Silicon বনাম Phosphorus
পারমাণবিক গঠন ও ভৌত ধর্মের ভিত্তিতে Silicon (Si, মৌল 14) এবং Phosphorus (P, মৌল 15)-এর পাশাপাশি তুলনা।
| ধর্ম | Si Silicon | P Phosphorus |
|---|---|---|
| পারমাণবিক সংখ্যা | 14 | 15 |
| প্রতীক | Si | P |
| নাম | Silicon | Phosphorus |
| শ্রেণি | metalloid | nonmetal |
| প্রমিত পারমাণবিক ওজন | 28.085 u | 30.973762 u |
| পর্যায় | 3 | 3 |
| গোষ্ঠী | 14 | 15 |
| ব্লক | p | p |
| STP-তে দশা | কঠিন | কঠিন |
| ইলেকট্রন বিন্যাস | [Ne]3s23p2 | [Ne]3s23p3 |
| জারণ অবস্থা | [-4, -3, -2, -1, 0, 1, 2, 3, 4] | [-3, -2, -1, 0, 1, 2, 3, 4, 5] |
| তড়িৎঋণাত্মকতা (পাউলিং) | 1.9 | 2.19 |
| ইলেকট্রন আসক্তি | 1.385 eV | 0.7466 eV |
| ঘনত্ব | 2329.6 kg/m³ | 1820 kg/m³ |
| গলনাঙ্ক | 1413.85 °C | 44.15 °C |
| স্ফুটনাঙ্ক | 3264.85 °C | 280.5 °C |
| আবিষ্কারের বছর | 1824 | 1669 |
প্রধান পার্থক্য
| ধর্ম | Si Silicon | P Phosphorus |
|---|---|---|
| প্রমিত পারমাণবিক ওজন | 28.085 u ↓ কম | 30.973762 u ↑ বেশি |
| ঘনত্ব | 2329.6 kg/m³ ↑ বেশি | 1820 kg/m³ ↓ কম |
| গলনাঙ্ক | 1413.85 °C ↑ বেশি | 44.15 °C ↓ কম |
| স্ফুটনাঙ্ক | 3264.85 °C ↑ বেশি | 280.5 °C ↓ কম |
| তড়িৎঋণাত্মকতা (পাউলিং) | 1.9 ↓ কম | 2.19 ↑ বেশি |
| ইলেকট্রন আসক্তি | 1.385 eV ↑ বেশি | 0.7466 eV ↓ কম |
| গোষ্ঠী | 14 | 15 |
| শ্রেণি | metalloid | nonmetal |
| ইলেকট্রন বিন্যাস | [Ne]3s23p2 | [Ne]3s23p3 |
| আবিষ্কারের বছর | 1824 | 1669 |