Gallium (Ga)
post-transition-metalSolid
தரநிலை அணு எடை
69.723 uஎலக்ட்ரான் அமைப்பு
[Ar] 4s2 3d10 4p1உருகுநிலை
29.76 °Cகொதிநிலை
2203.85 °Cஅடர்த்தி
5910 kg/m³ஆக்சிஜனேற்ற நிலைகள்
−5, −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3எலக்ட்ரான் கவர்திறன் (பாலிங்)
1.81அயனியாக்க ஆற்றல் (1வது)
5.999302 eVகண்டுபிடிக்கப்பட்ட ஆண்டு
1875அணு ஆரம்
130 pmவிவரங்கள்
Gallium is a soft post-transition metal in group 13, chemically related to aluminium and indium. It is notable for melting just above room temperature, forming low-melting alloys, and supplying semiconductors through compounds such as gallium arsenide and gallium nitride. In nature it is dispersed rather than concentrated in its own ores, so it is recovered mainly as a by-product of aluminium and zinc processing.
It is one of four metals mercury, cesium, and rubidium which can be liquid near room temperature and, thus, can be used in high-temperature thermometers. It has one of the longest liquid ranges of any metal and has a low vapor pressure even at high temperatures.
There is a strong tendency for gallium to supercool below its freezing point. Therefore, seeding may be necessary to initiate solidification.
Ultra-pure gallium has a beautiful, silvery appearance, and the solid metal exhibits a conchoidal fracture similar to glass. The metal expands 3.1 percent on solidifying; therefore, it should not be stored in glass or metal containers, because they may break as the metal solidifies.
High-purity gallium is attacked only slowly by mineral acids.
The name derives from the Latin gallia for France. It was discovered in zinc blende by the French chemist Paul-Emile Lecoq de Boisbaudran in 1875. It was first isolated in 1878 by Lecoq de Boisbaudran and the French chemist Émile-Clément Jungflesch.
First proposed to exist by Dmitri Mendeleyev in 1871 based on gaps in his newly created Periodic Table of Elements, gallium was discovered spectroscopically by the French chemist Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran in 1875. Later that same year, Lecoq was able to obtain pure gallium through the electrolysis of a solution of gallium hydroxide (Ga(OH)3) in potassium hydroxide (KOH). Trace amounts of gallium are found in diaspore, sphalerite, germanite and bauxite as well as in the byproducts of burning coal.
From the Latin word Gallia, France; also from Latin, gallus, a translation of "Lecoq," a cock. Predicted and described by Mendeleev as ekaaluminum, and discovered spectroscopically by Lecoq de Boisbaudran in 1875, who in the same year obtained the free metal by electrolysis of a solution of the hydroxide in KOH.
Pure gallium is a silvery, lustrous metal that is solid at ordinary room temperature but melts at about 30 °C. The solid is brittle enough to fracture, while the liquid readily wets many surfaces and can penetrate some metals, especially aluminium.
Gallium is used chiefly in compound semiconductors. Gallium arsenide (GaAs) is important in high-frequency electronics, optoelectronics, infrared light-emitting diodes, and some photovoltaic cells. Gallium nitride (GaN) is central to blue and ultraviolet light-emitting diodes, laser diodes, and efficient power electronics. Low-melting gallium alloys are used in thermometers, thermal interfaces, and specialized heat-transfer applications where mercury is undesirable. Radioisotopes such as ⁶⁷Ga and ⁶⁸Ga are used in diagnostic nuclear medicine.
Gallium melts near room temperature and has one of the largest liquid ranges of any metal, so it has found use in high temperature thermometers. Gallium easily forms alloys with most metals and has been used to create low melting alloys. Gallium is used as a doping material for semiconductors and has been used to produce solid-state items like transistors and light emitting diodes. Gallium arsenide (GaAs) can produce laser light directly from electricity. Large amounts of gallium trichloride (GaCl3) have been gathered to build the Gallium Neutrino Observatory, an observatory located in Italy built to study particles called neutrinos which are produced inside the sun during the process of nuclear fusion.
Gallium wets glass or porcelain and forms a brilliant mirror when it is painted on glass. It is widely used in doping semiconductors and producing solid-state devices such as transistors.
Magnesium gallate containing divalent impurities, such as Mn+2, is finding use in commercial ultraviolet-activated powder phosphors. Gallium arsenide is capable of converting electricity directly into coherent light. Gallium readily alloys with most metals, and has been used as a component in low-melting alloys.
Isotopes in Medicine
68Ga (with a half-life of 68 min) is a radioactive isotope that emits positrons, which are used to produce high-resolution imaging with positron emission tomography (PET). Unlike 18F, which is most commonly used, 68Ga is more easily produced using a cost-effective generator with the parent radionuclide 68Ge (with a half-life of 271 days) (Fig. IUPAC.31.1). Once produced, 68Ga easily couples to biomolecules (most commonly peptides) that target G-protein coupled receptors, which are over-expressed on human tumor cells. The labeled protein acts as a radioactive tracer for cancer diagnostics. PET images are often coupled with CT images to get a more complete picture of the body [256] I. Kayani, B. G. Conry, A. M. Groves, T. Win, J. Dickson, M. Caplin, J. B. Bomanji. J. Nucl. Med.50, 1927 (2009)., [257] M. Fani, J. P. André, H. R. Maecke. Contrast Media Mol. Imaging3, 67 (2008)., [258] G. J. Ehrhardt, M. J. Welch. J. Nucl. Med.19, 925 (1978)., [259] G. Ehrhardt, S. Wagner, M. J. Welch. J. Labelled Compd. Radiopharm.16, 111 (1979)., [260] M. V. Cantorias, S. D. Figueroa, T. P. Quinn, J. R. Lever, T. J. Hoffman, L. D. Watkinson, T. L. Carmack, C. S. Cutler. Nucl. Med. Biol.36, 505 (2009)., [261] J. C. Rold, T. L. Sieckman, G. L. Figueroa, S. D. Sublett, S. V. Engelbrecht, H. Cutler, C. S. Jurisson, S. S. Hoffman, T. J. Bottenus, B. N. Garrison. Trans. Am. Nucl. Soc.98, 802 (2008)., [262] J. Fitzsimmons, M. Fassbender, R. Atcher. J. Nucl. Med.48, 319 (2007).. Radiopharmaceutical 67Ga (with a half-life of 78 h) is a gamma-emitting isotope used in scintigraphy for medical imaging [263] S. M. Larson, P. B. Hoffer. “Normal patterns of localization”, in Gallium-67 Imaging, P. B. Hoffer, C. Bekerman, and R. E. Henkin (Eds.), John Wiley, New York (1978)., [264] A. Wirth, J. F. Seymour, R. J. Hicks, R. Ware, R. Fisher, M. Prince, M. P. MacManus, G. Ryan, H. Januszewicz, M. Wolf. Am. J. Med.112, 262 (2002)., [265] A. Vijayananthan, A. V. Arumugam, G. Kumar, D. Harichandra. Int. J. Biomed. Imaging4 (2), e23 (2008)..
Gallium most commonly adopts the +3 oxidation state, although lower-valent gallium chemistry is well established in specialized compounds. Gallium(III) oxide (Ga₂O₃) is a wide-band-gap oxide of growing interest for power and ultraviolet devices. Gallium arsenide (GaAs), gallium nitride (GaN), gallium phosphide (GaP), and gallium antimonide (GaSb) are important III-V semiconductors. Gallium(III) chloride (GaCl₃) is a Lewis acidic halide and forms many adducts. Gallium(III) salts often hydrolyze in water, reflecting the high charge density of Ga³⁺.
See more information at the Gallium compound page.
Compact gallium metal has low acute toxicity, but it can stain skin and damage aluminium parts by liquid-metal embrittlement. Dusts, fumes, and soluble gallium compounds require normal laboratory controls because toxicity depends strongly on compound form and exposure route. Gallium arsenide (GaAs) introduces additional concern from arsenic during machining, heating, or waste handling. Medical radioisotopes present isotope-specific radiation hazards.
Its toxicity appears to be of a low order, but should be handled with care until more data is available.
Gallium occurs at trace levels in many minerals, especially those associated with aluminium and zinc ores. It substitutes for chemically similar ions rather than forming abundant gallium minerals. Weathering and industrial processing can mobilize small amounts, but gallium is not a major nutrient and has no well-established biological role. Environmental concern is usually tied to mining residues, semiconductor waste, and associated elements such as arsenic rather than to metallic gallium alone.
Gallium supply is dominated by by-product recovery, especially from bauxite processing liquors and, to a lesser extent, zinc-processing streams. Because primary ores are not mined for gallium alone, output can be constrained by aluminium and zinc production, refinery technology, and purification capacity. Demand is driven mainly by semiconductor and optoelectronic materials, where high purity is essential. Recycling occurs from manufacturing scrap and some end-of-life material, but dispersed uses and complex devices limit complete recovery. Substitution is application-specific; silicon, silicon carbide, or other III-V compounds can replace gallium materials in some devices but not without design changes.
Gallium is often found as a trace element in diaspore, sphalerite, germanite, bauxite, and coal. Some flue dusts from burning coal have been shown to contain as much 1.5 percent gallium.
Gallium is a relatively rare element in the cosmos compared with lighter metals. Its stable isotopes, ⁶⁹Ga and ⁷¹Ga, are produced in stellar nucleosynthesis pathways involving neutron capture and related processes in evolved stars and supernova environments. In planetary materials it behaves as a moderately volatile, lithophile to chalcophile trace element and is used in geochemical studies of differentiation and volatility.
- Gallium expands on freezing, so solidification can break rigid containers.
- The liquid metal has an unusually wide liquid range before boiling.
- Gallium can diffuse into aluminium and make it crumble under stress.
- Natural gallium consists mainly of two stable isotopes, ⁶⁹Ga and ⁷¹Ga.
- Very high-purity gallium is needed for many semiconductor applications.
படங்கள்
பண்புகள்
இயற்பியல்
- அணு ஆரம் (சோதனைசார்)
- 130 pm அனைத்து தனிமங்களின் அணு ஆரம் (சோதனைசார்) ஒப்பிடுங்கள் →
- சகப்பிணைப்பு ஆரம்
- 122 pm அனைத்து தனிமங்களின் சகப்பிணைப்பு ஆரம் ஒப்பிடுங்கள் →
- வான் டெர் வால்ஸ் ஆரம்
- 187 pm அனைத்து தனிமங்களின் வான் டெர் வால்ஸ் ஆரம் ஒப்பிடுங்கள் →
- உலோக ஆரம்
- 125 pm அனைத்து தனிமங்களின் உலோக ஆரம் ஒப்பிடுங்கள் →
- அடர்த்தி
- 5910 kg/m³ அனைத்து தனிமங்களின் அடர்த்தி ஒப்பிடுங்கள் →
- மோலார் பருமன்
- 0.0118 L/mol
- STP இல் நிலை
- திடம் அனைத்து தனிமங்களின் STP இல் நிலை ஒப்பிடுங்கள் →
- உருகுநிலை
- 29.76 °C அனைத்து தனிமங்களின் உருகுநிலை ஒப்பிடுங்கள் →
- கொதிநிலை
- 2203.85 °C அனைத்து தனிமங்களின் கொதிநிலை ஒப்பிடுங்கள் →
- வெப்பக் கடத்துத்திறன்
- 28.1 W/(m·K) அனைத்து தனிமங்களின் வெப்பக் கடத்துத்திறன் ஒப்பிடுங்கள் →
- தன்வெப்ப ஏற்புத்திறன்
- 0.373 J/(g·K) அனைத்து தனிமங்களின் தன்வெப்ப ஏற்புத்திறன் ஒப்பிடுங்கள் →
- மோலார் வெப்ப ஏற்புத்திறன்
- 26.03 J/(mol·K) அனைத்து தனிமங்களின் மோலார் வெப்ப ஏற்புத்திறன் ஒப்பிடுங்கள் →
- படிக அமைப்பு
- செஞ்சாய்சதுரம் அனைத்து தனிமங்களின் படிக அமைப்பு ஒப்பிடுங்கள் →
வேதியியல்
- எலக்ட்ரான் கவர்திறன் (பாலிங்)
- 1.81 அனைத்து தனிமங்களின் எலக்ட்ரான் கவர்திறன் (பாலிங்) ஒப்பிடுங்கள் →
- எலக்ட்ரான் கவர்திறன் (ஆலன்)
- 1.756
- எலக்ட்ரான் நாட்டம்
- 0.3 eV
- அயனியாக்க ஆற்றல் (1வது)
- 5.999302 eV அனைத்து தனிமங்களின் அயனியாக்க ஆற்றல் (1வது) ஒப்பிடுங்கள் →
- அயனியாக்க ஆற்றல் (2வது)
- 20.515211 eV அனைத்து தனிமங்களின் அயனியாக்க ஆற்றல் (2வது) ஒப்பிடுங்கள் →
- அயனியாக்க ஆற்றல் (3வது)
- 30.725866 eV அனைத்து தனிமங்களின் அயனியாக்க ஆற்றல் (3வது) ஒப்பிடுங்கள் →
- அயனியாக்க ஆற்றல் (4வது)
- 63.241218 eV அனைத்து தனிமங்களின் அயனியாக்க ஆற்றல் (4வது) ஒப்பிடுங்கள் →
- அயனியாக்க ஆற்றல் (5வது)
- 86.010296 eV அனைத்து தனிமங்களின் அயனியாக்க ஆற்றல் (5வது) ஒப்பிடுங்கள் →
- ஆக்சிஜனேற்ற நிலைகள்
- −5, −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3 அனைத்து தனிமங்களின் ஆக்சிஜனேற்ற நிலைகள் ஒப்பிடுங்கள் →
- இணைதிறன் எலக்ட்ரான்கள்
- 3 அனைத்து தனிமங்களின் இணைதிறன் எலக்ட்ரான்கள் ஒப்பிடுங்கள் →
- எலக்ட்ரான் அமைப்பு
- [Ar] 4s2 3d10 4p1
வெப்ப இயக்கவியல்
- மும்மைப் புள்ளி (வெப்பநிலை)
- 29.7666 °C
- உருகுதல் வெப்பம்
- 0.05793647 eV அனைத்து தனிமங்களின் உருகுதல் வெப்பம் ஒப்பிடுங்கள் →
- ஆவியாதல் வெப்பம்
- 2.653262 eV அனைத்து தனிமங்களின் ஆவியாதல் வெப்பம் ஒப்பிடுங்கள் →
- பதங்கமாதல் வெப்பம்
- 2.808727 eV
- அணுவாக்க வெப்பம்
- 2.808727 eV
- அணுவாக்க என்தால்பி
- 2.818676 eV
அணுக்கரு
- புரோட்டான்கள்
- 31 அனைத்து தனிமங்களின் புரோட்டான்கள் ஒப்பிடுங்கள் →
- நியூட்ரான்கள்
- 38 அனைத்து தனிமங்களின் நியூட்ரான்கள் ஒப்பிடுங்கள் →
- அறியப்பட்ட ஐசோடோப்புகள்
- 33 அனைத்து தனிமங்களின் அறியப்பட்ட ஐசோடோப்புகள் ஒப்பிடுங்கள் →
- நிலையான ஐசோடோப்புகள்
- 2 அனைத்து தனிமங்களின் நிலையான ஐசோடோப்புகள் ஒப்பிடுங்கள் →
- மிக நிலையான ஐசோடோப்பு
- Ga-69
- கண்டுபிடிக்கப்பட்ட ஆண்டு
- 1875
மிகுதி
- மிகுதி (புவி மேலோடு)
- 19 mg/kg அனைத்து தனிமங்களின் மிகுதி (புவி மேலோடு) ஒப்பிடுங்கள் →
- மிகுதி (பெருங்கடல்)
- 3 × 10−5 mg/L அனைத்து தனிமங்களின் மிகுதி (பெருங்கடல்) ஒப்பிடுங்கள் →
படிக அமைப்பு
- அணிக்கோவை மாறிலி a
- 451 pm
எலக்ட்ரான் அமைப்பு
- ஒவ்வொரு கூட்டிலும் உள்ள எலக்ட்ரான்கள்
- 2, 8, 18, 3 அனைத்து தனிமங்களின் ஒவ்வொரு கூட்டிலும் உள்ள எலக்ட்ரான்கள் ஒப்பிடுங்கள் →
அடையாளங்காட்டிகள்
- CAS எண்
- 7440-55-3 அனைத்து தனிமங்களின் CAS எண் ஒப்பிடுங்கள் →
- நிறமாலை நிலைக் குறியீடு
- 2P°1/2
- InChI
- InChI=1S/Ga
- InChI விசை
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N
எலக்ட்ரான் அமைப்பு அளவிடப்பட்டது
Ga: 3d¹⁰ 4s² 4p¹[Ar] 3d¹⁰ 4s² 4p¹1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p⁶ 3d¹⁰ 4s² 4p¹அணு மாதிரி
ஐசோடோப்புகள் நியூட்ரான் எண்ணிக்கை, நிறை மற்றும் நிலைத்தன்மையை மாற்றுகின்றன — மின்னூட்டமற்ற அணுவின் எலக்ட்ரான் அமைப்பை அல்ல.
விளக்க அணு மாதிரி; அளவிற்கு ஏற்ப இல்லை.
அணு அடையாளத் தடம்
உமிழ்வு / உறிஞ்சல் நிறமாலை
ஐசோடோப்புப் பரவல்
| நிறை எண் | அணு நிறை (u) | இயற்கை மிகுதி | அரை ஆயுள் |
|---|---|---|---|
| 69 நிலையானது | 68.9255735 ± 0.0000013 | 60.1080% | நிலையானது |
| 71 நிலையானது | 70.92470258 ± 0.00000087 | 39.8920% | நிலையானது |
கட்டம் / நிலை
காரணம்: உருகுநிலைக்குக் (29.76 °C) கீழ் 4.8 °C
விளக்க வரைபடம், அளவிற்கு ஏற்ப இல்லை
நிலை மாற்றப் புள்ளிகள்
நிலைமாற்ற ஆற்றல்கள்
உருகுநிலையில் 1 mol ஐ உருக்கத் தேவையான ஆற்றல்
கொதிநிலையில் 1 mol ஐ ஆவியாக்கத் தேவையான ஆற்றல்
பதங்கமாதல் நிலையில் 1 mol ஐப் பதங்கமாக்கத் தேவையான ஆற்றல்
அடர்த்தி
தரநிலை நிலைமைகளில்
தரநிலை நிலைமைகளில்
மேம்பட்டவை
அணு நிறமாலைகள்
31 பதிவுகளில் 10 காட்டப்படுகின்றன. அயனி மின்னூட்டத்தின்படி ஏறுவரிசையில் வரிசைப்படுத்தப்பட்டுள்ளது.
நிறமாலைக் கோட்டுத் தரவுப் பதிவுகள் ?
| அயனி | மின்னூட்டம் | மொத்தக் கோடுகள் | நிலைமாற்ற நிகழ்தகவுகள் | மட்டக் குறியீடுகள் |
|---|---|---|---|---|
| Ga I | 0 | 342 | 23 | 342 |
| Ga II | +1 | 176 | 10 | 176 |
| Ga III | +2 | 113 | 2 | 113 |
| Ga IV | +3 | 594 | 0 | 594 |
| Ga V | +4 | 185 | 0 | 185 |
| Ga VI | +5 | 501 | 0 | 501 |
| Ga VII | +6 | 451 | 0 | 451 |
மட்டத் தரவுப் பதிவுகள் ?
| அயனி | மின்னூட்டம் | மட்டங்கள் |
|---|---|---|
| Ga I | 0 | 262 |
| Ga II | +1 | 96 |
| Ga III | +2 | 61 |
| Ga IV | +3 | 192 |
| Ga V | +4 | 92 |
| Ga VI | +5 | 158 |
| Ga VII | +6 | 181 |
| Ga VIII | +7 | 2 |
| Ga IX | +8 | 2 |
| Ga X | +9 | 2 |
அயனி ஆரங்கள்
| மின்னூட்டம் | அணைவு | தற்சுழற்சி | ஆரம் |
|---|---|---|---|
| +3 | 4 | கிடைக்கவில்லை | 47 pm |
| +3 | 5 | கிடைக்கவில்லை | 55.00000000000001 pm |
| +3 | 6 | கிடைக்கவில்லை | 62 pm |
சேர்மங்கள்
ஐசோடோப்புகள் (2)
| நிறை எண் | அணு நிறை (u) | இயற்கை மிகுதி | அரை ஆயுள் | சிதைவு முறை | |
|---|---|---|---|---|---|
| 69 நிலையானது | 68.9255735 ± 0.0000013 | 60.1080% ± 0.0090% | நிலையானது | stable | |
| 71 நிலையானது | 70.92470258 ± 0.00000087 | 39.8920% ± 0.0090% | நிலையானது | stable |
நிறமாலைக் கோடுகள்
| அலைநீளம் (nm) | செறிவு | அயனியாக்க நிலை | வகை | நிலைமாற்றம் | துல்லியம் | மூலம் | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 417.33 nm | கிடைக்கவில்லை | ID 486 | emission | 3s2.3p3 2P* → 3s2.3p3 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.0525 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.70p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.0525 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.70p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.0651 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.69p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.0651 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.69p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.08 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.68p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.08 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.68p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.0924 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.67p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.0924 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.67p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.1098 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.66p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.1098 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.66p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.1257 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.65p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.1257 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.65p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.1406 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.64p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.1406 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.64p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.1588 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.63p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.1588 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.63p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.1761 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.62p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.1761 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.62p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.1948 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.61p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.1948 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.61p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.2157 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.60p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.2157 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.60p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.2367 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.59p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.2367 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.59p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.2582 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.58p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.2582 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.58p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.2826 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.57p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.2826 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.57p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.3887 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.53p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.3887 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.53p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.4204 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.52p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.4204 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.52p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.4531 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.51p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.4531 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.51p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.4886 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.50p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.4886 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.50p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.5261 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.49p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.5261 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.49p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.5675 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.48p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.5675 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.48p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.6112 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.47p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.6112 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.47p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.6563 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.46p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.6563 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.46p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.7046 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.45p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.7046 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.45p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.7569 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.44p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.7569 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.44p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.8143 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.43p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.8143 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.43p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.8743 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.42p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.8743 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.42p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.94 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.41p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 424.94 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.41p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 425.4789 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.34d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 425.4799 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.34d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 426.035 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.30d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 426.0365 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.30d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 426.6348 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.27d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 426.6367 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.27d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 427.1688 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.25d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 427.1712 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.25d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 427.8589 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.23d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 427.8621 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.23d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 428.7731 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.21d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 428.7774 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.21d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 429.3459 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.20d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 429.3507 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.20d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 430.0203 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.19d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 430.026 nm | கிடைக்கவில்லை | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.19d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 448.84 nm | கிடைக்கவில்லை | ID 505 | emission | 5p 2P* → 5d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 459.16 nm | கிடைக்கவில்லை | ID 505 | emission | 5s 2S → 5p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 557 nm | கிடைக்கவில்லை | ID 482 | emission | 1s.5s 3S → 1s.5p 3P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 567.7 nm | கிடைக்கவில்லை | ID 498 | emission | 3s2.3p2 3P → 3s2.3p2 3P | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 587 nm | கிடைக்கவில்லை | ID 482 | emission | 1s.4p 3P* → 1s.4d 3D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 675 nm | கிடைக்கவில்லை | ID 486 | emission | 3s2.3p3 2D* → 3s2.3p3 2D* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 706.7 nm | கிடைக்கவில்லை | ID 505 | emission | 4p 2P* → 4d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST |
விரிவான பண்புகள்
சகப்பிணைப்பு ஆரங்கள் (விரிவானவை)
- சகப்பிணைப்பு ஆரம் (பியுக்கோ)
- 124 pm
- சகப்பிணைப்பு ஆரம் (பியுக்கோ, இரட்டைப் பிணைப்பு)
- 117 pm
- சகப்பிணைப்பு ஆரம் (பியுக்கோ, முப்பிணைப்பு)
- 121 pm
வான் டெர் வால்ஸ் ஆரங்கள்
- Bondi
- 187 pm
- Batsanov
- 210 pm
- Alvarez
- 232 pm
- UFF
- 438.3 pm
- MM3
- 246 pm
- Dreiding
- 439 pm
அணு மற்றும் உலோக ஆரங்கள்
- அணு ஆரம் (ராம்)
- 233 pm
- உலோக ஆரம் (C12)
- 140 pm
எண்ணிடல் அளவுகோல்கள்
- Mendeleev
- 83
- Pettifor
- 81
- Glawe
- 79
எலக்ட்ரான் கவர்திறன் அளவுகோல்கள்
- Ghosh
- 0
- Miedema
- 4
- Gunnarsson–Lundqvist
- 3
- Robles–Bartolotti
- 3
முனைவாக்கத்திறன் மற்றும் நிறப்பிரிகை
- இருமுனை முனைவாக்கத்திறன்
- 50 a.u.
- இருமுனை முனைவாக்கத்திறன் (நிச்சயமின்மை)
- 3 a.u.
- C₆
- 498 Ha·Bohr6
- C₆ (Gould–Bučko)
- 456 Ha·Bohr6
மீடெமா அளவுருக்கள்
- மீடெமா மோலார் பருமன்
- 11.82 cm3/mol
- மீடெமா எலக்ட்ரான் அடர்த்தி
- 2
விநியோக இடர் மற்றும் பொருளாதாரம்
- உற்பத்திக் குவிப்பு
- 54
- ஒப்பீட்டு விநியோக இடர்
- 8
- அரசியல் நிலைத்தன்மை (முன்னணி உற்பத்தியாளர்)
- 24
நிலை மாற்றங்கள் மற்றும் புறவேற்றுமை வடிவங்கள்
| உருகுநிலை | 302.91 K |
| கொதிநிலை | 2502.15 K |
| மும்மைப் புள்ளி (வெப்பநிலை) | 302.92 K |
ஆக்சிஜனேற்ற நிலை வகைகள்
மேம்பட்ட மேற்கோள் தரவுகள்
திரைமறைப்பு மாறிலிகள் (8)
| n | ஆர்பிட்டால் | σ |
|---|---|---|
| 1 | s | 0.6906 |
| 2 | p | 3.9092 |
| 2 | s | 8.401 |
| 3 | d | 15.9067 |
| 3 | p | 14.7964 |
| 3 | s | 14.0038 |
| 4 | p | 24.7784 |
| 4 | s | 23.9332 |
படிக ஆரங்களின் விவரங்கள் (3)
| மின்னூட்டம் | CN | தற்சுழற்சி | rcrystal (pm) | தோற்றம் |
|---|---|---|---|---|
| 3 | IV | 61 | ||
| 3 | V | 69 | ||
| 3 | VI | 76 | from r^3 vs V plots, |
ஐசோடோப்புச் சிதைவு முறைகள் (51)
| ஐசோடோப்பு | முறை | செறிவு |
|---|---|---|
| 56 | p | — |
| 57 | p | — |
| 58 | p | — |
| 59 | p | — |
| 60 | B+ | 100% |
| 60 | B+p | 1.6% |
| 60 | B+A | 0% |
| 61 | B+ | 100% |
| 61 | B+p | 0.3% |
| 62 | B+ | 100% |
X‑கதிர் சிதறல் காரணிகள் (506)
| ஆற்றல் (eV) | f₁ | f₂ |
|---|---|---|
| 10 | — | 2.98527 |
| 10.1617 | — | 2.98141 |
| 10.3261 | — | 2.97756 |
| 10.4931 | — | 2.9737 |
| 10.6628 | — | 2.96986 |
| 10.8353 | — | 2.96602 |
| 11.0106 | — | 2.95695 |
| 11.1886 | — | 2.90859 |
| 11.3696 | — | 2.86103 |
| 11.5535 | — | 2.81425 |
கூடுதல் தரவுகள்
Estimated Crustal Abundance
The estimated element abundance in the earth's crust.
1.9×101 milligrams per kilogram
மேற்கோள்கள் (1)
Estimated Oceanic Abundance
The estimated element abundance in the earth's oceans.
3×10-5 milligrams per liter
மேற்கோள்கள் (1)
Sources
Sources of this element.
Gallium is often found as a trace element in diaspore, sphalerite, germanite, bauxite, and coal. Some flue dusts from burning coal have been shown to contain as much 1.5 percent gallium.
மேற்கோள்கள் (1)
- [6] Gallium https://periodic.lanl.gov/31.shtml
மேற்கோள்கள்
(9)
Data deposited in or computed by PubChem
The half-life and atomic mass data was provided by the Atomic Mass Data Center at the International Atomic Energy Agency.
Element data are cited from the Atomic weights of the elements (an IUPAC Technical Report). The IUPAC periodic table of elements can be found at https://iupac.org/what-we-do/periodic-table-of-elements/. Additional information can be found within IUPAC publication doi:10.1515/pac-2015-0703 Copyright © 2020 International Union of Pure and Applied Chemistry.
The information are cited from Pure Appl. Chem. 2018; 90(12): 1833-2092, https://doi.org/10.1515/pac-2015-0703.
Thomas Jefferson National Accelerator Facility (Jefferson Lab) is one of 17 national laboratories funded by the U.S. Department of Energy. The lab's primary mission is to conduct basic research of the atom's nucleus using the lab's unique particle accelerator, known as the Continuous Electron Beam Accelerator Facility (CEBAF). For more information visit https://www.jlab.org/
The periodic table at the LANL (Los Alamos National Laboratory) contains basic element information together with the history, source, properties, use, handling and more. The provenance data may be found from the link under the source name.
The periodic table contains NIST's critically-evaluated data on atomic properties of the elements. The provenance data that include data for atomic spectroscopy, X-ray and gamma ray, radiation dosimetry, nuclear physics, and condensed matter physics may be found from the link under the source name. Ref: https://www.nist.gov/pml/atomic-spectra-database
This section provides all form of data related to element Gallium.
The element property data was retrieved from publications.