Hydrogen বনাম Silicon
পারমাণবিক গঠন ও ভৌত ধর্মের ভিত্তিতে Hydrogen (H, মৌল 1) এবং Silicon (Si, মৌল 14)-এর পাশাপাশি তুলনা।
| ধর্ম | H Hydrogen | Si Silicon |
|---|---|---|
| পারমাণবিক সংখ্যা | 1 | 14 |
| প্রতীক | H | Si |
| নাম | Hydrogen | Silicon |
| শ্রেণি | nonmetal | metalloid |
| প্রমিত পারমাণবিক ওজন | 1.007975 u | 28.085 u |
| পর্যায় | 1 | 3 |
| গোষ্ঠী | 1 | 14 |
| ব্লক | s | p |
| STP-তে দশা | গ্যাস | কঠিন |
| ইলেকট্রন বিন্যাস | 1s1 | [Ne]3s23p2 |
| জারণ অবস্থা | [-1, 1] | [-4, -3, -2, -1, 0, 1, 2, 3, 4] |
| তড়িৎঋণাত্মকতা (পাউলিং) | 2.2 | 1.9 |
| ইলেকট্রন আসক্তি | 0.75419 eV | 1.385 eV |
| ঘনত্ব | 0.08988 kg/m³ | 2329.6 kg/m³ |
| গলনাঙ্ক | -259.193 °C | 1413.85 °C |
| স্ফুটনাঙ্ক | -252.781 °C | 3264.85 °C |
| আবিষ্কারের বছর | 1766 | 1824 |
প্রধান পার্থক্য
| ধর্ম | H Hydrogen | Si Silicon |
|---|---|---|
| প্রমিত পারমাণবিক ওজন | 1.007975 u ↓ কম | 28.085 u ↑ বেশি |
| ঘনত্ব | 0.08988 kg/m³ ↓ কম | 2329.6 kg/m³ ↑ বেশি |
| গলনাঙ্ক | -259.193 °C ↓ কম | 1413.85 °C ↑ বেশি |
| স্ফুটনাঙ্ক | -252.781 °C ↓ কম | 3264.85 °C ↑ বেশি |
| তড়িৎঋণাত্মকতা (পাউলিং) | 2.2 ↑ বেশি | 1.9 ↓ কম |
| ইলেকট্রন আসক্তি | 0.75419 eV ↓ কম | 1.385 eV ↑ বেশি |
| পর্যায় | 1 | 3 |
| গোষ্ঠী | 1 | 14 |
| ব্লক | s | p |
| শ্রেণি | nonmetal | metalloid |
| STP-তে দশা | গ্যাস | কঠিন |
| ইলেকট্রন বিন্যাস | 1s1 | [Ne]3s23p2 |
| আবিষ্কারের বছর | 1766 | 1824 |