Boron (B)
metalloidSolid
Стандартна відносна атомна маса
10,81 u [10,806, 10,821]Електронна конфігурація
[He] 2s2 2p1Температура плавлення
2074,85 °CТемпература кипіння
3999,85 °CГустина
2370 kg/m³Ступені окиснення
−5, −1, 0, +1, +2, +3Електронегативність (за Полінгом)
2,04Енергія йонізації (1-ша)
8,298019 eVРік відкриття
1808Атомний радіус
85 pmВідомості
Boron is a light metalloid in group 13, notable for electron-deficient bonding and a rich cluster chemistry. It occurs naturally only in compounds, mainly as borates in evaporite minerals and brines. Elemental boron is difficult to prepare in high purity and has several allotropes built from B₁₂ icosahedra. Technologically, boron is most important through borate minerals, borosilicate glass, detergents, ceramics, fertilizers, and neutron-absorbing materials.
An element of group 13 of the periodic table. There are two allotropes, amorphous boron is a brown power, but metallic boron is black. The metallic form is hard (9.3 on Mohs' scale) and a bad conductor in room temperatures. It is never found free in nature. Boron-10 is used in nuclear reactor control rods and shields. It was discovered in 1808 by Sir Humphry Davy and by J.L. Gay-Lussac and L.J. Thenard.
The name derives from the Arabic buraq for "white". Although its compounds were known for thousands of years, it was not isolated until 1808 by the French chemists Louis-Joseph Gay-Lussac and Louis-Jacques Thenard.
Boron was discovered by Joseph-Louis Gay-Lussac and Louis-Jaques Thénard, French chemists, and independently by Sir Humphry Davy, an English chemist, in 1808. They all isolated boron by combining boric acid (H3BO3) with potassium. Today, boron is obtained by heating borax (Na2B4O7·10H2O) with carbon, although other methods are used if high-purity boron is required.
From the Arabic word Buraq, Persian Burah. Boron compounds have been known for thousands of years, but the element was not discovered until 1808 by Sir Humphry Davy and by Gay-Lussac and Thenard.
Pure boron is usually encountered as a dark brown to black, hard, brittle solid with a semiconducting character. Amorphous boron is a powder, while crystalline allotropes have a dark, lustrous appearance; their properties depend strongly on purity and structure.
Most boron use is in compounds rather than the free element. Borates are used in glass fiber insulation, borosilicate glass, enamels, ceramics, detergents, flame retardants, and micronutrient fertilizers. Boron carbide, B₄C, is used in armor, abrasives, and control rods because it is very hard and absorbs neutrons. Elemental boron is used in small amounts in specialty alloys, pyrotechnic compositions, and semiconductor work. The isotope ¹⁰B is important in neutron detection, reactor control, and boron neutron capture therapy research and applications.
Boron is used in pyrotechnics and flares to produce a green color. Boron has also been used in some rockets as an ignition source. Boron-10, one of the naturally occurring isotopes of boron, is a good absorber of neutrons and is used in the control rods of nuclear reactors, as a radiation shield and as a neutron detector. Boron filaments are used in the aerospace industry because of their high-strength and lightweight.
Boron forms several commercially important compounds. The most important boron compound is sodium borate pentahydrate (Na2B4O7·5H2O). Large amounts of this compound are used in the manufacture of fiberglass insulation and sodium perborate bleach. The second most important compound is boric acid (H3BO3), which is used to manufacture textile fiberglass and is used in cellulose insulation as a flame retardant. Sodium borate decahydrate (Na2B4O7·10H2O), better known as borax, is the third most important boron compound. Borax is used in laundry products and as a mild antiseptic. Borax is also a key ingredient in a substance known as Oobleck, a strange material 6th grade students experiment with while participating in Jefferson Lab's BEAMS program. Other boron compounds are used to make borosilicate glasses, enamels for covering steel and as a potential medicine for treating arthritis.
Amorphous boron is used in pyrotechnic flares to provide a distinctive green color, and in rockets as an igniter.
By far the most commercially important boron compound in terms of dollar sales is Na2B4O7 • 5H2O. This pentahydrate is used in very large quantities in the manufacture of insulation fiberglass and sodium perborate bleach.
Boric acid is also an important boron compound with major markets in textile products. Use of borax as a mild antiseptic is minor in economical terms. Boron compounds are also extensively used in the manufacture of borosilicate glasses. Other boron compounds show promise in treating arthritis.
The isotope boron-10 is used as a control for nuclear reactors, as a shield for nuclear radiation, and in instruments used for detecting neutrons. Boron nitride has remarkable properties and can be used to make a material as hard as diamond. The nitride also behaves like an electrical insulator but conducts heat like a metal.
Boron also has lubricating properties similar to graphite. The hydrides are easily oxidized with considerable energy liberation, and have been studied for use as rocket fuels. Demand is increasing for boron filaments, a high-strength, lightweight material chiefly employed for advanced aerospace structures.
Boron is similar to carbon in that it has a capacity to form stable covalently bonded molecular networks. Carbonates, metalloboranes, phosphacarboranes, and other families comprise thousands of compounds.
Isotopes in Earth/Planetary Science
Molecules, atoms, and ions of the stable isotopes of boron possess slightly different physical and chemical properties, and they commonly will be fractionated during physical, chemical, and biological processes, giving rise to variations in isotopic abundances and in atomic weights. Natural terrestrial materials show a substantial variation in boron isotopic abundance (Fig. IUPAC.5.1). The relative abundances of 10B and 11B have been used in a variety of environmental tracer applications [51] A. Vengosh, K. G. Heumann, S. Jaraske, R. Kasher. Environ. Sci. Technol.28, 1968 (1994)., [52] A. Vengosh. Biol. Trace Elem. Res.66, 145 (1998).. The isotope-amount ratio n(11B)/n(10B) of boron in a water sample depends on the source of the water and region through which the water flows, and it may also be affected by some types of contamination, such as dissolved borate in domestic wastewater. Different water sources may have their own distinct boron isotopic composition, e.g. seawater versus water from continental sources (Fig. IUPAC.5.1).
Isotopes in Industry
The large value of the absorption cross section of 10B for thermal neutrons makes this isotope useful for counting neutrons. 10B is being studied as a potential replacement for 3He in radiation detectors [32] G. V. Jean. Advancing Hidden Nuclear Material Detection, National Defense Industrial Association (2014), Feb. 28; http://www.nationaldefensemagazine.org/archive/2010/December/Pages/AdvancingHiddenNuclearMaterialDetection.aspx., [53] L. Foulke. Director of Nuclear Education Outreach, University of Pittsburgh. Introduction to Reactivity and Reactor Control, IAEA Workshop on Desktop Simulation (2014), Feb. 22; http://www.iaea.org/NuclearPower/Downloadable/Meetings/2011/2011-10-03-10-14-WS-NPTD/Foulke.1-Introduction.Reactivity.pdf., [54] P. Frame. Boron Trifluoride (BF3) Neutron Detectors, Oak Ridge Associated Universities (2014), Feb. 22; http://www.orau.org/PTP/collection/proportional%20counters/bf3info.htm.. The large thermal absorption cross section of 10B makes the isotope useful in control rods (Fig. IUPAC.5.2) [55] United States Nuclear Regulatory Commission. Pressurized Water Reactors, U.S. Nuclear Regulatory Commission (2014), Feb. 22; http://www.nrc.gov/reactors/pwrs.html..
Isotopes in Medicine
10B has a high thermal neutron absorption cross section and can readily absorb neutrons via the reaction 10B+n→ 7Li+α. The alpha particles resulting from this reaction carry away a relatively large kinetic energy and are useful for the treatment of malignant tumors in cancer patients [56] D. Gabel. Radiother Oncol.30, 199 (1994)., [57] D. N. Slatkin. Neutron News1, 25 (1990)., [58] R. F. Barth, J. A. Coderre, M. C. G. Vicente, T. E. Blue. Clin. Cancer Res.11, 3987 (2005)..
Boron commonly shows the +3 oxidation state, but its bonding is often better described by electron-deficient multicenter structures. Boric acid, H₃BO₃, is a weak Lewis acid in water and a precursor to many borates. Borax, Na₂B₄O₇·10H₂O, is a major industrial borate. Boron trioxide, B₂O₃, is a glass-forming oxide. Boron trifluoride, BF₃, is a strong Lewis acid used in synthesis, while diborane, B₂H₆, illustrates boron hydride cluster chemistry. Boron nitride, BN, occurs in graphite-like and diamond-like forms with useful thermal and mechanical properties.
See more information at the Boron compound page.
Elemental boron is not highly toxic in compact form, but fine powders can irritate eyes, skin, and the respiratory tract and may be combustible under some conditions. Soluble borates and boric acid, H₃BO₃, can be harmful at sufficient dose, especially with repeated or high exposure. Boron trifluoride, BF₃, and diborane, B₂H₆, are far more hazardous: the former is corrosive and toxic, and the latter is toxic and flammable. Neutron-absorbing ¹⁰B is stable and is not itself radioactive.
Elemental boron and the borates are not considered to be toxic, and they do not require special care in handling. However, some of the more exotic boron hydrogen compounds are definitely toxic and do require care.
Boron is a natural trace element in rocks, soils, seawater, geothermal waters, and evaporite deposits. Weathering releases borate species that are mobile in water, especially under neutral to alkaline conditions. It is an essential micronutrient for higher plants, but the margin between deficiency and toxicity can be narrow in sensitive crops. Natural and industrial sources include volcanic emissions, seawater aerosols, mining, glass manufacture, detergents, and irrigation return flows.
Boron is supplied almost entirely from borate minerals and boron-rich brines, not from mining elemental boron. Major commercial materials include borax, kernite, ulexite, and colemanite, which are refined into boric acid, H₃BO₃, borax, Na₂B₄O₇·10H₂O, and other borates. Demand is led by glass, fiberglass, ceramics, detergents, agriculture, and specialty chemical uses. High-purity elemental boron and isotopically enriched ¹⁰B are much smaller specialty markets, with enrichment adding significant cost. Recycling is limited because boron is often dispersed in glass, ceramics, or formulations.
The element is not found free in nature, but occurs as orthoboric acid usually found in certain volcanic spring waters and as borates in boron and colemantie.
Important sources of boron are ore rasorite (kernite) and tincal (borax ore). Both of these ores are found in the Mojave Desert. Tincal is the most important source of boron from the Mojave. Extensive borax deposits are also found in Turkey.
Boron exists naturally as 19.78% 10B isotope and 80.22% 11B isotope. High-purity crystalline boron may be prepared by the vapor phase reduction of boron trichloride or tribromide with hydrogen on electrically heated filaments. The impure or amorphous, boron, a brownish-black powder, can be obtained by heating the trioxide with magnesium powder.
Boron of 99.9999% purity has been produced and is available commercially. Elemental boron has an energy band gap of 1.50 to 1.56 eV, which is higher than that of either silicon or germanium.
Boron is rare in the universe compared with neighboring light elements. It is not made efficiently by ordinary stellar fusion and is readily destroyed at stellar interior temperatures. Most cosmic boron is attributed to spallation reactions in which cosmic rays fragment heavier nuclei such as carbon, nitrogen, and oxygen. In the Solar System it is concentrated mainly in crustal and evaporitic materials rather than metallic or volatile reservoirs.
- Natural boron is mainly a mixture of ¹⁰B and ¹¹B.
- The large neutron-capture cross section of ¹⁰B gives boron unusual nuclear importance for a light element.
- Many crystalline boron structures are based on B₁₂ icosahedra rather than simple close packing.
- Boron deficiency and boron toxicity can both occur in agriculture.
- Borosilicate glass resists thermal shock partly because boron lowers thermal expansion.
- Boron carbide, B₄C, is one of the hardest widely used ceramic materials.
Зображення
Властивості
Фізичні
- Атомний радіус (емпіричний)
- 85 pm Порівняти Атомний радіус (емпіричний) усіх елементів →
- Ковалентний радіус
- 84 pm Порівняти Ковалентний радіус усіх елементів →
- Радіус ван дер Ваальса
- 192 pm Порівняти Радіус ван дер Ваальса усіх елементів →
- Металічний радіус
- 80 pm Порівняти Металічний радіус усіх елементів →
- Густина
- 2370 kg/m³ Порівняти Густина усіх елементів →
- Молярний об’єм
- 0,0046 L/mol
- Фаза за стандартних температури й тиску
- Твердий стан Порівняти Фаза за стандартних температури й тиску усіх елементів →
- Температура плавлення
- 2074,85 °C Порівняти Температура плавлення усіх елементів →
- Температура кипіння
- 3999,85 °C Порівняти Температура кипіння усіх елементів →
- Теплопровідність
- 27,4 Вт/(м·K) Порівняти Теплопровідність усіх елементів →
- Питома теплоємність
- 1,026 Дж/(г·K) Порівняти Питома теплоємність усіх елементів →
- Молярна теплоємність
- 11,087 Дж/(моль·K) Порівняти Молярна теплоємність усіх елементів →
- Кристалічна структура
- Тетрагональна Порівняти Кристалічна структура усіх елементів →
Хімічні
- Електронегативність (за Полінгом)
- 2,04 Порівняти Електронегативність (за Полінгом) усіх елементів →
- Електронегативність (за Алленом)
- 2,051
- Спорідненість до електрона
- 0,27972 eV
- Енергія йонізації (1-ша)
- 8,298019 eV Порівняти Енергія йонізації (1-ша) усіх елементів →
- Енергія йонізації (2-га)
- 25,154917 eV Порівняти Енергія йонізації (2-га) усіх елементів →
- Енергія йонізації (3-тя)
- 37,930721 eV Порівняти Енергія йонізації (3-тя) усіх елементів →
- Енергія йонізації (4-та)
- 259,375272 eV Порівняти Енергія йонізації (4-та) усіх елементів →
- Енергія йонізації (5-та)
- 340,227194 eV Порівняти Енергія йонізації (5-та) усіх елементів →
- Ступені окиснення
- −5, −1, 0, +1, +2, +3 Порівняти Ступені окиснення усіх елементів →
- Валентні електрони
- 3 Порівняти Валентні електрони усіх елементів →
- Електронна конфігурація
- [He] 2s2 2p1
Термодинамічні
- Теплота плавлення
- 0,52028813 eV Порівняти Теплота плавлення усіх елементів →
- Теплота випаровування
- 4,974867 eV Порівняти Теплота випаровування усіх елементів →
- Теплота сублімації
- 5,855833 eV
- Теплота атомізації
- 5,855833 eV
- Ентальпія атомізації
- 5,855833 eV
Ядерні
- Протони
- 5 Порівняти Протони усіх елементів →
- Нейтрони
- 6 Порівняти Нейтрони усіх елементів →
- Відомі ізотопи
- 16 Порівняти Відомі ізотопи усіх елементів →
- Стабільні ізотопи
- 2 Порівняти Стабільні ізотопи усіх елементів →
- Найстабільніший ізотоп
- B-11
- Рік відкриття
- 1808
Поширеність
- Вміст (земна кора)
- 10 мг/кг Порівняти Вміст (земна кора) усіх елементів →
- Вміст (океан)
- 4,44 мг/л Порівняти Вміст (океан) усіх елементів →
Кристалічна структура
- Стала ґратки a
- 873 pm
Електронна будова
- Електрони за оболонками
- 2, 3 Порівняти Електрони за оболонками усіх елементів →
Ідентифікатори
- Номер CAS
- 7440-42-8 Порівняти Номер CAS усіх елементів →
- Символ терма
- 2P°1/2
- InChI
- InChI=1S/B
- Ключ InChI
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N
Електронна конфігурація Виміряно
B: 2s² 2p¹[He] 2s² 2p¹1s² 2s² 2p¹Модель атома
Ізотопи відрізняються кількістю нейтронів, масою та стабільністю, але не електронною конфігурацією нейтрального атома.
Схематична модель атома, без дотримання масштабу.
Атомний відбиток
Спектр випромінювання / поглинання
Ізотопний розподіл
| Масове число | Атомна маса (u) | Природний вміст | Період напіврозпаду |
|---|---|---|---|
| 10 Стабільний | 10,01293695 ± 0,00000041 | 19,9000% | Стабільний |
| 11 Стабільний | 11,00930536 ± 0,00000045 | 80,1000% | Стабільний |
Фаза / стан
Причина: на 2049,8 °C нижче температури плавлення (2074,85 °C)
Схематично, без дотримання масштабу
Точки фазових переходів
Енергії переходів
Енергія, необхідна для плавлення 1 моль за температури плавлення
Енергія, необхідна для випаровування 1 моль за температури кипіння
Енергія, необхідна для сублімації 1 моль за температури сублімації
Густина
За стандартних умов
За стандартних умов
Атомні спектри
Наявні дані про лінії ?
| Йон | Заряд | Загальна кількість ліній | Імовірності переходів | Позначення рівнів |
|---|---|---|---|---|
| B I | 0 | 371 | 269 | 371 |
| 11B I Ізотоп | 0 | 53 | 0 | 53 |
| 10B I Ізотоп | 0 | 11 | 0 | 11 |
| B II | +1 | 592 | 435 | 592 |
| 10B II Ізотоп | +1 | 9 | 0 | 9 |
| 11B II Ізотоп | +1 | 9 | 0 | 9 |
| B III | +2 | 390 | 106 | 390 |
| B IV | +3 | 478 | 234 | 478 |
| B V | +4 | 258 | 240 | 258 |
Наявні дані про рівні ?
| Йон | Заряд | Рівні |
|---|---|---|
| B I | 0 | 125 |
| 11B I Ізотоп | 0 | 69 |
| 10B I Ізотоп | 0 | 29 |
| B II | +1 | 157 |
| 10B II Ізотоп | +1 | 10 |
| 11B II Ізотоп | +1 | 10 |
| B III | +2 | 150 |
| B IV | +3 | 174 |
| B V | +4 | 101 |
Йонні радіуси
| Заряд | Координація | Спін | Радіус |
|---|---|---|---|
| +3 | 3 | Немає даних | 1 пм |
| +3 | 4 | Немає даних | 11 пм |
| +3 | 6 | Немає даних | 27 пм |
Сполуки
Ізотопи (2)
| Масове число | Атомна маса (u) | Природний вміст | Період напіврозпаду | Тип розпаду | |
|---|---|---|---|---|---|
| 10 Стабільний | 10,01293695 ± 0,00000041 | 19,9000% ± 0,7000% | Стабільний | stable | |
| 11 Стабільний | 11,00930536 ± 0,00000045 | 80,1000% ± 0,7000% | Стабільний | stable |
Спектральні лінії
| Довжина хвилі (нм) | Інтенсивність | Ступінь йонізації | Тип | Перехід | Точність | Джерело | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 391.482 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.2p 1P* → 1s2.2p2 3P | Виміряно | NIST | |
| 391.687 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.2p 1P* → 1s2.2p2 3P | Виміряно | NIST | |
| 391.817 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.2p 1P* → 1s2.2p2 3P | Виміряно | NIST | |
| 394.447 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2p.3d 3F* → 1s2.2p.4f 3F | Виміряно | NIST | |
| 394.587 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2p.3d 3F* → 1s2.2p.4f 3F | Виміряно | NIST | |
| 394.82 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2p.3d 3F* → 1s2.2p.4f 3F | Виміряно | NIST | |
| 395.038 нм | 18 | B II | emission | 1s2.2p.3d 1D* → 1s2.2p.4f 1F | Виміряно | NIST | |
| 395.1698 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2p2 1D → 1s2.2p2 1S | Виміряно | NIST | |
| 399.024 нм | 70 | B II | emission | 1s2.2s.4p 1P* → 1s2.2s.8d 1D | Виміряно | NIST | |
| 400.017 нм | 136 | B III | emission | 1s.2s.(3S).4d 4D → 1s.2s.(3S).5f 4F* | Виміряно | NIST | |
| 412.1928 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.3d 3D → 1s2.2s.4f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 412.1928 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.3d 3D → 1s2.2s.4f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 412.1928 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.3d 3D → 1s2.2s.4f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 412.1928 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.3d 3D → 1s2.2s.4f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 412.1928 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.3d 3D → 1s2.2s.4f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 412.1928 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.3d 3D → 1s2.2s.4f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 414.697 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.5d 2D → 1s2.8f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 414.708 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.5d 2D → 1s2.8f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 414.708 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.5d 2D → 1s2.8f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 415.284 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4p 3P* → 1s2.2p.3p 3P | Виміряно | NIST | |
| 415.284 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4p 3P* → 1s2.2p.3p 3P | Виміряно | NIST | |
| 415.471 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4p 3P* → 1s2.2p.3p 3P | Виміряно | NIST | |
| 415.471 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4p 3P* → 1s2.2p.3p 3P | Виміряно | NIST | |
| 415.471 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4p 3P* → 1s2.2p.3p 3P | Виміряно | NIST | |
| 415.584 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4p 3P* → 1s2.2p.3p 3P | Виміряно | NIST | |
| 417.896 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s.2p2 2P | Виміряно | NIST | |
| 417.927 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s.2p2 2P | Виміряно | NIST | |
| 418.099 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s.2p2 2P | Виміряно | NIST | |
| 418.13 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s.2p2 2P | Виміряно | NIST | |
| 419.4792 нм | 180 | B II | emission | 1s2.2s.3p 1P* → 1s2.2s.4s 1S | Виміряно | NIST | |
| 419.773 нм | 30 | B IV | emission | 1s.5s 3S → 1s.6p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 424.3 нм | 300 | B III | emission | 1s2.4p 2P* → 1s2.5d 2D | Виміряно | NIST | |
| 424.359 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.4p 2P* → 1s2.5d 2D | Виміряно | NIST | |
| 424.37 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.4p 2P* → 1s2.5d 2D | Виміряно | NIST | |
| 427.274 нм | 50 | B II | emission | 1s2.2s.4s 3S → 1s2.2s.6p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 429.571 нм | 50 | B II | emission | 1s2.2s.4p 1P* → 1s2.2s.7d 1D | Виміряно | NIST | |
| 436.147 нм | 60 | B III | emission | 1s.2p.(3P*).4f 2F → 1s.2p.(3P*).5g 2G* | Виміряно | NIST | |
| 436.61 нм | 100 | B III | emission | 1s.2p.(3P*).4f 4F → 1s.2p.(3P*).5g 4G* | Виміряно | NIST | |
| 443.11 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2p.3d 3D* → 1s2.2p.4f 3F | Виміряно | NIST | |
| 443.185 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2p.3d 3D* → 1s2.2p.4f 3F | Виміряно | NIST | |
| 443.291 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2p.3d 3D* → 1s2.2p.4f 3F | Виміряно | NIST | |
| 445.943 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5p 3P* → 1s.6d 3D | Виміряно | NIST | |
| 445.943 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5p 3P* → 1s.6d 3D | Виміряно | NIST | |
| 445.943 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5p 3P* → 1s.6d 3D | Виміряно | NIST | |
| 447.112 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.5s 2S → 1s2.7p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 447.112 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.5s 2S → 1s2.7p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 447.2029 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.3p 3P* → 1s2.2s.4s 3S | Виміряно | NIST | |
| 447.2151 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.3p 3P* → 1s2.2s.4s 3S | Виміряно | NIST | |
| 447.2862 нм | 470 | B II | emission | 1s2.2s.3p 3P* → 1s2.2s.4s 3S | Виміряно | NIST | |
| 448.692 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.4d 2D → 1s2.5f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 448.71 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.4d 2D → 1s2.5f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 449.09 нм | 20 | B IV | emission | 1s.2s 1S → 1s.2p 1P* | Виміряно | NIST | |
| 449.773 нм | 1700 | B III | emission | 1s2.4f 2F* → 1s2.5g 2G | Виміряно | NIST | |
| 449.853 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.4f 2F* → 1s2.5f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 449.859 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.4f 2F* → 1s2.5f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 450.481 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.4f 2F* → 1s2.5d 2D | Виміряно | NIST | |
| 450.482 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.4f 2F* → 1s2.5d 2D | Виміряно | NIST | |
| 451.9912773 нм | Немає даних | B V | emission | 7i 2I → 9k 2K* | Виміряно | NIST | |
| 451.9946377 нм | Немає даних | B V | emission | 7i 2I → 9k 2K* | Виміряно | NIST | |
| 453.229 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4f 1F* → 1s2.2p.3p 1D | Виміряно | NIST | |
| 459.72 нм | Немає даних | B III | emission | 1s.2s.(3S).4d 4D → 1s.2s.(3S).5p 4P* | Виміряно | NIST | |
| 459.73 нм | Немає даних | B III | emission | 1s.2p.(3P*).4p 4P → 1s.2p.(3P*).5s 4P* | Виміряно | NIST | |
| 461.114 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4p 3P* → 1s2.2p.3p 3S | Виміряно | NIST | |
| 461.114 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4p 3P* → 1s2.2p.3p 3S | Виміряно | NIST | |
| 461.114 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4p 3P* → 1s2.2p.3p 3S | Виміряно | NIST | |
| 461.32 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5d 3D → 1s.6p 1P* | Виміряно | NIST | |
| 463.217 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.4d 2D → 1s2.5p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 463.243 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.4d 2D → 1s2.5p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 463.263 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.4d 2D → 1s2.5p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 464.69 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5d 3D → 1s.6f 1F* | Виміряно | NIST | |
| 464.69 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5d 3D → 1s.6f 1F* | Виміряно | NIST | |
| 464.701 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5d 3D → 1s.6f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 464.701 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5d 3D → 1s.6f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 464.701 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5d 3D → 1s.6f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 464.701 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5d 3D → 1s.6f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 464.701 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5d 3D → 1s.6f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 464.701 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5d 3D → 1s.6f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 465.58 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5d 1D → 1s.6f 1F* | Виміряно | NIST | |
| 465.786 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5f 3F* → 1s.6g 3G | Виміряно | NIST | |
| 465.786 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5f 3F* → 1s.6g 3G | Виміряно | NIST | |
| 465.786 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5f 3F* → 1s.6g 3G | Виміряно | NIST | |
| 465.8 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5f 1F* → 1s.6g 3G | Виміряно | NIST | |
| 465.815 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5g 3G → 1s.6h 3H* | Виміряно | NIST | |
| 465.815 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5g 3G → 1s.6h 3H* | Виміряно | NIST | |
| 465.815 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5g 3G → 1s.6h 3H* | Виміряно | NIST | |
| 465.815 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5g 1G → 1s.6h 3H* | Виміряно | NIST | |
| 465.92 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5g 1G → 1s.6f 1F* | Виміряно | NIST | |
| 465.92 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5g 3G → 1s.6f 1F* | Виміряно | NIST | |
| 465.92 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5g 3G → 1s.6f 1F* | Виміряно | NIST | |
| 465.927 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5g 3G → 1s.6f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 465.927 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5g 3G → 1s.6f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 465.927 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5g 3G → 1s.6f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 465.927 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5g 1G → 1s.6f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 468.31 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5p 1P* → 1s.6p 1P* | Виміряно | NIST | |
| 468.481 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.6g 3G → 1s.8h 3H* | Виміряно | NIST | |
| 468.489 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.6f 3F* → 1s.8g 3G | Виміряно | NIST | |
| 468.489 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.6f 3F* → 1s.8g 3G | Виміряно | NIST | |
| 468.489 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.6f 3F* → 1s.8g 3G | Виміряно | NIST | |
| 468.5 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.6h 3H* → 1s.8i 3I | Виміряно | NIST | |
| 471.612 нм | 15 | B II | emission | 1s2.2p.3d 1D* → 1s2.2p.4p 1P | Виміряно | NIST | |
| 471.99 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5p 1P* → 1s.6d 1D | Виміряно | NIST | |
| 477.384 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5d 3D → 1s.6p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 477.384 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5d 3D → 1s.6p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 477.384 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5d 3D → 1s.6p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 478.42 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.3d 3D → 1s2.2s.4p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 478.42 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.3d 3D → 1s2.2s.4p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 478.4203 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.3d 3D → 1s2.2s.4p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 478.4203 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.3d 3D → 1s2.2s.4p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 478.4203 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.3d 3D → 1s2.2s.4p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 478.4203 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.3d 3D → 1s2.2s.4p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 481.276 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5p 3P* → 1s.6s 3S | Виміряно | NIST | |
| 481.276 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5p 3P* → 1s.6s 3S | Виміряно | NIST | |
| 481.276 нм | Немає даних | B IV | emission | 1s.5p 3P* → 1s.6s 3S | Виміряно | NIST | |
| 491.746 нм | 500 | B III | emission | 1s2.4p 2P* → 1s2.5s 2S | Виміряно | NIST | |
| 491.84 нм | 500 | B III | emission | 1s2.4p 2P* → 1s2.5s 2S | Виміряно | NIST | |
| 494.0365 нм | 440 | B II | emission | 1s2.2s.3d 1D → 1s2.2s.4f 1F* | Виміряно | NIST | |
| 494.4788284 нм | Немає даних | B V | emission | 6h 2H* → 7i 2I | Виміряно | NIST | |
| 494.4864305 нм | Немає даних | B V | emission | 6h 2H* → 7i 2I | Виміряно | NIST | |
| 498.848 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.5p 2P* → 1s2.7d 2D | Виміряно | NIST | |
| 498.901 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.5p 2P* → 1s2.7d 2D | Виміряно | NIST | |
| 512.579 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4d 3D → 1s2.2s.7f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 512.579 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4d 3D → 1s2.2s.7f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 512.579 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4d 3D → 1s2.2s.7f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 515.776 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.5d 2D → 1s2.7f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 515.793 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.5d 2D → 1s2.7f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 516.57 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.5f 2F* → 1s2.7g 2G | Виміряно | NIST | |
| 516.579 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.5f 2F* → 1s2.7g 2G | Виміряно | NIST | |
| 522.65 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.5d 2D → 1s2.7p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 522.65 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.5d 2D → 1s2.7p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 522.667 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.5d 2D → 1s2.7p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 526.311 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4f 3F* → 1s2.2s.7g 3G | Виміряно | NIST | |
| 526.311 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4f 3F* → 1s2.2s.7g 3G | Виміряно | NIST | |
| 526.311 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4f 3F* → 1s2.2s.7g 3G | Виміряно | NIST | |
| 529.28 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.5p 2P* → 1s2.7s 2S | Виміряно | NIST | |
| 529.34 нм | Немає даних | B III | emission | 1s2.5p 2P* → 1s2.7s 2S | Виміряно | NIST | |
| 534.765 нм | 15 | B II | emission | 1s2.2s.4s 1S → 1s2.2p.3s 1P* | Виміряно | NIST | |
| 539.322 нм | 30 | B II | emission | 1s2.2s.4p 1P* → 1s2.2p.3p 1P | Виміряно | NIST | |
| 550.4527 нм | Немає даних | B I | emission | 2s.2p2 2D → 2s2.11f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 550.4622 нм | Немає даних | B I | emission | 2s.2p2 2D → 2s2.11f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 556.3146 нм | Немає даних | B I | emission | 2s.2p2 2D → 2s2.10f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 556.3244 нм | Немає даних | B I | emission | 2s.2p2 2D → 2s2.10f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 563.30717 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3s 2S → 2s2.4p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 563.32732 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3s 2S → 2s2.4p 2P* | Виміряно | NIST | |
| 564.4278 нм | Немає даних | B I | emission | 2s.2p2 2D → 2s2.9f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 564.4379 нм | Немає даних | B I | emission | 2s.2p2 2D → 2s2.9f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 576.1901 нм | Немає даних | B I | emission | 2s.2p2 2D → 2s2.8f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 576.1901 нм | Немає даних | B I | emission | 2s.2p2 2D → 2s2.8f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 576.2006 нм | Немає даних | B I | emission | 2s.2p2 2D → 2s2.8f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 578.747 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4s 3S → 1s2.2s.5p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 578.747 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4s 3S → 1s2.2s.5p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 578.747 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4s 3S → 1s2.2s.5p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 581.833 нм | 60 | B I | emission | 2s.2p2 2P → 2s.2p.(3P*).3d 2D* | Виміряно | NIST | |
| 582.116 нм | 100 | B I | emission | 2s.2p2 2P → 2s.2p.(3P*).3d 2D* | Виміряно | NIST | |
| 582.228 нм | 10 | B I | emission | 2s.2p2 2P → 2s.2p.(3P*).3d 2D* | Виміряно | NIST | |
| 594.2619 нм | Немає даних | B I | emission | 2s.2p2 2D → 2s2.7f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 594.2619 нм | Немає даних | B I | emission | 2s.2p2 2D → 2s2.7f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 594.2731 нм | Немає даних | B I | emission | 2s.2p2 2D → 2s2.7f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 601.35 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4p 3P* → 1s2.2s.6s 3S | Виміряно | NIST | |
| 601.35 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4p 3P* → 1s2.2s.6s 3S | Виміряно | NIST | |
| 601.35 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4p 3P* → 1s2.2s.6s 3S | Виміряно | NIST | |
| 602.772 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s2.8d 2D | Виміряно | NIST | |
| 602.837 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s2.8d 2D | Виміряно | NIST | |
| 602.837 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s2.8d 2D | Виміряно | NIST | |
| 608.039 нм | 85 | B II | emission | 1s2.2p2 1S → 1s2.2s.3p 1P* | Виміряно | NIST | |
| 612.224 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2p2 1S → 1s2.2s.3p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 612.508 нм | 93 | B III | emission | 1s.2s.(3S).3s 4S → 1s.2s.(3S).3p 4P* | Виміряно | NIST | |
| 612.752 нм | Немає даних | B III | emission | 1s.2s.(3S).3s 4S → 1s.2s.(3S).3p 4P* | Виміряно | NIST | |
| 612.797 нм | Немає даних | B III | emission | 1s.2s.(3S).3s 4S → 1s.2s.(3S).3p 4P* | Виміряно | NIST | |
| 614.891 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4d 3D → 1s2.2s.6f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 614.891 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4d 3D → 1s2.2s.6f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 614.891 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4d 3D → 1s2.2s.6f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 614.891 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4d 3D → 1s2.2s.6f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 614.891 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4d 3D → 1s2.2s.6f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 614.891 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4d 3D → 1s2.2s.6f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 617.867 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s2.8s 2S | Виміряно | NIST | |
| 617.936 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s2.8s 2S | Виміряно | NIST | |
| 618.638 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4f 3F* → 1s2.2p.3p 3D | Виміряно | NIST | |
| 618.638 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4f 3F* → 1s2.2p.3p 3D | Виміряно | NIST | |
| 618.638 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4f 3F* → 1s2.2p.3p 3D | Виміряно | NIST | |
| 619.359 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4f 3F* → 1s2.2p.3p 3D | Виміряно | NIST | |
| 619.359 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4f 3F* → 1s2.2p.3p 3D | Виміряно | NIST | |
| 619.735 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4f 3F* → 1s2.2p.3p 3D | Виміряно | NIST | |
| 622.745 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s2.7d 2D | Виміряно | NIST | |
| 622.815 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s2.7d 2D | Виміряно | NIST | |
| 622.815 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s2.7d 2D | Виміряно | NIST | |
| 624.4557 нм | Немає даних | B I | emission | 2s.2p2 2D → 2s2.6f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 624.4557 нм | Немає даних | B I | emission | 2s.2p2 2D → 2s2.6f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 624.4681 нм | Немає даних | B I | emission | 2s.2p2 2D → 2s2.6f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 628.551 нм | 30 | B II | emission | 1s2.2s.3d 1D → 1s2.2s.4p 1P* | Виміряно | NIST | |
| 634.927 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4f 3F* → 1s2.2s.6g 3G | Виміряно | NIST | |
| 634.927 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4f 3F* → 1s2.2s.6g 3G | Виміряно | NIST | |
| 634.927 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4f 3F* → 1s2.2s.6g 3G | Виміряно | NIST | |
| 635.676 нм | 1 | B II | emission | 1s2.2s.4f 1F* → 1s2.2s.6g 1G | Виміряно | NIST | |
| 643.151 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s2.7s 2S | Виміряно | NIST | |
| 643.225 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s2.7s 2S | Виміряно | NIST | |
| 652.056 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4s 3S → 1s2.2p.3s 3P* | Виміряно | NIST | |
| 652.959 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4s 3S → 1s2.2p.3s 3P* | Виміряно | NIST | |
| 653.371 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4s 3S → 1s2.2p.3s 3P* | Виміряно | NIST | |
| 656.269 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s2.6d 2D | Виміряно | NIST | |
| 656.345 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s2.6d 2D | Виміряно | NIST | |
| 656.345 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s2.6d 2D | Виміряно | NIST | |
| 657.112 нм | 0.5 | B II | emission | 1s2.2s.5p 1P* → 1s2.2p.3p 1D | Виміряно | NIST | |
| 671.765 нм | 0.5 | B II | emission | 1s2.2s.4d 1D → 1s2.2s.6f 1F* | Виміряно | NIST | |
| 677.866 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.4p 2P* → 2s.2p2 2P | Виміряно | NIST | |
| 677.895 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.4p 2P* → 2s.2p2 2P | Виміряно | NIST | |
| 678.401 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.4p 2P* → 2s.2p2 2P | Виміряно | NIST | |
| 678.431 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.4p 2P* → 2s.2p2 2P | Виміряно | NIST | |
| 678.614 нм | 0.5 | B II | emission | 1s2.2s.4p 1P* → 1s2.2s.5d 1D | Виміряно | NIST | |
| 681.95167 нм | Немає даних | B I | emission | 2s.2p2 2D → 2s2.5f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 681.95167 нм | Немає даних | B I | emission | 2s.2p2 2D → 2s2.5f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 681.96637 нм | Немає даних | B I | emission | 2s.2p2 2D → 2s2.5f 2F* | Виміряно | NIST | |
| 697.688 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.3s 3S → 1s2.2s.3p 1P* | Виміряно | NIST | |
| 703.027 нм | 4 | B II | emission | 1s2.2s.3s 3S → 1s2.2s.3p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 703.203 нм | 3 | B II | emission | 1s2.2s.3s 3S → 1s2.2s.3p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 703.233 нм | 2 | B II | emission | 1s2.2s.3s 3S → 1s2.2s.3p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 715.955 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2p.3s 3P* → 1s2.2p.3p 3P | Виміряно | NIST | |
| 716.016 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2p.3s 3P* → 1s2.2p.3p 3P | Виміряно | NIST | |
| 716.511 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2p.3s 3P* → 1s2.2p.3p 3P | Виміряно | NIST | |
| 716.846 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2p.3s 3P* → 1s2.2p.3p 3P | Виміряно | NIST | |
| 717.045 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2p.3s 3P* → 1s2.2p.3p 3P | Виміряно | NIST | |
| 717.602 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2p.3s 3P* → 1s2.2p.3p 3P | Виміряно | NIST | |
| 720.593 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s2.5d 2D | Виміряно | NIST | |
| 720.685 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s2.5d 2D | Виміряно | NIST | |
| 720.685 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s2.5d 2D | Виміряно | NIST | |
| 720.766 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s2.6s 2S | Виміряно | NIST | |
| 720.859 нм | Немає даних | B I | emission | 2s2.3p 2P* → 2s2.6s 2S | Виміряно | NIST | |
| 722.85 нм | Немає даних | B II | emission | 1s2.2s.4s 1S → 1s2.2s.5p 1P* | Виміряно | NIST |
Розширені дані про властивості
Ковалентні радіуси (розширені дані)
- Ковалентний радіус (за Пююккьо)
- 85 pm
- Ковалентний радіус (за Пююккьо, подвійний зв’язок)
- 78 pm
- Ковалентний радіус (за Пююккьо, потрійний зв’язок)
- 73 pm
Радіуси ван дер Ваальса
- Truhlar
- 192 pm
- Batsanov
- 180 pm
- Alvarez
- 191 pm
- UFF
- 408,3 pm
- MM3
- 215 pm
- Dreiding
- 402 pm
Атомні та металічні радіуси
- Атомний радіус (за Рамом)
- 205 pm
- Металічний радіус (C12)
- 98 pm
Шкали нумерації
- Mendeleev
- 81
- Pettifor
- 86
- Glawe
- 86
Шкали електронегативності
- Ghosh
- 0
- Miedema
- 5
- Gunnarsson–Lundqvist
- 4
- Robles–Bartolotti
- 4
Поляризовність і дисперсія
- Дипольна поляризовність
- 20,5 a.u.
- Дипольна поляризовність (невизначеність)
- 0,1 a.u.
- C₆
- 99,5 Ha·Bohr6
- C₆ (Gould–Bučko)
- 99,2 Ha·Bohr6
Параметри Мідеми
- Молярний об’єм за Мідемою
- 4,7 cm3/mol
- Електронна густина за Мідемою
- 5
Ризики постачання та економіка
- Концентрація виробництва
- 34
- Відносний ризик постачання
- 5
- Політична стабільність (найбільший виробник)
- 12
- Політична стабільність (країна з найбільшими запасами)
- 12
Фазові переходи та алотропні модифікації
| Температура плавлення | 2350,15 K |
| Температура кипіння | 4273,15 K |
Категорії ступенів окиснення
Розширені довідкові дані
Сталі екранування (3)
| n | Орбіталь | σ |
|---|---|---|
| 1 | s | 0,3205 |
| 2 | p | 2,5786 |
| 2 | s | 2,4238 |
Докладні дані про кристалічні радіуси (3)
| Заряд | CN | Спін | rcrystal (pm) | Походження |
|---|---|---|---|---|
| 3 | III | 15 | ||
| 3 | IV | 25 | ||
| 3 | VI | 41 | calculated, |
Типи розпаду ізотопів (30)
| Ізотоп | Режим | Інтенсивність |
|---|---|---|
| 6 | 2p | — |
| 7 | p | 100% |
| 8 | B+ | 100% |
| 8 | B+A | 100% |
| 9 | p | 100% |
| 12 | B- | 100% |
| 12 | B-A | 0,6% |
| 13 | B- | 100% |
| 13 | B-n | 0,3% |
| 14 | B- | 100% |
Фактори розсіяння рентгенівського випромінювання (502)
| Енергія (eV) | f₁ | f₂ |
|---|---|---|
| 10 | — | 1,48933 |
| 10,1617 | — | 1,48084 |
| 10,3261 | — | 1,4724 |
| 10,4931 | — | 1,46401 |
| 10,6628 | — | 1,45567 |
| 10,8353 | — | 1,44738 |
| 11,0106 | — | 1,43913 |
| 11,1886 | — | 1,43093 |
| 11,3696 | — | 1,42278 |
| 11,5535 | — | 1,41467 |
Додаткові дані
Estimated Crustal Abundance
The estimated element abundance in the earth's crust.
1.0×101 milligrams per kilogram
Джерела (1)
Estimated Oceanic Abundance
The estimated element abundance in the earth's oceans.
4.44 milligrams per liter
Джерела (1)
Sources
Sources of this element.
The element is not found free in nature, but occurs as orthoboric acid usually found in certain volcanic spring waters and as borates in boron and colemantie.
Important sources of boron are ore rasorite (kernite) and tincal (borax ore). Both of these ores are found in the Mojave Desert. Tincal is the most important source of boron from the Mojave. Extensive borax deposits are also found in Turkey.
Boron exists naturally as 19.78% 10B isotope and 80.22% 11B isotope. High-purity crystalline boron may be prepared by the vapor phase reduction of boron trichloride or tribromide with hydrogen on electrically heated filaments. The impure or amorphous, boron, a brownish-black powder, can be obtained by heating the trioxide with magnesium powder.
Boron of 99.9999% purity has been produced and is available commercially. Elemental boron has an energy band gap of 1.50 to 1.56 eV, which is higher than that of either silicon or germanium.
Джерела (1)
- [6] Boron https://periodic.lanl.gov/5.shtml
Джерела
(9)
Data deposited in or computed by PubChem
The half-life and atomic mass data was provided by the Atomic Mass Data Center at the International Atomic Energy Agency.
Element data are cited from the Atomic weights of the elements (an IUPAC Technical Report). The IUPAC periodic table of elements can be found at https://iupac.org/what-we-do/periodic-table-of-elements/. Additional information can be found within IUPAC publication doi:10.1515/pac-2015-0703 Copyright © 2020 International Union of Pure and Applied Chemistry.
The information are cited from Pure Appl. Chem. 2018; 90(12): 1833-2092, https://doi.org/10.1515/pac-2015-0703.
Thomas Jefferson National Accelerator Facility (Jefferson Lab) is one of 17 national laboratories funded by the U.S. Department of Energy. The lab's primary mission is to conduct basic research of the atom's nucleus using the lab's unique particle accelerator, known as the Continuous Electron Beam Accelerator Facility (CEBAF). For more information visit https://www.jlab.org/
The periodic table at the LANL (Los Alamos National Laboratory) contains basic element information together with the history, source, properties, use, handling and more. The provenance data may be found from the link under the source name.
The periodic table contains NIST's critically-evaluated data on atomic properties of the elements. The provenance data that include data for atomic spectroscopy, X-ray and gamma ray, radiation dosimetry, nuclear physics, and condensed matter physics may be found from the link under the source name. Ref: https://www.nist.gov/pml/atomic-spectra-database
This section provides all form of data related to element Boron.
The element property data was retrieved from publications.