాయుల సమాచారం ?
| అయాన్ | ఆవేశం | స్థాయులు |
|---|---|---|
| Ga I | 0 | 262 |
| Ga II | +1 | 96 |
| Ga III | +2 | 61 |
| Ga IV | +3 | 192 |
| Ga V | +4 | 92 |
| Ga VI | +5 | 158 |
| Ga VII | +6 | 181 |
| Ga VIII | +7 | 2 |
| Ga IX | +8 | 2 |
| Ga X | +9 | 2 |
అయానిక్ వ్యాసార్థాలు
| ఆవేశం | సమన్వయం | స్పిన్ | వ్యాసార్థం |
|---|---|---|---|
| +3 | 4 | అందుబాటులో లేదు | 47 pm |
| +3 | 5 | అందుబాటులో లేదు | 55.00000000000001 pm |
| +3 | 6 | అందుబాటులో లేదు | 62 pm |
సమ్మేళనాలు
సమస్థానికాలు (2)
| ద్రవ్యరాశి సంఖ్య | పరమాణు ద్రవ్యరాశి (u) | సహజ సమృద్ధి | అర్ధాయుష్షు | క్షయ విధానం | |
|---|---|---|---|---|---|
| 69 స్థిరమైన | 68.9255735 ± 0.0000013 | 60.1080% ± 0.0090% | స్థిరమైన | stable | |
| 71 స్థిరమైన | 70.92470258 ± 0.00000087 | 39.8920% ± 0.0090% | స్థిరమైన | stable |
వర్ణపట రేఖలు
| తరంగదైర్ఘ్యం (nm) | తీవ్రత | అయాన్ దశ | రకం | పరివర్తన | ఖచ్చితత్వం | మూలం | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 417.33 nm | అందుబాటులో లేదు | ID 486 | emission | 3s2.3p3 2P* → 3s2.3p3 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.0525 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.70p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.0525 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.70p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.0651 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.69p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.0651 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.69p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.08 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.68p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.08 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.68p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.0924 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.67p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.0924 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.67p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.1098 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.66p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.1098 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.66p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.1257 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.65p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.1257 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.65p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.1406 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.64p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.1406 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.64p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.1588 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.63p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.1588 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.63p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.1761 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.62p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.1761 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.62p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.1948 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.61p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.1948 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.61p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.2157 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.60p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.2157 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.60p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.2367 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.59p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.2367 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.59p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.2582 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.58p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.2582 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.58p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.2826 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.57p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.2826 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.57p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.3887 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.53p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.3887 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.53p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.4204 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.52p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.4204 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.52p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.4531 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.51p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.4531 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.51p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.4886 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.50p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.4886 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.50p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.5261 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.49p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.5261 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.49p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.5675 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.48p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.5675 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.48p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.6112 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.47p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.6112 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.47p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.6563 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.46p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.6563 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.46p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.7046 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.45p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.7046 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.45p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.7569 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.44p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.7569 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.44p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.8143 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.43p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.8143 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.43p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.8743 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.42p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.8743 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.42p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.94 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.41p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 424.94 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.41p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 425.4789 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.34d 2D | కొలవబడినది | NIST | |
| 425.4799 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.34d 2D | కొలవబడినది | NIST | |
| 426.035 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.30d 2D | కొలవబడినది | NIST | |
| 426.0365 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.30d 2D | కొలవబడినది | NIST | |
| 426.6348 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.27d 2D | కొలవబడినది | NIST | |
| 426.6367 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.27d 2D | కొలవబడినది | NIST | |
| 427.1688 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.25d 2D | కొలవబడినది | NIST | |
| 427.1712 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.25d 2D | కొలవబడినది | NIST | |
| 427.8589 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.23d 2D | కొలవబడినది | NIST | |
| 427.8621 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.23d 2D | కొలవబడినది | NIST | |
| 428.7731 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.21d 2D | కొలవబడినది | NIST | |
| 428.7774 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.21d 2D | కొలవబడినది | NIST | |
| 429.3459 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.20d 2D | కొలవబడినది | NIST | |
| 429.3507 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.20d 2D | కొలవబడినది | NIST | |
| 430.0203 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.19d 2D | కొలవబడినది | NIST | |
| 430.026 nm | అందుబాటులో లేదు | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.19d 2D | కొలవబడినది | NIST | |
| 448.84 nm | అందుబాటులో లేదు | ID 505 | emission | 5p 2P* → 5d 2D | కొలవబడినది | NIST | |
| 459.16 nm | అందుబాటులో లేదు | ID 505 | emission | 5s 2S → 5p 2P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 557 nm | అందుబాటులో లేదు | ID 482 | emission | 1s.5s 3S → 1s.5p 3P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 567.7 nm | అందుబాటులో లేదు | ID 498 | emission | 3s2.3p2 3P → 3s2.3p2 3P | కొలవబడినది | NIST | |
| 587 nm | అందుబాటులో లేదు | ID 482 | emission | 1s.4p 3P* → 1s.4d 3D | కొలవబడినది | NIST | |
| 675 nm | అందుబాటులో లేదు | ID 486 | emission | 3s2.3p3 2D* → 3s2.3p3 2D* | కొలవబడినది | NIST | |
| 706.7 nm | అందుబాటులో లేదు | ID 505 | emission | 4p 2P* → 4d 2D | కొలవబడినది | NIST |
విస్తృత లక్షణాలు
సంయోజనీయ వ్యాసార్థాలు (విస్తృత)
- సంయోజనీయ వ్యాసార్థం (ప్యుక్కో)
- 124 pm
- సంయోజనీయ వ్యాసార్థం (ప్యుక్కో, ద్విబంధం)
- 117 pm
- సంయోజనీయ వ్యాసార్థం (ప్యుక్కో, త్రిబంధం)
- 121 pm
వాన్ డర్ వాల్స్ వ్యాసార్థాలు
- Bondi
- 187 pm
- Batsanov
- 210 pm
- Alvarez
- 232 pm
- UFF
- 438.3 pm
- MM3
- 246 pm
- Dreiding
- 439 pm
పరమాణు మరియు లోహ వ్యాసార్థాలు
- పరమాణు వ్యాసార్థం (రామ్)
- 233 pm
- లోహ వ్యాసార్థం (C12)
- 140 pm
సంఖ్యాక్రమ ప్రమాణాలు
- Mendeleev
- 83
- Pettifor
- 81
- Glawe
- 79
విద్యుదృణాత్మకత ప్రమాణాలు
- Ghosh
- 0
- Miedema
- 4
- Gunnarsson–Lundqvist
- 3
- Robles–Bartolotti
- 3
ధ్రువణీయత మరియు విక్షేపణం
- ద్విధ్రువ ధ్రువణీయత
- 50 a.u.
- ద్విధ్రువ ధ్రువణీయత (అనిశ్చితి)
- 3 a.u.
- C₆
- 498 Ha·Bohr6
- C₆ (Gould–Bučko)
- 456 Ha·Bohr6
మీడెమా పరామితులు
- మీడెమా మోలార్ ఘనపరిమాణం
- 11.82 cm3/mol
- మీడెమా ఎలక్ట్రాన్ సాంద్రత
- 2
సరఫరా ప్రమాదం మరియు ఆర్థిక అంశాలు
- ఉత్పత్తి కేంద్రీకరణ
- 54
- సాపేక్ష సరఫరా ప్రమాదం
- 8
- రాజకీయ స్థిరత్వం (అగ్ర ఉత్పత్తిదారు)
- 24
దశ పరివర్తనలు మరియు భిన్నరూపాలు
| ద్రవీభవన స్థానం | 302.91 K |
| మరుగు స్థానం | 2502.15 K |
| త్రిక స్థానం (ఉష్ణోగ్రత) | 302.92 K |
ఆక్సీకరణ స్థితి వర్గాలు
ఉన్నత స్థాయి సూచన సమాచారం
పరిరక్షణ స్థిరాంకాలు (8)
| n | ఆర్బిటాల్ | σ |
|---|---|---|
| 1 | s | 0.6906 |
| 2 | p | 3.9092 |
| 2 | s | 8.401 |
| 3 | d | 15.9067 |
| 3 | p | 14.7964 |
| 3 | s | 14.0038 |
| 4 | p | 24.7784 |
| 4 | s | 23.9332 |
స్ఫటిక వ్యాసార్థాల వివరాలు (3)
| ఆవేశం | CN | స్పిన్ | rcrystal (pm) | మూలం |
|---|---|---|---|---|
| 3 | IV | 61 | ||
| 3 | V | 69 | ||
| 3 | VI | 76 | from r^3 vs V plots, |
సమస్థానిక క్షయ విధానాలు (51)
| సమస్థానికం | మోడ్ | తీవ్రత |
|---|---|---|
| 56 | p | — |
| 57 | p | — |
| 58 | p | — |
| 59 | p | — |
| 60 | B+ | 100% |
| 60 | B+p | 1.6% |
| 60 | B+A | 0% |
| 61 | B+ | 100% |
| 61 | B+p | 0.3% |
| 62 | B+ | 100% |
X‑కిరణ పరిక్షేపణ కారకాలు (506)
| శక్తి (eV) | f₁ | f₂ |
|---|---|---|
| 10 | — | 2.98527 |
| 10.1617 | — | 2.98141 |
| 10.3261 | — | 2.97756 |
| 10.4931 | — | 2.9737 |
| 10.6628 | — | 2.96986 |
| 10.8353 | — | 2.96602 |
| 11.0106 | — | 2.95695 |
| 11.1886 | — | 2.90859 |
| 11.3696 | — | 2.86103 |
| 11.5535 | — | 2.81425 |
అదనపు సమాచారం
Estimated Crustal Abundance
The estimated element abundance in the earth's crust.
1.9×101 milligrams per kilogram
మూలాధారాలు (1)
Estimated Oceanic Abundance
The estimated element abundance in the earth's oceans.
3×10-5 milligrams per liter
మూలాధారాలు (1)
Sources
Sources of this element.
Gallium is often found as a trace element in diaspore, sphalerite, germanite, bauxite, and coal. Some flue dusts from burning coal have been shown to contain as much 1.5 percent gallium.
మూలాధారాలు (1)
- [6] Gallium https://periodic.lanl.gov/31.shtml
మూలాధారాలు
(9)
Data deposited in or computed by PubChem
The half-life and atomic mass data was provided by the Atomic Mass Data Center at the International Atomic Energy Agency.
Element data are cited from the Atomic weights of the elements (an IUPAC Technical Report). The IUPAC periodic table of elements can be found at https://iupac.org/what-we-do/periodic-table-of-elements/. Additional information can be found within IUPAC publication doi:10.1515/pac-2015-0703 Copyright © 2020 International Union of Pure and Applied Chemistry.
The information are cited from Pure Appl. Chem. 2018; 90(12): 1833-2092, https://doi.org/10.1515/pac-2015-0703.
Thomas Jefferson National Accelerator Facility (Jefferson Lab) is one of 17 national laboratories funded by the U.S. Department of Energy. The lab's primary mission is to conduct basic research of the atom's nucleus using the lab's unique particle accelerator, known as the Continuous Electron Beam Accelerator Facility (CEBAF). For more information visit https://www.jlab.org/
The periodic table at the LANL (Los Alamos National Laboratory) contains basic element information together with the history, source, properties, use, handling and more. The provenance data may be found from the link under the source name.
The periodic table contains NIST's critically-evaluated data on atomic properties of the elements. The provenance data that include data for atomic spectroscopy, X-ray and gamma ray, radiation dosimetry, nuclear physics, and condensed matter physics may be found from the link under the source name. Ref: https://www.nist.gov/pml/atomic-spectra-database
This section provides all form of data related to element Gallium.
The element property data was retrieved from publications.