Silicon (Si)
metalloidSolid
தரநிலை அணு எடை
28.085 u [28.084, 28.086]எலக்ட்ரான் அமைப்பு
[Ne] 3s2 3p2உருகுநிலை
1413.85 °Cகொதிநிலை
3264.85 °Cஅடர்த்தி
2329.6 kg/m³ஆக்சிஜனேற்ற நிலைகள்
−4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3, +4எலக்ட்ரான் கவர்திறன் (பாலிங்)
1.9அயனியாக்க ஆற்றல் (1வது)
8.15168 eVகண்டுபிடிக்கப்பட்ட ஆண்டு
1824அணு ஆரம்
110 pmவிவரங்கள்
Silicon is a hard, brittle metalloid in group 14. It is tetravalent in most compounds and forms strong bonds to oxygen, making silicates the dominant minerals of Earth’s crust. Elemental silicon is central to modern electronics because its oxide, silicon dioxide, can be grown as a stable insulating layer. In bulk chemistry it is less reactive than carbon at ordinary temperatures, but it dissolves or reacts under strongly alkaline, oxidizing, or high-temperature conditions.
Crystalline silicon has a metallic luster and grayish color. Silicon is a relatively inert element, but it is attacked by halogens and dilute alkali. Most acids, except hydrofluoric, do not affect it. Elemental silicon transmits more than 95% of all wavelengths of infrared, from 1.3 to 6.y micro-m.
The name derives from the Latin silex and silicis for "flint". Amorphous silicon was discovered by the Swedish chemist Jöns Jacob Berzelius in 1824. Crystalline silicon was first prepared by the French chemist Henri Sainte-Claire Deville in 1854.
Silicon was discovered by Jöns Jacob Berzelius, a Swedish chemist, in 1824 by heating chips of potassium in a silica container and then carefully washing away the residual by-products. Silicon is the seventh most abundant element in the universe and the second most abundant element in the earth's crust. Today, silicon is produced by heating sand (SiO2) with carbon to temperatures approaching 2200°C.
From the Latin. word silex, silicis, flint. In 1800, Davy thought silica to be a compound and not an element; but in 1811, Gay Lussac and Thenard probably prepared impure amorphous silicon by heating potassium with silicon tetrafluoride.
In 1824 Berzelius, generally credited with the discovery, prepared amorphous silicon by the same general method and purified the product by removing the fluosilicates by repeated washings. Deville in 1854 first prepared crystalline silicon, the second allotropic form of the element.
Pure crystalline silicon is a dark gray solid with a metallic luster and a diamond-cubic structure. It is brittle rather than malleable. Amorphous silicon is usually a brown to dark gray powder or thin film, with properties that depend strongly on preparation.
High-purity silicon is used for integrated circuits, power electronics, sensors, and photovoltaic cells. Lower-purity metallurgical silicon is used to make aluminum-silicon casting alloys, silicones, silanes, and silica-derived materials. Ferrosilicon is an important deoxidizer and alloying additive in steelmaking. Silicon carbide abrasives and refractories are often produced from silica and carbon, but their use depends on the compound rather than the free element.
Two allotropes of silicon exist at room temperature: amorphous and crystalline. Amorphous appears as a brown powder while crystalline silicon has a metallic luster and a grayish color. Single crystals of crystalline silicon can be grown with a process known as the Czochralski process. These crystals, when doped with elements such as boron, gallium, germanium, phosphorus or arsenic, are used in the manufacture of solid-state electronic devices, such as transistors, solar cells, rectifiers and microchips.
Silicon dioxide (SiO2), silicon's most common compound, is the most abundant compound in the earth's crust. It commonly takes the form of ordinary sand, but also exists as quartz, rock crystal, amethyst, agate, flint, jasper and opal. Silicon dioxide is extensively used in the manufacture of glass and bricks. Silica gel, a colloidal form of silicon dioxide, easily absorbs moisture and is used as a desiccant.
Silicon forms other useful compounds. Silicon carbide (SiC) is nearly as hard as diamond and is used as an abrasive. Sodium silicate (Na2SiO3), also known as water glass, is used in the production of soaps, adhesives and as an egg preservative. Silicon tetrachloride (SiCl4) is used to create smoke screens. Silicon is also an important ingredient in silicone, a class of material that is used for such things as lubricants, polishing agents, electrical insulators and medical implants.
Silicon is one of man's most useful elements. In the form of sand and clay it is used to make concrete and brick; it is a useful refractory material for high-temperature work, and in the form of silicates it is used in making enamels, pottery, etc. Silica, as sand, is a principal ingredient of glass, one of the most inexpensive of materials with excellent mechanical, optical, thermal, and electrical properties. Glass can be made in a very great variety of shapes, and is used as containers, window glass, insulators, and thousands of other uses. Silicon tetrachloride can be used as iridize glass.
Hyperpure silicon can be doped with boron, gallium, phosphorus, or arsenic to produce silicon for use in transistors, solar cells, rectifiers, and other solid-state devices which are used extensively in the electronics and space-age industries.
Hydrogenated amorphous silicon has shown promise in producing economical cells for converting solar energy into electricity.
Silicon is important to plant and animal life. Diatoms in both fresh and salt water extract Silica from the water to build their cell walls. Silica is present in the ashes of plants and in the human skeleton. Silicon is an important ingredient in steel; silicon carbide is one of the most important abrasives and has been used in lasers to produce coherent light of 4560 A.
Silcones are important products of silicon. They may be prepared by hydrolyzing a silicon organic chloride, such as dimethyl silicon chloride. Hydrolysis and condensation of various substituted chlorosilanes can be used to produce a very great number of polymeric products, or silicones, ranging from liquids to hard, glasslike solids with many useful properties.
Isotopes in Earth/Planetary Science
Because molecules, atoms, and ions of the stable isotopes of silicon possess slightly different physical and chemical properties, they commonly will be fractionated during physical, chemical, and biological processes, giving rise to variations in isotopic abundances and in atomic weights. There are substantial variations in the isotopic abundances of silicon in natural terrestrial materials (Fig. IUPAC.14.1). These variations are useful in investigating the origin of substances and studying environmental, hydrological, and geological processes [13] M. W. Wieser, T. B. Coplen. Pure Appl Chem.83, 359 (2011)., [17] T. B. Coplen, J. A. Hopple, J. K. Böhlke, H. S. Peiser, S. E. Rieder, H. R. Krouse, K. J. R. Rosman, T. Ding, R. D. Vocke, K. Revesz, A. Lamberty, P. D. P. Taylor, P. D. Bièvre. United States Geological Survey Water-Resources Investigations Report, 01-4222, (2002).. Diatoms, a major group of algae, need silicon to build up their opaline shells and prefer 28Si while taking up Si(OH)4, which is the biologically available form of silicon in the marine environment. This progressively enriches surface waters with 29Si and 30Si [123] S. Kristiansen, T. Farbrot, L. J. Naustvoll. Limnol. Oceanogr.45, 472 (2000).. 32Si-labeled silicic acid of high specific radioactivity is used to measure uptake rates of Si and estimate marine sedimentation of biogenic (created by living organisms) silica (by diatoms and sea shells). By performing uptake kinetic experiments, the 32Si activity can be measured as 32P using counting of Cherenkov radiation (radiation produced by charged particles passing through a medium at a speed greater than that of light through the same medium — after Soviet physicist Pavel A. Cherenkov) with a liquid scintillation analyzer (measuring ionizing radiation using the interaction of radiation on a material and counting the resulting photon emissions).
Isotopes in Geochronology
Cosmogenic 32Si has a half-life of about 150 years and is produced by cosmic-ray spallation of argon in the stratosphere and troposphere [124] C. Schnabel, J. Beer, H. B. Clausen. Geophys. Res. Abstr.11, (2009).. 32Si in dust is precipitated in snow, making it possible to date dust in snow and glacial ice (Fig. IUPAC.14.2). Glaciers are archives for global climate history because they contain a variety of proxies (imprints of past environmental conditions used to interpret paleoclimate) for climate forcing and climate response. Cosmogenic 32Si that is stored in glaciers and ice-core samples can be analyzed using accelerator mass spectrometry to date when sections of glaciers formed [125] SAHRA – Sustainability of Semi-Arid Hydrology and Riparian Areas. Silicon, SAHRA – Sustainability of Semi-Arid Hydrology and Riparian Areas (2014), Feb. 24; http://web.sahra.arizona.edu/programs/isotopes/silicon.html., [126] GNS Science. Climate Change Studies & Ice Core Research, GNS Science (2014), Feb. 24; http://www.gns.cri.nz/Home/Services/Laboratories-Facilities/Tritium-and-Water-Dating-Laboratory/Research-Programmes/Climate-change-studies-ice-core-research..
Isotopes in Industry
At Keio University in Japan, the Itoh Research Group has developed a method that utilizes 29Si to store and process information. The Itoh Research Group focused on manipulating the nanostructure of materials at an atomic level, especially with semiconductors such as silicon. Their manipulations and observations demonstrate that differences in the nuclear spin and mass of an isotope affects the ease of further manipulation of the isotope [128] Kohei ITOH research group at Keio University, Japan. Itoh Group at Keio University, Japan, Kohei ITOH research group at Keio University, Japan (2014), Feb. 24; http://www.appi.keio.ac.jp/Itoh_group/research/., [129] T. Itahashi, H. Hayashi, M. R. Rahman, K. M. Itoh, L. S. Vlasenko, M. P. Vlasenko, D. S. Poloskin. Phys. Rev. B87, 075201-1 (2013)..
Silicon crystals enriched to higher than 99.99 percent purity of 28Si are being used in the Avogadro Project. This project is intended to remeasure the Avogadro constant (NA), which is the proportionality factor between the amount of substance and number of elementary entities [130] R. Marquardt, J. Meija, Z. Mester, M. Towns, R. Weir, R. Davis, J. Stohner. Pure Appl. Chem.90, 175 (2018)..
Silicon chemistry is dominated by the +4 oxidation state, although lower formal states occur in some silicides and specialized molecular compounds. Silicon dioxide, SiO₂, occurs as quartz and many other forms and is the basis of glass, ceramics, and semiconductor gate oxides. Silicates contain SiO₄ tetrahedra in isolated, chain, sheet, or framework arrangements. Silicon tetrachloride, SiCl₄, and trichlorosilane, HSiCl₃, are important intermediates for purified silicon and organosilicon chemistry. Silicones contain Si–O backbones with organic substituents.
See more information at the Silicon compound page.
Bulk crystalline silicon has low chemical toxicity, but fine silicon dust can irritate the eyes and respiratory tract and may pose dust-explosion risks in air. Inhalation hazards are more serious for respirable crystalline silica, SiO₂, which can cause silicosis; that risk belongs to the oxide, not elemental silicon. Silanes such as silane, SiH₄, can be pyrophoric or highly flammable. Semiconductor processing also involves corrosive and toxic reagents not inherent to silicon itself.
Miners, stonecutters, and others engaged in work where siliceous dust is breathed into large quantities often develop a serious lung disease known as silicosis.
Silicon is a major component of soils, rocks, clays, and natural waters, mostly as silicates and dissolved silicic acid, H₄SiO₄. Weathering releases soluble silicon, which rivers carry to lakes and oceans. Diatoms, radiolarians, and some plants use silica biomineralization, linking silicon to biological and sedimentary cycles. Elemental silicon is not persistent as a native environmental material under surface conditions.
Silicon is produced industrially by reducing quartz or other high-silica feedstocks with carbon in electric arc furnaces, yielding metallurgical-grade material. Semiconductor and solar uses require further purification and crystal growth or deposition, which are energy- and capital-intensive steps. Demand is split between large-volume alloy and chemical markets and smaller but very high-purity electronic markets. Recycling occurs in aluminum alloys and semiconductor manufacturing scrap, but end-of-life recovery from complex electronics is limited by dilution and contamination.
Silicon is present in the sun and stars and is a principal component of a class of meteorites known as aerolites. It is also a component of tektites, a natural glass of uncertain origin.
Silicon makes up 25.7% of the earth's crust, by weight, and is the second most abundant element, being exceeded only by oxygen. Silicon is not found free in nature, but occurs chiefly as the oxide and as silicates. Sand, quartz, rock crystal, amethyst, agate, flint, jasper, and opal are some of the forms in which the oxide appears. Granite, hornblende, asbestos, feldspar, clay, mica, etc. are but a few of the numerous silicate minerals.
Silicon is prepared commercially by heating silica and carbon in an electric furnace, using carbon electrodes. Several other methods can be used for preparing the element. Amorphous silicon can be prepared as a brown powder, which can be easily melted or vaporized. The Czochralski process is commonly used to produce single crystals of silicon used for solid-state or semiconductor devices. Hyperpure silicon can be prepared by the thermal decomposition of ultra-pure trichlorosilane in a hydrogen atmosphere, and by a vacuum float zone process.
Silicon is among the more abundant heavy elements in the cosmos. It is formed in massive stars during advanced burning stages and is further redistributed by supernovae. In rocky planets and meteorites it is chiefly bound with oxygen and metals as silicate minerals. Spectral features of silicate dust are common in interstellar and circumstellar environments.
- The natural oxide on silicon is only a few nanometers thick but is chemically important.
- Ultra-pure silicon crystals can be grown with impurity levels far below one part per billion.
- Dopants such as boron or phosphorus control whether silicon behaves as p-type or n-type semiconductor material.
- Many common gemstones, including quartz varieties, are forms or mixtures dominated by SiO₂.
- Silicon expands on freezing, like water and a few other substances.
படங்கள்
பண்புகள்
இயற்பியல்
- அணு ஆரம் (சோதனைசார்)
- 110 pm அனைத்து தனிமங்களின் அணு ஆரம் (சோதனைசார்) ஒப்பிடுங்கள் →
- சகப்பிணைப்பு ஆரம்
- 111 pm அனைத்து தனிமங்களின் சகப்பிணைப்பு ஆரம் ஒப்பிடுங்கள் →
- வான் டெர் வால்ஸ் ஆரம்
- 210 pm அனைத்து தனிமங்களின் வான் டெர் வால்ஸ் ஆரம் ஒப்பிடுங்கள் →
- உலோக ஆரம்
- 117 pm அனைத்து தனிமங்களின் உலோக ஆரம் ஒப்பிடுங்கள் →
- அடர்த்தி
- 2329.6 kg/m³ அனைத்து தனிமங்களின் அடர்த்தி ஒப்பிடுங்கள் →
- மோலார் பருமன்
- 0.0121 L/mol
- STP இல் நிலை
- திடம் அனைத்து தனிமங்களின் STP இல் நிலை ஒப்பிடுங்கள் →
- உருகுநிலை
- 1413.85 °C அனைத்து தனிமங்களின் உருகுநிலை ஒப்பிடுங்கள் →
- கொதிநிலை
- 3264.85 °C அனைத்து தனிமங்களின் கொதிநிலை ஒப்பிடுங்கள் →
- வெப்பக் கடத்துத்திறன்
- 149 W/(m·K) அனைத்து தனிமங்களின் வெப்பக் கடத்துத்திறன் ஒப்பிடுங்கள் →
- தன்வெப்ப ஏற்புத்திறன்
- 0.712 J/(g·K) அனைத்து தனிமங்களின் தன்வெப்ப ஏற்புத்திறன் ஒப்பிடுங்கள் →
- மோலார் வெப்ப ஏற்புத்திறன்
- 19.99 J/(mol·K) அனைத்து தனிமங்களின் மோலார் வெப்ப ஏற்புத்திறன் ஒப்பிடுங்கள் →
- படிக அமைப்பு
- வைரக் கனசதுரம் அனைத்து தனிமங்களின் படிக அமைப்பு ஒப்பிடுங்கள் →
வேதியியல்
- எலக்ட்ரான் கவர்திறன் (பாலிங்)
- 1.9 அனைத்து தனிமங்களின் எலக்ட்ரான் கவர்திறன் (பாலிங்) ஒப்பிடுங்கள் →
- எலக்ட்ரான் கவர்திறன் (ஆலன்)
- 1.916
- எலக்ட்ரான் நாட்டம்
- 1.385 eV
- அயனியாக்க ஆற்றல் (1வது)
- 8.15168 eV அனைத்து தனிமங்களின் அயனியாக்க ஆற்றல் (1வது) ஒப்பிடுங்கள் →
- அயனியாக்க ஆற்றல் (2வது)
- 16.345906 eV அனைத்து தனிமங்களின் அயனியாக்க ஆற்றல் (2வது) ஒப்பிடுங்கள் →
- அயனியாக்க ஆற்றல் (3வது)
- 33.493115 eV அனைத்து தனிமங்களின் அயனியாக்க ஆற்றல் (3வது) ஒப்பிடுங்கள் →
- அயனியாக்க ஆற்றல் (4வது)
- 45.141945 eV அனைத்து தனிமங்களின் அயனியாக்க ஆற்றல் (4வது) ஒப்பிடுங்கள் →
- அயனியாக்க ஆற்றல் (5வது)
- 166.767574 eV அனைத்து தனிமங்களின் அயனியாக்க ஆற்றல் (5வது) ஒப்பிடுங்கள் →
- ஆக்சிஜனேற்ற நிலைகள்
- −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3, +4 அனைத்து தனிமங்களின் ஆக்சிஜனேற்ற நிலைகள் ஒப்பிடுங்கள் →
- இணைதிறன் எலக்ட்ரான்கள்
- 4 அனைத்து தனிமங்களின் இணைதிறன் எலக்ட்ரான்கள் ஒப்பிடுங்கள் →
- எலக்ட்ரான் அமைப்பு
- [Ne] 3s2 3p2
வெப்ப இயக்கவியல்
- உருகுதல் வெப்பம்
- 0.52039177 eV அனைத்து தனிமங்களின் உருகுதல் வெப்பம் ஒப்பிடுங்கள் →
- ஆவியாதல் வெப்பம்
- 3.720786 eV அனைத்து தனிமங்களின் ஆவியாதல் வெப்பம் ஒப்பிடுங்கள் →
- பதங்கமாதல் வெப்பம்
- 4.670778 eV
- அணுவாக்க வெப்பம்
- 4.670778 eV
- அணுவாக்க என்தால்பி
- 4.663937 eV
அணுக்கரு
- புரோட்டான்கள்
- 14 அனைத்து தனிமங்களின் புரோட்டான்கள் ஒப்பிடுங்கள் →
- நியூட்ரான்கள்
- 14 அனைத்து தனிமங்களின் நியூட்ரான்கள் ஒப்பிடுங்கள் →
- அறியப்பட்ட ஐசோடோப்புகள்
- 24 அனைத்து தனிமங்களின் அறியப்பட்ட ஐசோடோப்புகள் ஒப்பிடுங்கள் →
- நிலையான ஐசோடோப்புகள்
- 3 அனைத்து தனிமங்களின் நிலையான ஐசோடோப்புகள் ஒப்பிடுங்கள் →
- மிக நிலையான ஐசோடோப்பு
- Si-28
- கண்டுபிடிக்கப்பட்ட ஆண்டு
- 1824
மிகுதி
- மிகுதி (புவி மேலோடு)
- 2.82e+5 mg/kg அனைத்து தனிமங்களின் மிகுதி (புவி மேலோடு) ஒப்பிடுங்கள் →
- மிகுதி (பெருங்கடல்)
- 2.2 mg/L அனைத்து தனிமங்களின் மிகுதி (பெருங்கடல்) ஒப்பிடுங்கள் →
படிக அமைப்பு
- அணிக்கோவை மாறிலி a
- 543 pm
எலக்ட்ரான் அமைப்பு
- ஒவ்வொரு கூட்டிலும் உள்ள எலக்ட்ரான்கள்
- 2, 8, 4 அனைத்து தனிமங்களின் ஒவ்வொரு கூட்டிலும் உள்ள எலக்ட்ரான்கள் ஒப்பிடுங்கள் →
அடையாளங்காட்டிகள்
- CAS எண்
- 7440-21-3 அனைத்து தனிமங்களின் CAS எண் ஒப்பிடுங்கள் →
- நிறமாலை நிலைக் குறியீடு
- 3P0
- InChI
- InChI=1S/Si
- InChI விசை
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N
எலக்ட்ரான் அமைப்பு அளவிடப்பட்டது
Si: 3s² 3p²[Ne] 3s² 3p²1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p²அணு மாதிரி
ஐசோடோப்புகள் நியூட்ரான் எண்ணிக்கை, நிறை மற்றும் நிலைத்தன்மையை மாற்றுகின்றன — மின்னூட்டமற்ற அணுவின் எலக்ட்ரான் அமைப்பை அல்ல.
விளக்க அணு மாதிரி; அளவிற்கு ஏற்ப இல்லை.
அணு அடையாளத் தடம்
உமிழ்வு / உறிஞ்சல் நிறமாலை
ஐசோடோப்புப் பரவல்
| நிறை எண் | அணு நிறை (u) | இயற்கை மிகுதி | அரை ஆயுள் |
|---|---|---|---|
| 28 நிலையானது | 27.97692653465 ± 0.00000000044 | 92.2230% | நிலையானது |
| 29 நிலையானது | 28.9764946649 ± 0.00000000052 | 4.6850% | நிலையானது |
| 30 நிலையானது | 29.973770136 ± 0.000000023 | 3.0920% | நிலையானது |
கட்டம் / நிலை
காரணம்: உருகுநிலைக்குக் (1413.85 °C) கீழ் 1388.8 °C
விளக்க வரைபடம், அளவிற்கு ஏற்ப இல்லை
நிலை மாற்றப் புள்ளிகள்
நிலைமாற்ற ஆற்றல்கள்
உருகுநிலையில் 1 mol ஐ உருக்கத் தேவையான ஆற்றல்
கொதிநிலையில் 1 mol ஐ ஆவியாக்கத் தேவையான ஆற்றல்
பதங்கமாதல் நிலையில் 1 mol ஐப் பதங்கமாக்கத் தேவையான ஆற்றல்
அடர்த்தி
தரநிலை நிலைமைகளில்
தரநிலை நிலைமைகளில்
அணு நிறமாலைகள்
14 பதிவுகளில் 10 காட்டப்படுகின்றன. அயனி மின்னூட்டத்தின்படி ஏறுவரிசையில் வரிசைப்படுத்தப்பட்டுள்ளது.
நிறமாலைக் கோட்டுத் தரவுப் பதிவுகள் ?
| அயனி | மின்னூட்டம் | மொத்தக் கோடுகள் | நிலைமாற்ற நிகழ்தகவுகள் | மட்டக் குறியீடுகள் |
|---|---|---|---|---|
| Si I | 0 | 754 | 639 | 640 |
| Si II | +1 | 590 | 474 | 474 |
| Si III | +2 | 1298 | 1288 | 1288 |
| Si IV | +3 | 332 | 314 | 314 |
| Si V | +4 | 151 | 143 | 143 |
| Si VI | +5 | 346 | 346 | 346 |
| Si VII | +6 | 233 | 233 | 233 |
| Si VIII | +7 | 269 | 269 | 269 |
| Si IX | +8 | 366 | 366 | 366 |
| Si X | +9 | 315 | 315 | 315 |
மட்டத் தரவுப் பதிவுகள் ?
| அயனி | மின்னூட்டம் | மட்டங்கள் |
|---|---|---|
| Si I | 0 | 542 |
| Si II | +1 | 151 |
| Si III | +2 | 189 |
| Si IV | +3 | 55 |
| Si V | +4 | 99 |
| Si VI | +5 | 72 |
| Si VII | +6 | 65 |
| Si VIII | +7 | 60 |
| Si IX | +8 | 67 |
| Si X | +9 | 55 |
அயனி ஆரங்கள்
| மின்னூட்டம் | அணைவு | தற்சுழற்சி | ஆரம் |
|---|---|---|---|
| +4 | 4 | கிடைக்கவில்லை | 26 pm |
| +4 | 6 | கிடைக்கவில்லை | 40 pm |
சேர்மங்கள்
ஐசோடோப்புகள் (3)
| நிறை எண் | அணு நிறை (u) | இயற்கை மிகுதி | அரை ஆயுள் | சிதைவு முறை | |
|---|---|---|---|---|---|
| 28 நிலையானது | 27.97692653465 ± 0.00000000044 | 92.2230% ± 0.0190% | நிலையானது | stable | |
| 29 நிலையானது | 28.9764946649 ± 0.00000000052 | 4.6850% ± 0.0080% | நிலையானது | stable | |
| 30 நிலையானது | 29.973770136 ± 0.000000023 | 3.0920% ± 0.0110% | நிலையானது | stable |
நிறமாலைக் கோடுகள்
474 பதிவுகளில் 50 காட்டப்படுகின்றன. இயல்பாக, அளவிடப்பட்ட செறிவுள்ள நிறமாலைக் கோடுகள் மட்டுமே காட்டப்படுகின்றன.
| அலைநீளம் (nm) | செறிவு | அயனியாக்க நிலை | வகை | நிலைமாற்றம் | துல்லியம் | மூலம் | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 504.1024 nm | 1000 | Si II | emission | 3s2.4p 2P* → 3s2.4d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 505.5984 nm | 1000 | Si II | emission | 3s2.4p 2P* → 3s2.4d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 634.711 nm | 1000 | Si II | emission | 3s2.4s 2S → 3s2.4p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 637.137 nm | 1000 | Si II | emission | 3s2.4s 2S → 3s2.4p 2P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 595.756 nm | 500 | Si II | emission | 3s2.4p 2P* → 3s2.5s 2S | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 597.893 nm | 500 | Si II | emission | 3s2.4p 2P* → 3s2.5s 2S | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 390.55231 nm | 300 | Si I | emission | 3s2.3p2 1S → 3s2.3p.4s 1P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 594.8541 nm | 200 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 1P* → 3s2.3p.5p 1D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 700.3569 nm | 180 | Si I | emission | 3s2.3p.4p 3D → 3s2.3p.6d 3F* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 700.588 nm | 180 | Si I | emission | 3s2.3p.4p 3D → 3s2.3p.6d 3F* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 570.84 nm | 160 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 3P* → 3s2.3p.5p 3P | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 462.1722 nm | 150 | Si II | emission | 3s2.4d 2D → 3s2.7f 2F* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 568.4484 nm | 120 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 3P* → 3s2.3p.5p 3S | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 462.1418 nm | 100 | Si II | emission | 3s2.4d 2D → 3s2.7f 2F* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 569.0425 nm | 100 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 3P* → 3s2.3p.5p 3P | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 579.7856 nm | 100 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 3P* → 3s2.3p.5p 3D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 667.184 nm | 100 | Si II | emission | 3s.3p.(3P*).4s 4P* → 3s.3p.(3P*).4p 4D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 672.1848 nm | 100 | Si I | emission | 3s2.3p.4p 1P → 3s2.3p.6d 1D* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 564.5613 nm | 90 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 3P* → 3s2.3p.5p 3P | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 570.1104 nm | 90 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 3P* → 3s2.3p.5p 3P | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 579.3073 nm | 90 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 3P* → 3s2.3p.5p 3D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 479.2324 nm | 80 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 3P* → 3s2.3p.(2P*<3/2>).6p<1/2> (3/2,1/2) | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 566.5555 nm | 80 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 3P* → 3s2.3p.5p 3P | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 697.651 nm | 80 | Si I | emission | 3s2.3p.4p 3D → 3s2.3p.6d 3F* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 410.29359 nm | 70 | Si I | emission | 3s2.3p2 1S → 3s2.3p.4s 3P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 577.2146 nm | 70 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 1P* → 3s2.3p.5p 1S | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 578.0384 nm | 70 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 3P* → 3s2.3p.5p 3D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 719.355 nm | 65 | Si I | emission | 3s2.3p.4p 3P → 3s2.3p.6d 3D* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 478.2991 nm | 50 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 3P* → 3s2.3p.(2P*<3/2>).6p<1/2> (3/2,1/2) | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 682.983 nm | 50 | Si II | emission | 3s2.5p 2P* → 3s2.6d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 575.4218 nm | 45 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 3P* → 3s2.3p.5p 3P | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 633.1956 nm | 45 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 1P* → 3s2.3p.5p 1P | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 655.5463 nm | 45 | Si I | emission | 3s2.3p.4p 3D → 3s2.3p.7d 3F* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 500.6059 nm | 40 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 1P* → 3s2.3p.(2P*<3/2>).6p<3/2> (3/2,3/2) | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 479.2213 nm | 35 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 3P* → 3s2.3p.(2P*<1/2>).6p<1/2> (1/2,1/2) | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 380.6526 nm | 30 | Si III | emission | 3s.4p 3P* → 3s.4d 3D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 455.2622 nm | 30 | Si III | emission | 3s.4s 3S → 3s.4p 3P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 494.7607 nm | 30 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 1P* → 3s2.3p.(2P*<3/2>).6p<3/2> (3/2,3/2) | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 562.222 nm | 30 | Si I | emission | 3s2.3p.4s 3P* → 3s2.3p.5p 3S | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 681.841 nm | 30 | Si II | emission | 3s2.5p 2P* → 3s2.6d 2D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 456.784 nm | 25 | Si III | emission | 3s.4s 3S → 3s.4p 3P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 392.4468 nm | 20 | Si III | emission | 3s.4f 1F* → 3s.5g 1G | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 457.4757 nm | 20 | Si III | emission | 3s.4s 3S → 3s.4p 3P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 573.973 nm | 20 | Si III | emission | 3s.4s 1S → 3s.4p 1P* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 669.94 nm | 20 | Si II | emission | 3s.3p.(3P*).4s 4P* → 3s.3p.(3P*).4p 4D | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 482.895 nm | 18 | Si III | emission | 3s.4f 3F* → 3s.5g 3G | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 471.6654 nm | 16 | Si III | emission | 3s.4d 1D → 3s.5f 1F* | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 481.9712 nm | 16 | Si III | emission | 3s.4f 3F* → 3s.5g 3G | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 481.3333 nm | 15 | Si III | emission | 3s.4f 3F* → 3s.5g 3G | அளவிடப்பட்டது | NIST | |
| 666.503 nm | 15 | Si II | emission | 3s.3p.(3P*).4s 4P* → 3s.3p.(3P*).4p 4D | அளவிடப்பட்டது | NIST |
விரிவான பண்புகள்
சகப்பிணைப்பு ஆரங்கள் (விரிவானவை)
- சகப்பிணைப்பு ஆரம் (பியுக்கோ)
- 116 pm
- சகப்பிணைப்பு ஆரம் (பியுக்கோ, இரட்டைப் பிணைப்பு)
- 107 pm
- சகப்பிணைப்பு ஆரம் (பியுக்கோ, முப்பிணைப்பு)
- 102 pm
- சகப்பிணைப்பு ஆரம் (பிராக்)
- 117 pm
வான் டெர் வால்ஸ் ஆரங்கள்
- Bondi
- 210 pm
- Batsanov
- 210 pm
- Alvarez
- 219 pm
- UFF
- 429.5 pm
- MM3
- 229 pm
- Dreiding
- 427 pm
அணு மற்றும் உலோக ஆரங்கள்
- அணு ஆரம் (ராம்)
- 232 pm
- உலோக ஆரம் (C12)
- 138 pm
எண்ணிடல் அளவுகோல்கள்
- Mendeleev
- 88
- Pettifor
- 85
- Glawe
- 85
எலக்ட்ரான் கவர்திறன் அளவுகோல்கள்
- Ghosh
- 0
- Miedema
- 5
- Gunnarsson–Lundqvist
- 5
- Robles–Bartolotti
- 4
முனைவாக்கத்திறன் மற்றும் நிறப்பிரிகை
- இருமுனை முனைவாக்கத்திறன்
- 37.3 a.u.
- இருமுனை முனைவாக்கத்திறன் (நிச்சயமின்மை)
- 0.7 a.u.
- C₆
- 305 Ha·Bohr6
- C₆ (Gould–Bučko)
- 308 Ha·Bohr6
வேதியியல் நாட்டம்
- புரோட்டான் நாட்டம்
- 837 kJ/mol
- வாயுநிலைக் காரத்தன்மை
- 814.1 kJ/mol
மீடெமா அளவுருக்கள்
- மீடெமா மோலார் பருமன்
- 8.6 cm3/mol
- மீடெமா எலக்ட்ரான் அடர்த்தி
- 3
நிலை மாற்றங்கள் மற்றும் புறவேற்றுமை வடிவங்கள்
| உருகுநிலை | 1687.15 K |
| கொதிநிலை | 3538.15 K |
ஆக்சிஜனேற்ற நிலை வகைகள்
மேம்பட்ட மேற்கோள் தரவுகள்
திரைமறைப்பு மாறிலிகள் (5)
| n | ஆர்பிட்டால் | σ |
|---|---|---|
| 1 | s | 0.4255 |
| 2 | p | 4.055 |
| 2 | s | 4.98 |
| 3 | p | 9.7148 |
| 3 | s | 9.0968 |
படிக ஆரங்களின் விவரங்கள் (2)
| மின்னூட்டம் | CN | தற்சுழற்சி | rcrystal (pm) | தோற்றம் |
|---|---|---|---|---|
| 4 | IV | 40 | ||
| 4 | VI | 54 | from r^3 vs V plots, |
ஐசோடோப்புச் சிதைவு முறைகள் (46)
| ஐசோடோப்பு | முறை | செறிவு |
|---|---|---|
| 22 | B+ | 100% |
| 22 | B+p | 62% |
| 22 | 2p | 0.7% |
| 23 | B+ | 100% |
| 23 | B+p | 88% |
| 23 | 2p | 3.6% |
| 24 | B+ | 100% |
| 24 | B+p | 34.5% |
| 25 | B+ | 100% |
| 25 | B+p | 35% |
X‑கதிர் சிதறல் காரணிகள் (756)
| ஆற்றல் (eV) | f₁ | f₂ |
|---|---|---|
| 10 | — | 3.94851 |
| 10.1617 | — | 3.95531 |
| 10.3261 | — | 3.96212 |
| 10.4931 | — | 3.96894 |
| 10.6628 | — | 3.97577 |
| 10.8353 | — | 3.98262 |
| 11.0105 | — | 3.98948 |
| 11.1886 | — | 3.99635 |
| 11.3696 | — | 4.00322 |
| 11.5535 | — | 4.01012 |
கூடுதல் தரவுகள்
Estimated Crustal Abundance
The estimated element abundance in the earth's crust.
2.82×105 milligrams per kilogram
மேற்கோள்கள் (1)
Estimated Oceanic Abundance
The estimated element abundance in the earth's oceans.
2.2 milligrams per liter
மேற்கோள்கள் (1)
Sources
Sources of this element.
Silicon is present in the sun and stars and is a principal component of a class of meteorites known as aerolites. It is also a component of tektites, a natural glass of uncertain origin.
Silicon makes up 25.7% of the earth's crust, by weight, and is the second most abundant element, being exceeded only by oxygen. Silicon is not found free in nature, but occurs chiefly as the oxide and as silicates. Sand, quartz, rock crystal, amethyst, agate, flint, jasper, and opal are some of the forms in which the oxide appears. Granite, hornblende, asbestos, feldspar, clay, mica, etc. are but a few of the numerous silicate minerals.
Silicon is prepared commercially by heating silica and carbon in an electric furnace, using carbon electrodes. Several other methods can be used for preparing the element. Amorphous silicon can be prepared as a brown powder, which can be easily melted or vaporized. The Czochralski process is commonly used to produce single crystals of silicon used for solid-state or semiconductor devices. Hyperpure silicon can be prepared by the thermal decomposition of ultra-pure trichlorosilane in a hydrogen atmosphere, and by a vacuum float zone process.
மேற்கோள்கள் (1)
- [6] Silicon https://periodic.lanl.gov/14.shtml
மேற்கோள்கள்
(9)
Data deposited in or computed by PubChem
The half-life and atomic mass data was provided by the Atomic Mass Data Center at the International Atomic Energy Agency.
Element data are cited from the Atomic weights of the elements (an IUPAC Technical Report). The IUPAC periodic table of elements can be found at https://iupac.org/what-we-do/periodic-table-of-elements/. Additional information can be found within IUPAC publication doi:10.1515/pac-2015-0703 Copyright © 2020 International Union of Pure and Applied Chemistry.
The information are cited from Pure Appl. Chem. 2018; 90(12): 1833-2092, https://doi.org/10.1515/pac-2015-0703.
Thomas Jefferson National Accelerator Facility (Jefferson Lab) is one of 17 national laboratories funded by the U.S. Department of Energy. The lab's primary mission is to conduct basic research of the atom's nucleus using the lab's unique particle accelerator, known as the Continuous Electron Beam Accelerator Facility (CEBAF). For more information visit https://www.jlab.org/
The periodic table at the LANL (Los Alamos National Laboratory) contains basic element information together with the history, source, properties, use, handling and more. The provenance data may be found from the link under the source name.
The periodic table contains NIST's critically-evaluated data on atomic properties of the elements. The provenance data that include data for atomic spectroscopy, X-ray and gamma ray, radiation dosimetry, nuclear physics, and condensed matter physics may be found from the link under the source name. Ref: https://www.nist.gov/pml/atomic-spectra-database
This section provides all form of data related to element Silicon.
The element property data was retrieved from publications.