Germanium (Ge)
metalloidSolid
தரநிலை அணு எடை
72.63 uஎலக்ட்ரான் அமைப்பு
[Ar] 4s2 3d10 4p2உருகுநிலை
938.25 °Cகொதிநிலை
2832.85 °Cஅடர்த்தி
5323.4 kg/m³ஆக்சிஜனேற்ற நிலைகள்
−4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3, +4எலக்ட்ரான் கவர்திறன் (பாலிங்)
2.01அயனியாக்க ஆற்றல் (1வது)
7.899435 eVகண்டுபிடிக்கப்பட்ட ஆண்டு
1886அணு ஆரம்
125 pmவிவரங்கள்
Germanium is a hard, brittle metalloid in group 14, chemically intermediate between silicon and tin. It is a covalent semiconductor with a narrow band gap and forms stable compounds mainly in the +4 and +2 oxidation states. The element is not mined as a principal ore in most operations; it is commonly recovered as a by-product from zinc processing and from some coal-derived materials. Its technological importance rests on infrared optics, fiber-optic materials, semiconductor devices, and specialty catalysts.
The element is a gray-white metalloid. In pure state, the element is crystalline and brittle, retaining its luster in air at room temperature. It is a very important semiconductor. Zone-refining techniques have led to production of crystalline germanium for semiconductor use with an impurity of only one part in 1010.
The name derives from the Latin germania for Germany. It was discovered and isolated by the German chemist Clemens-Alexander Winkler in 1886 in the mineral argyrodite (GeS2×4Ag2S).
First proposed to exist by Dmitri Mendeleyev in 1871 based on gaps in his newly created Periodic Table of Elements, germanium was discovered by the German chemist Clemens Winkler in the mineral argyrodite (Ag8GeS6) in 1886. Today, germanium is primarily obtained from the smelting of zinc ores and from the byproducts of burning certain types of coal.
From the Latin word Germania, Germany. Mendeleev predicted the existence of Germanium in 1871 as ekasilicon, and the element was discovered by Winkler in 1886.
Pure germanium is a lustrous, grayish-white solid with a metallic sheen. It crystallizes in the diamond-cubic structure and is brittle rather than malleable. High-purity material is commonly encountered as polycrystalline pieces, single-crystal ingots, or wafers for electronic and optical use.
Germanium is used where its optical and electronic properties are valuable rather than as a structural metal. Germanium dioxide, GeO₂, is added to silica glass for optical fibers because it raises refractive index. Elemental germanium and germanium-containing glasses are used in infrared lenses, windows, and thermal imaging optics. Germanium substrates support some high-efficiency multijunction solar cells. Small amounts are used in semiconductor detectors, legacy transistors, and SiGe alloys for high-speed electronics. Certain organogermanium and oxide materials have specialized roles, but broad medical uses are not established.
The largest use of germanium is in the semiconductor industry. When doped with small amounts of arsenic, gallium, indium, antimony or phosphorus, germanium is used to make transistors for use in electronic devices. Germanium is also used to create alloys and as a phosphor in fluorescent lamps. Both germanium and germanium oxide (GeO) are transparent to infrared radiation and are used in infrared optical instruments and infrared detectors. Some germanium compounds seem to be effective in killing some types of bacteria and are currently being studied for use in chemotherapy.
When germanium is doped with arsenic, gallium, or other elements, it is used as a transistor element in thousands of electronic applications. The most common use of germanium is as a semiconductor. Germanium is also finding many other applications including use as an alloying agent, as a phosphor in fluorescent lamps, and as a catalyst.
Germanium and germanium oxide are transparent to the infrared and are used in infrared spectroscopes and other optical equipment, including extremely sensitive infrared detectors.
The high index of refraction and dispersion properties of its oxide's have made germanium useful as a component of wide-angle camera lenses and microscope objectives.
The field of organo-germanium chemistry is becoming increasingly important. Certain germanium compounds have a low mammalian toxicity, but a marked activity against certain bacteria, which makes them useful as chemotherapeutic agents.
Isotopes in Earth/Planetary Science
Because molecules, atoms, and ions of the stable isotopes of germanium possess slightly different physical and chemical properties, they commonly will be fractionated during physical, chemical, and biological processes, giving rise to variations in isotopic abundances and in atomic weights. There are measureable variations in the isotopic abundances of germanium in terrestrial materials (Fig. IUPAC.32.1).
Isotopes in Medicine
68Ge is used to calibrate positron emission tomography (PET) scanners, which have been used for medical diagnostic procedures [268] Office of Science, Los Alamos National Laboratory. Isotope Production and Applications, Los Alamos National Laboratory (2017), Feb. 26; http://www.lanl.gov/science-innovation/science-programs/office-of-science-programs/nuclear-physics/isotopes/_assets/docs/isotope-program-brochure.pdf..
Isotopes Used as a Source of Radioactive Isotope(s)
72Ge and 74Ge are used to produce the radioactive isotopes 72As and 74As, with half-lives of 26 h and 17.8 days, respectively. The arsenic nuclei can attach to tumors and the decay of these isotopes is used to image the location of cancerous tumors in vivovia the 72Ge (n, p) 72As reaction and the 74Ge (n, p) 74As reaction [269] M. Jennewein, M. A. Lewis, D. Zhao, E. Tsyganov, N. Slavine, J. He, L. Watkins, V. D. Kodibagkar, S. O’Kelly, P. Kulkarni, P. P. Antich, A. Hermanne, F. Rösch, R. P. Mason, P. E. Thorpe. Clin. Cancer Res.14, 1377 (2008).. 70Ge, 72Ge, and 74Ge have all been used to produce the medical radioisotope 73Se via the 70Ge (4He, n) 73Se reaction, via the 72Ge (4He, 3n) 73Se reaction and via the reaction 74Ge (4He, 5n) 73Se, respectively [269] M. Jennewein, M. A. Lewis, D. Zhao, E. Tsyganov, N. Slavine, J. He, L. Watkins, V. D. Kodibagkar, S. O’Kelly, P. Kulkarni, P. P. Antich, A. Hermanne, F. Rösch, R. P. Mason, P. E. Thorpe. Clin. Cancer Res.14, 1377 (2008)..
Germanium chemistry resembles a heavier analogue of silicon chemistry, with notable stability of both +4 and +2 compounds. Germanium dioxide, GeO₂, is the principal oxide and occurs in quartz-like and rutile-like forms. Germanium tetrachloride, GeCl₄, is a volatile liquid used as an intermediate in purification and glass manufacture. Germanium monosulfide, GeS, and germanium disulfide, GeS₂, illustrate lower and higher oxidation-state chalcogenides. Germanes such as germane, GeH₄, are reactive hydrides used in deposition chemistry. Organogermanium compounds contain Ge–C bonds, but their chemistry is less commercially extensive than organosilicon chemistry.
See more information at the Germanium compound page.
Massive germanium metal is of low acute toxicity and is not considered a nutritional requirement for humans. Dusts and finely divided material can irritate the respiratory tract and should be controlled in industrial handling. Germane, GeH₄, is highly flammable and toxic, posing a significant gas-handling hazard. Germanium tetrachloride, GeCl₄, fumes in moist air and can form corrosive hydrogen chloride, HCl. Some soluble germanium compounds have caused kidney and nerve toxicity when ingested in inappropriate supplement use.
Germanium is a dispersed trace element in the crust and is enriched in some zinc ores, lignites, and coal ashes. In natural waters it commonly follows silica behavior because dissolved germanium species can resemble silicic acid in geochemical cycling. Weathering releases only small concentrations, and the element has no known essential biological function. Industrial releases are usually associated with mining, smelting, coal combustion residues, and processing of germanium-bearing intermediates.
Germanium supply is tied to by-product recovery, so availability depends strongly on zinc refining, processing of certain coal ashes, and the economics of collecting dilute streams. Concentrates are converted through intermediates such as germanium tetrachloride, GeCl₄, then hydrolyzed and reduced to high-purity metal or oxide. Demand is concentrated in fiber optics, infrared optics, polymerization catalysts, electronics, and space solar cells. Recycling from optical scrap, semiconductor material, and some catalysts is important because primary sources are geographically and geologically limited. Substitution is possible in some optical and electronic uses, but often with performance or design penalties.
The metal is found in
▸ argyrodite, a sulfide of germanium and silver;
▸ germanite, which contains 8 percent of the element;
▸ zinc ores;
▸ coal; and
▸ other minerals
The element is commercially obtained from the dust from smelters that process zinc ores. It is also recovered from combustion by-products of certain coals.
Germanium can be separated from other metals by fractional distillation of its volatile tetrachloride. These techniques permit the production of germanium of ultra-high purity.
Germanium is a minor cosmic element produced mainly by neutron-capture processes in evolved stars and supernova-related environments, with contributions from charged-particle reactions. It is far less abundant than silicon because heavier nuclei beyond iron-region seed patterns require less common nucleosynthetic pathways. In meteorites and planetary rocks it behaves partly as a moderately siderophile and chalcophile trace element, partitioning into metal and sulfide phases under suitable conditions.
- Germanium was predicted by Mendeleev as eka-silicon before it was isolated.
- Zone refining of germanium helped establish ultra-high-purity semiconductor practice.
- Germanium expands on freezing, as silicon and water do.
- Natural germanium contains five stable isotopes.
- GeO₂ can be reduced to the element with hydrogen in industrial purification.
படங்கள்
பண்புகள்
இயற்பியல்
- அணு ஆரம் (சோதனைசார்)
- 125 pm அனைத்து தனிமங்களின் அணு ஆரம் (சோதனைசார்) ஒப்பிடுங்கள் →
- சகப்பிணைப்பு ஆரம்
- 120 pm அனைத்து தனிமங்களின் சகப்பிணைப்பு ஆரம் ஒப்பிடுங்கள் →
- வான் டெர் வால்ஸ் ஆரம்
- 211 pm அனைத்து தனிமங்களின் வான் டெர் வால்ஸ் ஆரம் ஒப்பிடுங்கள் →
- உலோக ஆரம்
- 124 pm அனைத்து தனிமங்களின் உலோக ஆரம் ஒப்பிடுங்கள் →
- அடர்த்தி
- 5323.4 kg/m³ அனைத்து தனிமங்களின் அடர்த்தி ஒப்பிடுங்கள் →
- மோலார் பருமன்
- 0.0136 L/mol
- STP இல் நிலை
- திடம் அனைத்து தனிமங்களின் STP இல் நிலை ஒப்பிடுங்கள் →
- உருகுநிலை
- 938.25 °C அனைத்து தனிமங்களின் உருகுநிலை ஒப்பிடுங்கள் →
- கொதிநிலை
- 2832.85 °C அனைத்து தனிமங்களின் கொதிநிலை ஒப்பிடுங்கள் →
- வெப்பக் கடத்துத்திறன்
- 60.2 W/(m·K) அனைத்து தனிமங்களின் வெப்பக் கடத்துத்திறன் ஒப்பிடுங்கள் →
- தன்வெப்ப ஏற்புத்திறன்
- 0.32 J/(g·K) அனைத்து தனிமங்களின் தன்வெப்ப ஏற்புத்திறன் ஒப்பிடுங்கள் →
- மோலார் வெப்ப ஏற்புத்திறன்
- 23.222 J/(mol·K) அனைத்து தனிமங்களின் மோலார் வெப்ப ஏற்புத்திறன் ஒப்பிடுங்கள் →
- படிக அமைப்பு
- வைரக் கனசதுரம் அனைத்து தனிமங்களின் படிக அமைப்பு ஒப்பிடுங்கள் →
வேதியியல்
- எலக்ட்ரான் கவர்திறன் (பாலிங்)
- 2.01 அனைத்து தனிமங்களின் எலக்ட்ரான் கவர்திறன் (பாலிங்) ஒப்பிடுங்கள் →
- எலக்ட்ரான் கவர்திறன் (ஆலன்)
- 1.994
- எலக்ட்ரான் நாட்டம்
- 1.232 eV
- அயனியாக்க ஆற்றல் (1வது)
- 7.899435 eV அனைத்து தனிமங்களின் அயனியாக்க ஆற்றல் (1வது) ஒப்பிடுங்கள் →
- அயனியாக்க ஆற்றல் (2வது)
- 15.934665 eV அனைத்து தனிமங்களின் அயனியாக்க ஆற்றல் (2வது) ஒப்பிடுங்கள் →
- அயனியாக்க ஆற்றல் (3வது)
- 34.057717 eV அனைத்து தனிமங்களின் அயனியாக்க ஆற்றல் (3வது) ஒப்பிடுங்கள் →
- அயனியாக்க ஆற்றல் (4வது)
- 45.715657 eV அனைத்து தனிமங்களின் அயனியாக்க ஆற்றல் (4வது) ஒப்பிடுங்கள் →
- அயனியாக்க ஆற்றல் (5வது)
- 90.500312 eV அனைத்து தனிமங்களின் அயனியாக்க ஆற்றல் (5வது) ஒப்பிடுங்கள் →
- ஆக்சிஜனேற்ற நிலைகள்
- −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3, +4 அனைத்து தனிமங்களின் ஆக்சிஜனேற்ற நிலைகள் ஒப்பிடுங்கள் →
- இணைதிறன் எலக்ட்ரான்கள்
- 4 அனைத்து தனிமங்களின் இணைதிறன் எலக்ட்ரான்கள் ஒப்பிடுங்கள் →
- எலக்ட்ரான் அமைப்பு
- [Ar] 4s2 3d10 4p2
வெப்ப இயக்கவியல்
- மாறுநிலைப் புள்ளி (வெப்பநிலை)
- 9529 °C
- உருகுதல் வெப்பம்
- 0.38285744 eV அனைத்து தனிமங்களின் உருகுதல் வெப்பம் ஒப்பிடுங்கள் →
- ஆவியாதல் வெப்பம்
- 3.420221 eV அனைத்து தனிமங்களின் ஆவியாதல் வெப்பம் ஒப்பிடுங்கள் →
- பதங்கமாதல் வெப்பம்
- 3.907343 eV
- அணுவாக்க வெப்பம்
- 3.907343 eV
- அணுவாக்க என்தால்பி
- 3.855522 eV
அணுக்கரு
- புரோட்டான்கள்
- 32 அனைத்து தனிமங்களின் புரோட்டான்கள் ஒப்பிடுங்கள் →
- நியூட்ரான்கள்
- 42 அனைத்து தனிமங்களின் நியூட்ரான்கள் ஒப்பிடுங்கள் →
- அறியப்பட்ட ஐசோடோப்புகள்
- 33 அனைத்து தனிமங்களின் அறியப்பட்ட ஐசோடோப்புகள் ஒப்பிடுங்கள் →
- நிலையான ஐசோடோப்புகள்
- 4 அனைத்து தனிமங்களின் நிலையான ஐசோடோப்புகள் ஒப்பிடுங்கள் →
- மிக நிலையான ஐசோடோப்பு
- Ge-74
- கண்டுபிடிக்கப்பட்ட ஆண்டு
- 1886
மிகுதி
- மிகுதி (புவி மேலோடு)
- 1.5 mg/kg அனைத்து தனிமங்களின் மிகுதி (புவி மேலோடு) ஒப்பிடுங்கள் →
- மிகுதி (பெருங்கடல்)
- 5 × 10−5 mg/L அனைத்து தனிமங்களின் மிகுதி (பெருங்கடல்) ஒப்பிடுங்கள் →
படிக அமைப்பு
- அணிக்கோவை மாறிலி a
- 566 pm
எலக்ட்ரான் அமைப்பு
- ஒவ்வொரு கூட்டிலும் உள்ள எலக்ட்ரான்கள்
- 2, 8, 18, 4 அனைத்து தனிமங்களின் ஒவ்வொரு கூட்டிலும் உள்ள எலக்ட்ரான்கள் ஒப்பிடுங்கள் →
அடையாளங்காட்டிகள்
- CAS எண்
- 7440-56-4 அனைத்து தனிமங்களின் CAS எண் ஒப்பிடுங்கள் →
- நிறமாலை நிலைக் குறியீடு
- 3P0
- InChI
- InChI=1S/Ge
- InChI விசை
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N
எலக்ட்ரான் அமைப்பு அளவிடப்பட்டது
Ge: 3d¹⁰ 4s² 4p²[Ar] 3d¹⁰ 4s² 4p²1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p⁶ 3d¹⁰ 4s² 4p²அணு மாதிரி
ஐசோடோப்புகள் நியூட்ரான் எண்ணிக்கை, நிறை மற்றும் நிலைத்தன்மையை மாற்றுகின்றன — மின்னூட்டமற்ற அணுவின் எலக்ட்ரான் அமைப்பை அல்ல.
விளக்க அணு மாதிரி; அளவிற்கு ஏற்ப இல்லை.
அணு அடையாளத் தடம்
உமிழ்வு / உறிஞ்சல் நிறமாலை
ஐசோடோப்புப் பரவல்
| நிறை எண் | அணு நிறை (u) | இயற்கை மிகுதி | அரை ஆயுள் |
|---|---|---|---|
| 70 நிலையானது | 69.92424875 ± 0.0000009 | 20.5700% | நிலையானது |
| 72 நிலையானது | 71.922075826 ± 0.000000081 | 27.4500% | நிலையானது |
| 73 நிலையானது | 72.923458956 ± 0.000000061 | 7.7500% | நிலையானது |
| 74 நிலையானது | 73.921177761 ± 0.000000013 | 36.5000% | நிலையானது |
கட்டம் / நிலை
காரணம்: உருகுநிலைக்குக் (938.25 °C) கீழ் 913.3 °C
விளக்க வரைபடம், அளவிற்கு ஏற்ப இல்லை
நிலை மாற்றப் புள்ளிகள்
நிலைமாற்ற ஆற்றல்கள்
உருகுநிலையில் 1 mol ஐ உருக்கத் தேவையான ஆற்றல்
கொதிநிலையில் 1 mol ஐ ஆவியாக்கத் தேவையான ஆற்றல்
பதங்கமாதல் நிலையில் 1 mol ஐப் பதங்கமாக்கத் தேவையான ஆற்றல்
அடர்த்தி
தரநிலை நிலைமைகளில்
தரநிலை நிலைமைகளில்
மேம்பட்டவை
அணு நிறமாலைகள்
32 பதிவுகளில் 10 காட்டப்படுகின்றன. அயனி மின்னூட்டத்தின்படி ஏறுவரிசையில் வரிசைப்படுத்தப்பட்டுள்ளது.
நிறமாலைக் கோட்டுத் தரவுப் பதிவுகள் ?
| அயனி | மின்னூட்டம் | மொத்தக் கோடுகள் | நிலைமாற்ற நிகழ்தகவுகள் | மட்டக் குறியீடுகள் |
|---|---|---|---|---|
| Ge I | 0 | 224 | 26 | 223 |
| Ge II | +1 | 149 | 20 | 149 |
| Ge III | +2 | 55 | 0 | 0 |
| Ge IV | +3 | 27 | 0 | 0 |
| Ge V | +4 | 37 | 0 | 0 |
மட்டத் தரவுப் பதிவுகள் ?
| அயனி | மின்னூட்டம் | மட்டங்கள் |
|---|---|---|
| Ge I | 0 | 621 |
| Ge II | +1 | 129 |
| Ge III | +2 | 48 |
| Ge IV | +3 | 55 |
| Ge V | +4 | 102 |
| Ge VI | +5 | 105 |
| Ge VII | +6 | 168 |
| Ge VIII | +7 | 2 |
| Ge IX | +8 | 2 |
| Ge X | +9 | 2 |
அயனி ஆரங்கள்
| மின்னூட்டம் | அணைவு | தற்சுழற்சி | ஆரம் |
|---|---|---|---|
| +2 | 6 | கிடைக்கவில்லை | 73 pm |
| +4 | 4 | கிடைக்கவில்லை | 39 pm |
| +4 | 6 | கிடைக்கவில்லை | 53 pm |
சேர்மங்கள்
ஐசோடோப்புகள் (4)
| நிறை எண் | அணு நிறை (u) | இயற்கை மிகுதி | அரை ஆயுள் | சிதைவு முறை | |
|---|---|---|---|---|---|
| 70 நிலையானது | 69.92424875 ± 0.0000009 | 20.5700% ± 0.2700% | நிலையானது | stable | |
| 72 நிலையானது | 71.922075826 ± 0.000000081 | 27.4500% ± 0.3200% | நிலையானது | stable | |
| 73 நிலையானது | 72.923458956 ± 0.000000061 | 7.7500% ± 0.1200% | நிலையானது | stable | |
| 74 நிலையானது | 73.921177761 ± 0.000000013 | 36.5000% ± 0.2000% | நிலையானது | stable |
நிறமாலைக் கோடுகள்
57 பதிவுகளில் 50 காட்டப்படுகின்றன. இயல்பாக, அளவிடப்பட்ட செறிவுள்ள நிறமாலைக் கோடுகள் மட்டுமே காட்டப்படுகின்றன.
| அலைநீளம் (nm) | செறிவு | அயனியாக்க நிலை | வகை | நிலைமாற்றம் | துல்லியம் | மூலம் | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 474.18054 nm | 1000 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.5d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 481.46084 nm | 1000 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.5d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 589.33885 nm | 1000 | Ge II | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.5p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 602.10412 nm | 500 | Ge II | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.5p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 517.86474 nm | 200 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.4f 2F* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 607.834 nm | 150 | Ge II | emission | 4s.4p.(3P*).5s 4P* → 4s.4p.(3P*).5p 4D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 626.8068 nm | 150 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.6g 2G | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 513.17516 nm | 100 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.4f 2F* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 626.8341 nm | 100 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.6g 2G | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 633.63765 nm | 100 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.6s 2S | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 648.41813 nm | 100 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.6s 2S | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 628.34518 nm | 75 | Ge II | emission | 4s2.5d 2D → 4s2.6f 2F* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 422.656259 nm | 70 | Ge I | emission | 4s2.4p2 1S → 4s2.4p.5s 1P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 482.40972 nm | 50 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.5d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 626.7136 nm | 50 | Ge II | emission | 4s2.5d 2D → 4s2.6f 2F* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 678.0486 nm | 50 | Ge II | emission | 4s2.6p 2P* → 4s2.7d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 704.93692 nm | 50 | Ge II | emission | 4s.4p2 2D → 4s2.5p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 384.50994 nm | 30 | Ge II | emission | 4s.4p2 4P → 4s2.5p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 714.53898 nm | 30 | Ge II | emission | 4s.4p2 2D → 4s2.5p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 494.12769 nm | 20 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.6p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 520.56488 nm | 20 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.7g 2G | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 696.63205 nm | 20 | Ge II | emission | 4s.4p2 2D → 4s2.5p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 439.1656 nm | 15 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.9g 2G | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 520.58372 nm | 15 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.7g 2G | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 552.2987 nm | 15 | Ge II | emission | 4s2.6p 2P* → 4s2.8d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 439.179 nm | 10 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.9g 2G | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 466.2311 nm | 10 | Ge II | emission | 4s2.5d 2D → 4s2.8f 2F* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 468.582849 nm | 10 | Ge I | emission | 4s2.4p2 1S → 4s2.4p.5s 3P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 493.40754 nm | 10 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.6p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 517.84615 nm | 10 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.4f 2F* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 569.19543 nm | 9 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 580.2093 nm | 9 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 1P* → 4s2.4p.6p 1D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 556.47408 nm | 8 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3S | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 560.70101 nm | 8 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3P | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 565.596 nm | 8 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 562.14256 nm | 7 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 1P | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 733.0383 nm | 7 | Ge I | emission | 4s2.4p.5p 1P → 4s2.4p.7d (1/2,3/2)* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 738.4208 nm | 7 | Ge I | emission | 4s2.4p.5p 3D → 4s2.4p.8s (1/2,1/2)* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 526.58915 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3P | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 551.32634 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 1D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 561.61353 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3P | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 566.4226 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 1P* → 4s2.4p.6p 1S | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 570.17765 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 1P | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 580.1029 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 655.74883 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 1P* → 4s2.4p.6p 3D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 713.0126 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5p 3D → 4s2.4p.7d (3/2,5/2)* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 740.2648 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5p 1P → 4s2.4p.6d (3/2,3/2)* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 518.4103 nm | 5 | Ge II | emission | 4s2.5d 2D → 4s2.7f 2F* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 566.4842 nm | 5 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.(2P*<1/2>).4f 2[7/2] | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 571.78769 nm | 5 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3D | அளவிடப்பட்டது | NIST |
விரிவான பண்புகள்
சகப்பிணைப்பு ஆரங்கள் (விரிவானவை)
- சகப்பிணைப்பு ஆரம் (பியுக்கோ)
- 121 pm
- சகப்பிணைப்பு ஆரம் (பியுக்கோ, இரட்டைப் பிணைப்பு)
- 111 pm
- சகப்பிணைப்பு ஆரம் (பியுக்கோ, முப்பிணைப்பு)
- 114 pm
வான் டெர் வால்ஸ் ஆரங்கள்
- Truhlar
- 211 pm
- Batsanov
- 210 pm
- Alvarez
- 229 pm
- UFF
- 428 pm
- MM3
- 244 pm
- Dreiding
- 427 pm
அணு மற்றும் உலோக ஆரங்கள்
- அணு ஆரம் (ராம்)
- 234 pm
- உலோக ஆரம் (C12)
- 144 pm
எண்ணிடல் அளவுகோல்கள்
- Mendeleev
- 89
- Pettifor
- 84
- Glawe
- 84
எலக்ட்ரான் கவர்திறன் அளவுகோல்கள்
- Ghosh
- 0
- Miedema
- 5
- Gunnarsson–Lundqvist
- 5
- Robles–Bartolotti
- 4
முனைவாக்கத்திறன் மற்றும் நிறப்பிரிகை
- இருமுனை முனைவாக்கத்திறன்
- 40 a.u.
- இருமுனை முனைவாக்கத்திறன் (நிச்சயமின்மை)
- 1 a.u.
- C₆
- 354 Ha·Bohr6
- C₆ (Gould–Bučko)
- 365 Ha·Bohr6
மீடெமா அளவுருக்கள்
- மீடெமா மோலார் பருமன்
- 9.87 cm3/mol
- மீடெமா எலக்ட்ரான் அடர்த்தி
- 3
விநியோக இடர் மற்றும் பொருளாதாரம்
- உற்பத்திக் குவிப்பு
- 67
- ஒப்பீட்டு விநியோக இடர்
- 8
- அரசியல் நிலைத்தன்மை (முன்னணி உற்பத்தியாளர்)
- 24
நிலை மாற்றங்கள் மற்றும் புறவேற்றுமை வடிவங்கள்
| உருகுநிலை | 1211.4 K |
| கொதிநிலை | 3106.15 K |
| மாறுநிலைப் புள்ளி (வெப்பநிலை) | 9802.15 K |
ஆக்சிஜனேற்ற நிலை வகைகள்
மேம்பட்ட மேற்கோள் தரவுகள்
திரைமறைப்பு மாறிலிகள் (8)
| n | ஆர்பிட்டால் | σ |
|---|---|---|
| 1 | s | 0.7063 |
| 2 | p | 3.9178 |
| 2 | s | 8.6352 |
| 3 | d | 15.7487 |
| 3 | p | 14.9864 |
| 3 | s | 14.2103 |
| 4 | p | 25.2196 |
| 4 | s | 23.9564 |
படிக ஆரங்களின் விவரங்கள் (3)
| மின்னூட்டம் | CN | தற்சுழற்சி | rcrystal (pm) | தோற்றம் |
|---|---|---|---|---|
| 2 | VI | 87 | Ahrens (1952) ionic radius, | |
| 4 | IV | 53 | ||
| 4 | VI | 67 | from r^3 vs V plots, |
ஐசோடோப்புச் சிதைவு முறைகள் (50)
| ஐசோடோப்பு | முறை | செறிவு |
|---|---|---|
| 58 | 2p | — |
| 59 | B+ | 100% |
| 59 | B+p | 93% |
| 59 | 2p | 0.2% |
| 60 | B+ | 100% |
| 60 | B+p | 100% |
| 60 | 2p | 14% |
| 61 | B+ | 100% |
| 61 | B+p | 87% |
| 62 | B+ | 100% |
X‑கதிர் சிதறல் காரணிகள் (506)
| ஆற்றல் (eV) | f₁ | f₂ |
|---|---|---|
| 10 | — | 3.01183 |
| 10.1617 | — | 3.05548 |
| 10.3261 | — | 3.09976 |
| 10.4931 | — | 3.14468 |
| 10.6628 | — | 3.19025 |
| 10.8353 | — | 3.21825 |
| 11.0106 | — | 3.20755 |
| 11.1886 | — | 3.19689 |
| 11.3696 | — | 3.18626 |
| 11.5535 | — | 3.17568 |
கூடுதல் தரவுகள்
Estimated Crustal Abundance
The estimated element abundance in the earth's crust.
1.5 milligrams per kilogram
மேற்கோள்கள் (1)
- [5] Germanium https://education.jlab.org/itselemental/ele032.html
Estimated Oceanic Abundance
The estimated element abundance in the earth's oceans.
5×10-5 milligrams per liter
மேற்கோள்கள் (1)
- [5] Germanium https://education.jlab.org/itselemental/ele032.html
Sources
Sources of this element.
The metal is found in
▸ argyrodite, a sulfide of germanium and silver;
▸ germanite, which contains 8 percent of the element;
▸ zinc ores;
▸ coal; and
▸ other minerals
The element is commercially obtained from the dust from smelters that process zinc ores. It is also recovered from combustion by-products of certain coals.
Germanium can be separated from other metals by fractional distillation of its volatile tetrachloride. These techniques permit the production of germanium of ultra-high purity.
மேற்கோள்கள் (1)
- [6] Germanium https://periodic.lanl.gov/32.shtml
மேற்கோள்கள்
(9)
Data deposited in or computed by PubChem
The half-life and atomic mass data was provided by the Atomic Mass Data Center at the International Atomic Energy Agency.
Element data are cited from the Atomic weights of the elements (an IUPAC Technical Report). The IUPAC periodic table of elements can be found at https://iupac.org/what-we-do/periodic-table-of-elements/. Additional information can be found within IUPAC publication doi:10.1515/pac-2015-0703 Copyright © 2020 International Union of Pure and Applied Chemistry.
The information are cited from Pure Appl. Chem. 2018; 90(12): 1833-2092, https://doi.org/10.1515/pac-2015-0703.
Thomas Jefferson National Accelerator Facility (Jefferson Lab) is one of 17 national laboratories funded by the U.S. Department of Energy. The lab's primary mission is to conduct basic research of the atom's nucleus using the lab's unique particle accelerator, known as the Continuous Electron Beam Accelerator Facility (CEBAF). For more information visit https://www.jlab.org/
The periodic table at the LANL (Los Alamos National Laboratory) contains basic element information together with the history, source, properties, use, handling and more. The provenance data may be found from the link under the source name.
The periodic table contains NIST's critically-evaluated data on atomic properties of the elements. The provenance data that include data for atomic spectroscopy, X-ray and gamma ray, radiation dosimetry, nuclear physics, and condensed matter physics may be found from the link under the source name. Ref: https://www.nist.gov/pml/atomic-spectra-database
This section provides all form of data related to element Germanium.
The element property data was retrieved from publications.