Indium (In)
post-transition-metalSolid
Стандартна відносна атомна маса
114,818 uЕлектронна конфігурація
[Kr] 5s2 4d10 5p1Температура плавлення
156,6 °CТемпература кипіння
2071,85 °CГустина
7310 kg/m³Ступені окиснення
−5, −2, −1, 0, +1, +2, +3Електронегативність (за Полінгом)
1,78Енергія йонізації (1-ша)
5,786356 eVРік відкриття
1863Атомний радіус
155 pmВідомості
Indium is a soft, silvery post-transition metal in group 13. It is chemically related to gallium and thallium, but its stable chemistry is dominated by the +3 oxidation state, with +1 compounds also known. The element is rare in Earth's crust and is obtained chiefly as a by-product of zinc refining. Its technological importance is disproportionate to its abundance, especially because transparent conducting indium tin oxide is central to flat-panel displays, touch screens, and other optoelectronic devices.
Indium is available in ultra pure form. Indium is a very soft, silvery-white metal with a brilliant luster. The pure metal gives a high-pitched "cry" when bent. It wets glass, as does gallium.
The name derives from the term "indigo" for the indigo-blue line in the element's spark spectrum. It was discovered in 1863 by the German physicist Ferdinand Reich and the German metallurgist Hieronymus Theodor Richter, while examining zinc blende. They isolated indium in 1867.
Indium was discovered by the German chemists Ferdinand Reich and Hieronymus Theodor Richter in 1863. Reich and Richter had been looking for traces of the element thallium in samples of zinc ores. A brilliant indigo line in the sample's spectrum revealed the existence of indium. Indium is about as abundant as silver but is much easier to recover since it typically occurs along with zinc, iron, lead and copper ores.
From the brilliant indigo line in its spectrum. Discovered by Reich and Richter, who later isolated the metal. Until 1924, a gram or so constituted the world's supply of this element in isolated form. It is probably about as abundant as silver. About 4 million troy ounces of indium are now produced annually in the Free World. Canada is presently producing more than 1,000,000 troy ounces annually.
Pure indium is a very soft, lustrous, silvery-white metal at ordinary conditions. It can be cut with a knife, leaves a mark on paper, and emits a characteristic high-pitched “cry” when bent as its crystals deform. It melts at a relatively low temperature for a metal, about 157 °C.
The largest use of indium is in indium tin oxide, a transparent and electrically conducting oxide coating used on displays, touch panels, solar cells, and low-emissivity glass. Indium metal and indium-rich alloys are used in low-melting solders, fusible alloys, thermal interface materials, and seals that wet glass or ceramics. Indium is also used in compound semiconductors such as indium phosphide and indium gallium arsenide for high-speed electronics, lasers, photodetectors, and some photovoltaic cells.
Indium is used to coat the bearings of high speed motors since it allows for the even distribution of lubricating oil. Indium is used to dope germanium to make transistors. It is also used to make other electrical components such as rectifiers, thermistors and photoconductors. Indium can be used to make mirrors that are as reflective as silver mirrors but do not tarnish as quickly. Indium is also used to make low melting alloys. An alloy of 24% indium and 76% gallium is a liquid at room temperature.
It has found application in making low-melting allows; an allow of 24% indium - 76% gallium is liquid at room temperature. It is used in making bearing alloys, germanium transistors, rectifiers, thermistors, and photoconductors. It can be plated onto metal and evaporated onto glass, forming a mirror as good as that made with silver but with more resistance to atmospheric corrosion.
Isotopes in Medicine
111In (with a half-life of 2.8 days) is used in indium leukocyte imaging (Fig. IUPAC.49.1), in which white blood cells that are abundant at sites of infection are labeled with 111In to help locate the source of the infection [361] M. T. Syrjälä, V. Valtonen, K. Liewendahl, G. Myllylä. J. Nucl. Med.28, 155 (1987)., [362] M. D. Cerqueira, A. F. Jacobson. J. Nucl. Med.30, 703 (1989)., [363] C. Love, C. J. Palestro. J. Nucl. Med.Technol.32, 47 (2004)..
Isotopes Used as a Source of Radioactive Isotope(s)
113In is used to produce 113Sn (with a half-life of 115 days) via the reaction 113In (p, n) 113Sn, and 113In is used to produce the radioisotope 110In (with a half-life of 1.15 h) [364] F. E. Fakhari. Separation and Purification of 111In from Irradiated Cadmium Targets by Solid Phase Extraction (SPE) Method for Medical Applications, Deutsche National Bibliothek (2014), Feb. 26; http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2006/0132/view.html., [365] M. Mostafa, A. A. El Sadek, H. El Said, M. A. El Amir. J. Nucl. Radiochem. Sci.10, 1 (2009)..
Indium most often forms In³⁺ compounds, although In⁺ chemistry is significant and can be stabilized in some solids and salts. Indium(III) oxide, In₂O₃, is a wide-band-gap oxide and the main component of indium tin oxide. Indium(III) chloride, InCl₃, is a common Lewis-acidic reagent and precursor. Indium phosphide, InP, and indium arsenide, InAs, are important III-V semiconductors. Indium forms many alloys and intermetallic compounds, and its organometallic chemistry includes precursors used in vapor deposition.
See more information at the Indium compound page.
Bulk indium metal has low acute toxicity, but fine dusts, fumes, and soluble indium compounds require control in industrial settings. Inhalation exposure to indium tin oxide and some indium compounds has been associated with serious lung disease in workers. Many semiconductor compounds containing indium also contain toxic partners such as arsenic or phosphide-forming materials, so hazards are not due to indium alone. Natural indium has no significant radiological hazard.
There is evidence that indium has a low order of toxicity; however, care should be taken until further information is available.
Indium occurs mainly as a trace constituent in sulfide ores, especially zinc ores such as sphalerite, rather than as abundant indium minerals. During weathering and processing it tends to follow chalcophile pathways and can be retained in sulfide-rich residues or industrial wastes. Environmental concentrations are usually very low, and indium has no known biological role. Releases are most relevant near mining, smelting, refining, and electronic-material manufacturing sites.
Indium is not mined as a primary metal in most operations. It is recovered chiefly from residues and intermediate streams produced during zinc smelting and refining, with smaller contributions from other base-metal processing. Supply therefore depends strongly on ore composition, recovery technology, and the economics of host metals. Demand is led by transparent conducting oxides and specialized semiconductors, while solders and alloys account for smaller but useful markets. Recycling occurs from manufacturing scrap and some end-of-life products, but dispersed thin-film uses make complete recovery difficult. Substitution is possible in some applications, yet often involves trade-offs in conductivity, transparency, processing, or reliability.
Indium is most frequently associated with zinc materials, and it is from these that most commercial indium is now obtained; however, it is also found in iron, lead, and copper ores.
Indium is a relatively scarce element in the cosmos. Its stable isotopes are produced by neutron-capture processes in earlier generations of stars, with contributions from both slow and rapid neutron-capture nucleosynthesis. In planetary materials it is strongly chalcophile and is concentrated more readily in sulfide phases than in silicates, helping explain its association with zinc, lead, and tin ores on Earth.
- Natural indium is dominated by ¹¹⁵In, which is very weakly radioactive but has an extremely long half-life.
- Indium metal can form cold-welded seals because it remains soft and malleable at low temperatures.
- The element was named from the indigo-blue spectral line used in its discovery.
- Indium tin oxide is useful because it combines optical transparency with electrical conductivity.
- Indium wets glass better than many common metals, making it useful in special seals.
Зображення
Властивості
Фізичні
- Атомний радіус (емпіричний)
- 155 pm Порівняти Атомний радіус (емпіричний) усіх елементів →
- Ковалентний радіус
- 142 pm Порівняти Ковалентний радіус усіх елементів →
- Радіус ван дер Ваальса
- 193 pm Порівняти Радіус ван дер Ваальса усіх елементів →
- Металічний радіус
- 142 pm Порівняти Металічний радіус усіх елементів →
- Густина
- 7310 kg/m³ Порівняти Густина усіх елементів →
- Молярний об’єм
- 0,0157 L/mol
- Фаза за стандартних температури й тиску
- Твердий стан Порівняти Фаза за стандартних температури й тиску усіх елементів →
- Температура плавлення
- 156,6 °C Порівняти Температура плавлення усіх елементів →
- Температура кипіння
- 2071,85 °C Порівняти Температура кипіння усіх елементів →
- Теплопровідність
- 81,8 Вт/(м·K) Порівняти Теплопровідність усіх елементів →
- Питома теплоємність
- 0,233 Дж/(г·K) Порівняти Питома теплоємність усіх елементів →
- Молярна теплоємність
- 26,74 Дж/(моль·K) Порівняти Молярна теплоємність усіх елементів →
- Кристалічна структура
- Тетрагональна Порівняти Кристалічна структура усіх елементів →
Хімічні
- Електронегативність (за Полінгом)
- 1,78 Порівняти Електронегативність (за Полінгом) усіх елементів →
- Електронегативність (за Алленом)
- 1,656
- Спорідненість до електрона
- 0,3 eV
- Енергія йонізації (1-ша)
- 5,786356 eV Порівняти Енергія йонізації (1-ша) усіх елементів →
- Енергія йонізації (2-га)
- 18,870475 eV Порівняти Енергія йонізації (2-га) усіх елементів →
- Енергія йонізації (3-тя)
- 28,044247 eV Порівняти Енергія йонізації (3-тя) усіх елементів →
- Енергія йонізації (4-та)
- 55,450191 eV Порівняти Енергія йонізації (4-та) усіх елементів →
- Енергія йонізації (5-та)
- 69,300239 eV Порівняти Енергія йонізації (5-та) усіх елементів →
- Ступені окиснення
- −5, −2, −1, 0, +1, +2, +3 Порівняти Ступені окиснення усіх елементів →
- Валентні електрони
- 3 Порівняти Валентні електрони усіх елементів →
- Електронна конфігурація
- [Kr] 5s2 4d10 5p1
Термодинамічні
- Потрійна точка (температура)
- 156,5936 °C
- Теплота плавлення
- 0,03378764 eV Порівняти Теплота плавлення усіх елементів →
- Теплота випаровування
- 2,402446 eV Порівняти Теплота випаровування усіх елементів →
- Теплота сублімації
- 2,518526 eV
- Теплота атомізації
- 2,518526 eV
- Ентальпія атомізації
- 2,518526 eV
Ядерні
- Протони
- 49 Порівняти Протони усіх елементів →
- Нейтрони
- 64 Порівняти Нейтрони усіх елементів →
- Відомі ізотопи
- 42 Порівняти Відомі ізотопи усіх елементів →
- Стабільні ізотопи
- 1 Порівняти Стабільні ізотопи усіх елементів →
- Найстабільніший ізотоп
- In-113
- Рік відкриття
- 1863
Поширеність
- Вміст (земна кора)
- 0,25 мг/кг Порівняти Вміст (земна кора) усіх елементів →
- Вміст (океан)
- 0,02 мг/л Порівняти Вміст (океан) усіх елементів →
Кристалічна структура
- Стала ґратки a
- 459 pm
Електронна будова
- Електрони за оболонками
- 2, 8, 18, 18, 3 Порівняти Електрони за оболонками усіх елементів →
Ідентифікатори
- Номер CAS
- 7440-74-6 Порівняти Номер CAS усіх елементів →
- Символ терма
- 2P°1/2
- InChI
- InChI=1S/In
- Ключ InChI
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N
Електронна конфігурація Виміряно
In: 4d¹⁰ 5s² 5p¹[Kr] 4d¹⁰ 5s² 5p¹1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p⁶ 3d¹⁰ 4s² 4p⁶ 4d¹⁰ 5s² 5p¹Модель атома
Ізотопи відрізняються кількістю нейтронів, масою та стабільністю, але не електронною конфігурацією нейтрального атома.
Схематична модель атома, без дотримання масштабу.
Атомний відбиток
Спектр випромінювання / поглинання
Ізотопний розподіл
| Масове число | Атомна маса (u) | Природний вміст | Період напіврозпаду |
|---|---|---|---|
| 113 Стабільний | 112,90406184 ± 0,00000091 | 4,2900% | Стабільний |
Фаза / стан
Причина: на 131,6 °C нижче температури плавлення (156,6 °C)
Схематично, без дотримання масштабу
Точки фазових переходів
Енергії переходів
Енергія, необхідна для плавлення 1 моль за температури плавлення
Енергія, необхідна для випаровування 1 моль за температури кипіння
Енергія, необхідна для сублімації 1 моль за температури сублімації
Густина
За стандартних умов
За стандартних умов
Розширені дані
Атомні спектри
Показано 10 з 49. Відсортовано за зарядом йона (за зростанням).
Наявні дані про лінії ?
| Йон | Заряд | Загальна кількість ліній | Імовірності переходів | Позначення рівнів |
|---|---|---|---|---|
| In I | 0 | 92 | 27 | 91 |
| In II | +1 | 899 | 528 | 899 |
| In III | +2 | 55 | 0 | 0 |
| In IV | +3 | 42 | 0 | 0 |
| In V | +4 | 38 | 0 | 0 |
Наявні дані про рівні ?
| Йон | Заряд | Рівні |
|---|---|---|
| In I | 0 | 114 |
| In II | +1 | 195 |
| In III | +2 | 28 |
| In IV | +3 | 18 |
| In V | +4 | 42 |
| In VI | +5 | 2 |
| In VII | +6 | 2 |
| In VIII | +7 | 2 |
| In IX | +8 | 2 |
| In X | +9 | 2 |
Дані про кристалічну структуру недоступні
Кристалічна структура: tetragonal
Йонні радіуси
| Заряд | Координація | Спін | Радіус |
|---|---|---|---|
| +3 | 4 | Немає даних | 62 пм |
| +3 | 6 | Немає даних | 80 пм |
| +3 | 8 | Немає даних | 92 пм |
Сполуки
Ізотопи (1)
| Масове число | Атомна маса (u) | Природний вміст | Період напіврозпаду | Тип розпаду | |
|---|---|---|---|---|---|
| 113 Стабільний | 112,90406184 ± 0,00000091 | 4,2900% ± 0,0500% | Стабільний | stable |
Спектральні лінії
Показано 50 з 277. За замовчуванням показано лише спектральні лінії з виміряною інтенсивністю.
| Довжина хвилі (нм) | Інтенсивність | Ступінь йонізації | Тип | Перехід | Точність | Джерело | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 383.46308 нм | 32000 | In II | emission | 5s.5d 1D → 5s.4f 1F* | Виміряно | NIST | |
| 451.12972 нм | 18000 | In I | emission | 5s2.5p 2P* → 5s2.6s 2S | Виміряно | NIST | |
| 410.17504 нм | 17000 | In I | emission | 5s2.5p 2P* → 5s2.6s 2S | Виміряно | NIST | |
| 468.1115 нм | 16000 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 590.33916 нм | 9000 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | Виміряно | NIST | |
| 463.8162 нм | 8800 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 465.562 нм | 7800 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 464.4572 нм | 5900 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 1F* | Виміряно | NIST | |
| 718.29048 нм | 5800 | In II | emission | 5s.6s 3S → 5s.6p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 384.2918 нм | 5600 | In II | emission | 5s.5d 1D → 5s.4f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 591.87693 нм | 5100 | In II | emission | 5s.6p 1P* → 5s.6d 1D | Виміряно | NIST | |
| 616.254 нм | 4100 | In II | emission | 5s.4f 1F* → 5s<1/2,F=4>.6g | Виміряно | NIST | |
| 689.15826 нм | 3900 | In II | emission | 5s.6s 3S → 5s.6p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 585.31709 нм | 3400 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | Виміряно | NIST | |
| 609.59333 нм | 3300 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | Виміряно | NIST | |
| 468.4791 нм | 2500 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 727.66388 нм | 2400 | In II | emission | 5s.6s 3S → 5s.6p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 614.953 нм | 2200 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.6g | Виміряно | NIST | |
| 613.986 нм | 2100 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=5>.6g | Виміряно | NIST | |
| 614.32 нм | 2100 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.6g | Виміряно | NIST | |
| 614.813 нм | 2100 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=5>.6g | Виміряно | NIST | |
| 616.113 нм | 2000 | In II | emission | 5s.4f 1F* → 5s<1/2,F=5>.6g | Виміряно | NIST | |
| 465.6736 нм | 1700 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 551.3006 нм | 1500 | In II | emission | 5p2 3P → 5s.4f 1F* | Виміряно | NIST | |
| 614.126 нм | 1500 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.6g | Виміряно | NIST | |
| 405.69377 нм | 1300 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.8s 3S | Виміряно | NIST | |
| 591.52626 нм | 1300 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | Виміряно | NIST | |
| 557.6866 нм | 1200 | In II | emission | 5s.7p 1P* → 5s.10d 1D | Виміряно | NIST | |
| 551.935 нм | 1100 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.7f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 549.7486 нм | 1000 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.7f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 550.7048 нм | 1000 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.7f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 551.0883 нм | 1000 | In II | emission | 5s.7p 3P* → 5s.10d 3D | Виміряно | NIST | |
| 512.0847 нм | 960 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=5>.7g | Виміряно | NIST | |
| 390.20794 нм | 910 | In II | emission | 5s.6p 1P* → 5s.7d 1D | Виміряно | NIST | |
| 384.2158 нм | 900 | In II | emission | 5s.5d 1D → 5s.4f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 512.1781 нм | 880 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.7g | Виміряно | NIST | |
| 611.58707 нм | 830 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | Виміряно | NIST | |
| 511.7388 нм | 810 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.7g | Виміряно | NIST | |
| 511.5109 нм | 800 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=5>.7g | Виміряно | NIST | |
| 512.9865 нм | 710 | In II | emission | 5s.4f 1F* → 5s<1/2,F=5>.7g | Виміряно | NIST | |
| 463.7055 нм | 610 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 511.6041 нм | 590 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.7g | Виміряно | NIST | |
| 550.7779 нм | 570 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.7f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 414.9635 нм | 550 | In II | emission | 5s.4f 1F* → 5s<1/2,F=5>.10g | Виміряно | NIST | |
| 530.94926 нм | 550 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 1D | Виміряно | NIST | |
| 454.8998 нм | 540 | In II | emission | 5p2 1D → 5s.8p 3P* | Виміряно | NIST | |
| 461.6069 нм | 540 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.8g | Виміряно | NIST | |
| 457.0881 нм | 520 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.9f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 458.701 нм | 520 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.9f 3F* | Виміряно | NIST | |
| 457.1286 нм | 510 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.9f 3F* | Виміряно | NIST |
Розширені дані про властивості
Ковалентні радіуси (розширені дані)
- Ковалентний радіус (за Пююккьо)
- 142 pm
- Ковалентний радіус (за Пююккьо, подвійний зв’язок)
- 136 pm
- Ковалентний радіус (за Пююккьо, потрійний зв’язок)
- 146 pm
Радіуси ван дер Ваальса
- Bondi
- 193 pm
- Batsanov
- 220 pm
- Alvarez
- 243 pm
- UFF
- 446,3 pm
- MM3
- 264 pm
- Dreiding
- 459 pm
Атомні та металічні радіуси
- Атомний радіус (за Рамом)
- 246 pm
- Металічний радіус (C12)
- 158 pm
Шкали нумерації
- Mendeleev
- 84
- Pettifor
- 79
- Glawe
- 80
Шкали електронегативності
- Ghosh
- 0
- Miedema
- 4
- Gunnarsson–Lundqvist
- 3
- Robles–Bartolotti
- 2
Поляризовність і дисперсія
- Дипольна поляризовність
- 65 a.u.
- Дипольна поляризовність (невизначеність)
- 4 a.u.
- C₆
- 779 Ha·Bohr6
- C₆ (Gould–Bučko)
- 643 Ha·Bohr6
Параметри Мідеми
- Молярний об’єм за Мідемою
- 15,75 cm3/mol
- Електронна густина за Мідемою
- 2
Ризики постачання та економіка
- Концентрація виробництва
- 53
- Відносний ризик постачання
- 8
- Політична стабільність (найбільший виробник)
- 24
Фазові переходи та алотропні модифікації
| Температура плавлення | 429,75 K |
| Температура кипіння | 2300,15 K |
| Потрійна точка (температура) | 429,74 K |
Категорії ступенів окиснення
Розширені довідкові дані
Сталі екранування (11)
| n | Орбіталь | σ |
|---|---|---|
| 1 | s | 0,9903 |
| 2 | p | 4,102 |
| 2 | s | 12,8764 |
| 3 | d | 14,3218 |
| 3 | p | 17,4793 |
| 3 | s | 17,3692 |
| 4 | d | 32,0584 |
| 4 | p | 28,6312 |
| 4 | s | 27,2388 |
| 5 | p | 40,53 |
Докладні дані про кристалічні радіуси (3)
| Заряд | CN | Спін | rcrystal (pm) | Походження |
|---|---|---|---|---|
| 3 | IV | 76 | ||
| 3 | VI | 94 | from r^3 vs V plots, | |
| 3 | VIII | 106 | from r^3 vs V plots, calculated, |
Типи розпаду ізотопів (69)
| Ізотоп | Режим | Інтенсивність |
|---|---|---|
| 96 | B+ | — |
| 96 | p | — |
| 97 | B+ | 100% |
| 97 | B+p | 2,3% |
| 97 | p | — |
| 98 | B+ | 100% |
| 98 | B+p | 0,1% |
| 99 | B+ | 100% |
| 99 | B+p | 0,3% |
| 100 | B+ | 100% |
Фактори розсіяння рентгенівського випромінювання (510)
| Енергія (eV) | f₁ | f₂ |
|---|---|---|
| 10 | — | 2,16244 |
| 10,1617 | — | 2,07002 |
| 10,3261 | — | 1,98155 |
| 10,4931 | — | 1,89686 |
| 10,6628 | — | 1,81579 |
| 10,8353 | — | 1,72844 |
| 11,0106 | — | 1,54985 |
| 11,1886 | — | 1,35731 |
| 11,3696 | — | 0,99325 |
| 11,5535 | — | 0,74202 |
Додаткові дані
Estimated Crustal Abundance
The estimated element abundance in the earth's crust.
2.5×10-1 milligrams per kilogram
Джерела (1)
Estimated Oceanic Abundance
The estimated element abundance in the earth's oceans.
2×10-2 milligrams per liter
Джерела (1)
Sources
Sources of this element.
Indium is most frequently associated with zinc materials, and it is from these that most commercial indium is now obtained; however, it is also found in iron, lead, and copper ores.
Джерела (1)
- [6] Indium https://periodic.lanl.gov/49.shtml
Джерела
(9)
Data deposited in or computed by PubChem
The half-life and atomic mass data was provided by the Atomic Mass Data Center at the International Atomic Energy Agency.
Element data are cited from the Atomic weights of the elements (an IUPAC Technical Report). The IUPAC periodic table of elements can be found at https://iupac.org/what-we-do/periodic-table-of-elements/. Additional information can be found within IUPAC publication doi:10.1515/pac-2015-0703 Copyright © 2020 International Union of Pure and Applied Chemistry.
The information are cited from Pure Appl. Chem. 2018; 90(12): 1833-2092, https://doi.org/10.1515/pac-2015-0703.
Thomas Jefferson National Accelerator Facility (Jefferson Lab) is one of 17 national laboratories funded by the U.S. Department of Energy. The lab's primary mission is to conduct basic research of the atom's nucleus using the lab's unique particle accelerator, known as the Continuous Electron Beam Accelerator Facility (CEBAF). For more information visit https://www.jlab.org/
The periodic table at the LANL (Los Alamos National Laboratory) contains basic element information together with the history, source, properties, use, handling and more. The provenance data may be found from the link under the source name.
The periodic table contains NIST's critically-evaluated data on atomic properties of the elements. The provenance data that include data for atomic spectroscopy, X-ray and gamma ray, radiation dosimetry, nuclear physics, and condensed matter physics may be found from the link under the source name. Ref: https://www.nist.gov/pml/atomic-spectra-database
This section provides all form of data related to element Indium.
The element property data was retrieved from publications.