Germanium (Ge)
metalloidSolid
ਮਿਆਰੀ ਪਰਮਾਣੂ ਭਾਰ
72.63 uਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਵਿਨਿਆਸ
[Ar] 4s2 3d10 4p2ਪਿਘਲਣ ਦਰਜਾ
938.25 °Cਉਬਾਲ ਦਰਜਾ
2832.85 °Cਘਣਤਾ
5323.4 kg/m³ਆਕਸੀਕਰਨ ਅਵਸਥਾਵਾਂ
−4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3, +4ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ (ਪਾਲਿੰਗ)
2.01ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਪਹਿਲੀ)
7.899435 eVਖੋਜ ਦਾ ਸਾਲ
1886ਪਰਮਾਣੂ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
125 pmਵੇਰਵੇ
Germanium is a hard, brittle metalloid in group 14, chemically intermediate between silicon and tin. It is a covalent semiconductor with a narrow band gap and forms stable compounds mainly in the +4 and +2 oxidation states. The element is not mined as a principal ore in most operations; it is commonly recovered as a by-product from zinc processing and from some coal-derived materials. Its technological importance rests on infrared optics, fiber-optic materials, semiconductor devices, and specialty catalysts.
The element is a gray-white metalloid. In pure state, the element is crystalline and brittle, retaining its luster in air at room temperature. It is a very important semiconductor. Zone-refining techniques have led to production of crystalline germanium for semiconductor use with an impurity of only one part in 1010.
The name derives from the Latin germania for Germany. It was discovered and isolated by the German chemist Clemens-Alexander Winkler in 1886 in the mineral argyrodite (GeS2×4Ag2S).
First proposed to exist by Dmitri Mendeleyev in 1871 based on gaps in his newly created Periodic Table of Elements, germanium was discovered by the German chemist Clemens Winkler in the mineral argyrodite (Ag8GeS6) in 1886. Today, germanium is primarily obtained from the smelting of zinc ores and from the byproducts of burning certain types of coal.
From the Latin word Germania, Germany. Mendeleev predicted the existence of Germanium in 1871 as ekasilicon, and the element was discovered by Winkler in 1886.
Pure germanium is a lustrous, grayish-white solid with a metallic sheen. It crystallizes in the diamond-cubic structure and is brittle rather than malleable. High-purity material is commonly encountered as polycrystalline pieces, single-crystal ingots, or wafers for electronic and optical use.
Germanium is used where its optical and electronic properties are valuable rather than as a structural metal. Germanium dioxide, GeO₂, is added to silica glass for optical fibers because it raises refractive index. Elemental germanium and germanium-containing glasses are used in infrared lenses, windows, and thermal imaging optics. Germanium substrates support some high-efficiency multijunction solar cells. Small amounts are used in semiconductor detectors, legacy transistors, and SiGe alloys for high-speed electronics. Certain organogermanium and oxide materials have specialized roles, but broad medical uses are not established.
The largest use of germanium is in the semiconductor industry. When doped with small amounts of arsenic, gallium, indium, antimony or phosphorus, germanium is used to make transistors for use in electronic devices. Germanium is also used to create alloys and as a phosphor in fluorescent lamps. Both germanium and germanium oxide (GeO) are transparent to infrared radiation and are used in infrared optical instruments and infrared detectors. Some germanium compounds seem to be effective in killing some types of bacteria and are currently being studied for use in chemotherapy.
When germanium is doped with arsenic, gallium, or other elements, it is used as a transistor element in thousands of electronic applications. The most common use of germanium is as a semiconductor. Germanium is also finding many other applications including use as an alloying agent, as a phosphor in fluorescent lamps, and as a catalyst.
Germanium and germanium oxide are transparent to the infrared and are used in infrared spectroscopes and other optical equipment, including extremely sensitive infrared detectors.
The high index of refraction and dispersion properties of its oxide's have made germanium useful as a component of wide-angle camera lenses and microscope objectives.
The field of organo-germanium chemistry is becoming increasingly important. Certain germanium compounds have a low mammalian toxicity, but a marked activity against certain bacteria, which makes them useful as chemotherapeutic agents.
Isotopes in Earth/Planetary Science
Because molecules, atoms, and ions of the stable isotopes of germanium possess slightly different physical and chemical properties, they commonly will be fractionated during physical, chemical, and biological processes, giving rise to variations in isotopic abundances and in atomic weights. There are measureable variations in the isotopic abundances of germanium in terrestrial materials (Fig. IUPAC.32.1).
Isotopes in Medicine
68Ge is used to calibrate positron emission tomography (PET) scanners, which have been used for medical diagnostic procedures [268] Office of Science, Los Alamos National Laboratory. Isotope Production and Applications, Los Alamos National Laboratory (2017), Feb. 26; http://www.lanl.gov/science-innovation/science-programs/office-of-science-programs/nuclear-physics/isotopes/_assets/docs/isotope-program-brochure.pdf..
Isotopes Used as a Source of Radioactive Isotope(s)
72Ge and 74Ge are used to produce the radioactive isotopes 72As and 74As, with half-lives of 26 h and 17.8 days, respectively. The arsenic nuclei can attach to tumors and the decay of these isotopes is used to image the location of cancerous tumors in vivovia the 72Ge (n, p) 72As reaction and the 74Ge (n, p) 74As reaction [269] M. Jennewein, M. A. Lewis, D. Zhao, E. Tsyganov, N. Slavine, J. He, L. Watkins, V. D. Kodibagkar, S. O’Kelly, P. Kulkarni, P. P. Antich, A. Hermanne, F. Rösch, R. P. Mason, P. E. Thorpe. Clin. Cancer Res.14, 1377 (2008).. 70Ge, 72Ge, and 74Ge have all been used to produce the medical radioisotope 73Se via the 70Ge (4He, n) 73Se reaction, via the 72Ge (4He, 3n) 73Se reaction and via the reaction 74Ge (4He, 5n) 73Se, respectively [269] M. Jennewein, M. A. Lewis, D. Zhao, E. Tsyganov, N. Slavine, J. He, L. Watkins, V. D. Kodibagkar, S. O’Kelly, P. Kulkarni, P. P. Antich, A. Hermanne, F. Rösch, R. P. Mason, P. E. Thorpe. Clin. Cancer Res.14, 1377 (2008)..
Germanium chemistry resembles a heavier analogue of silicon chemistry, with notable stability of both +4 and +2 compounds. Germanium dioxide, GeO₂, is the principal oxide and occurs in quartz-like and rutile-like forms. Germanium tetrachloride, GeCl₄, is a volatile liquid used as an intermediate in purification and glass manufacture. Germanium monosulfide, GeS, and germanium disulfide, GeS₂, illustrate lower and higher oxidation-state chalcogenides. Germanes such as germane, GeH₄, are reactive hydrides used in deposition chemistry. Organogermanium compounds contain Ge–C bonds, but their chemistry is less commercially extensive than organosilicon chemistry.
See more information at the Germanium compound page.
Massive germanium metal is of low acute toxicity and is not considered a nutritional requirement for humans. Dusts and finely divided material can irritate the respiratory tract and should be controlled in industrial handling. Germane, GeH₄, is highly flammable and toxic, posing a significant gas-handling hazard. Germanium tetrachloride, GeCl₄, fumes in moist air and can form corrosive hydrogen chloride, HCl. Some soluble germanium compounds have caused kidney and nerve toxicity when ingested in inappropriate supplement use.
Germanium is a dispersed trace element in the crust and is enriched in some zinc ores, lignites, and coal ashes. In natural waters it commonly follows silica behavior because dissolved germanium species can resemble silicic acid in geochemical cycling. Weathering releases only small concentrations, and the element has no known essential biological function. Industrial releases are usually associated with mining, smelting, coal combustion residues, and processing of germanium-bearing intermediates.
Germanium supply is tied to by-product recovery, so availability depends strongly on zinc refining, processing of certain coal ashes, and the economics of collecting dilute streams. Concentrates are converted through intermediates such as germanium tetrachloride, GeCl₄, then hydrolyzed and reduced to high-purity metal or oxide. Demand is concentrated in fiber optics, infrared optics, polymerization catalysts, electronics, and space solar cells. Recycling from optical scrap, semiconductor material, and some catalysts is important because primary sources are geographically and geologically limited. Substitution is possible in some optical and electronic uses, but often with performance or design penalties.
The metal is found in
▸ argyrodite, a sulfide of germanium and silver;
▸ germanite, which contains 8 percent of the element;
▸ zinc ores;
▸ coal; and
▸ other minerals
The element is commercially obtained from the dust from smelters that process zinc ores. It is also recovered from combustion by-products of certain coals.
Germanium can be separated from other metals by fractional distillation of its volatile tetrachloride. These techniques permit the production of germanium of ultra-high purity.
Germanium is a minor cosmic element produced mainly by neutron-capture processes in evolved stars and supernova-related environments, with contributions from charged-particle reactions. It is far less abundant than silicon because heavier nuclei beyond iron-region seed patterns require less common nucleosynthetic pathways. In meteorites and planetary rocks it behaves partly as a moderately siderophile and chalcophile trace element, partitioning into metal and sulfide phases under suitable conditions.
- Germanium was predicted by Mendeleev as eka-silicon before it was isolated.
- Zone refining of germanium helped establish ultra-high-purity semiconductor practice.
- Germanium expands on freezing, as silicon and water do.
- Natural germanium contains five stable isotopes.
- GeO₂ can be reduced to the element with hydrogen in industrial purification.
ਚਿੱਤਰ
ਗੁਣ
ਭੌਤਿਕ
- ਪਰਮਾਣੂ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਅਨੁਭਵ-ਆਧਾਰਿਤ)
- 125 pm ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪਰਮਾਣੂ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਅਨੁਭਵ-ਆਧਾਰਿਤ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
- 120 pm ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਵਾਨ ਡਰ ਵਾਲਜ਼ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
- 211 pm ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਵਾਨ ਡਰ ਵਾਲਜ਼ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਧਾਤਵੀ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
- 124 pm ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਧਾਤਵੀ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਘਣਤਾ
- 5323.4 kg/m³ ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਘਣਤਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਮੋਲਰ ਆਇਤਨ
- 0.0136 L/mol
- STP 'ਤੇ ਅਵਸਥਾ
- ਠੋਸ ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ STP 'ਤੇ ਅਵਸਥਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਪਿਘਲਣ ਦਰਜਾ
- 938.25 °C ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪਿਘਲਣ ਦਰਜਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਉਬਾਲ ਦਰਜਾ
- 2832.85 °C ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਉਬਾਲ ਦਰਜਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਤਾਪ ਚਾਲਕਤਾ
- 60.2 W/(m·K) ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਤਾਪ ਚਾਲਕਤਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਤਾਪ ਸਮਰੱਥਾ
- 0.32 J/(g·K) ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਤਾਪ ਸਮਰੱਥਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਮੋਲਰ ਤਾਪ ਸਮਰੱਥਾ
- 23.222 J/(mol·K) ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਮੋਲਰ ਤਾਪ ਸਮਰੱਥਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ
- ਹੀਰਾ-ਘਣਾਕਾਰ ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
ਰਸਾਇਣਕ
- ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ (ਪਾਲਿੰਗ)
- 2.01 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ (ਪਾਲਿੰਗ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ (ਐਲਨ)
- 1.994
- ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਬੰਧੁਤਾ
- 1.232 eV
- ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਪਹਿਲੀ)
- 7.899435 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਪਹਿਲੀ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਦੂਜੀ)
- 15.934665 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਦੂਜੀ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਤੀਜੀ)
- 34.057717 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਤੀਜੀ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਚੌਥੀ)
- 45.715657 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਚੌਥੀ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਪੰਜਵੀਂ)
- 90.500312 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਪੰਜਵੀਂ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਆਕਸੀਕਰਨ ਅਵਸਥਾਵਾਂ
- −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3, +4 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਕਸੀਕਰਨ ਅਵਸਥਾਵਾਂ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਸੰਯੋਜਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ
- 4 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਸੰਯੋਜਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਵਿਨਿਆਸ
- [Ar] 4s2 3d10 4p2
ਤਾਪਗਤੀਕੀ
- ਕ੍ਰਾਂਤਿਕ ਬਿੰਦੂ (ਤਾਪਮਾਨ)
- 9529 °C
- ਪਿਘਲਣ ਦਾ ਤਾਪ
- 0.38285744 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪਿਘਲਣ ਦਾ ਤਾਪ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦਾ ਤਾਪ
- 3.420221 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦਾ ਤਾਪ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਉਰਧਪਾਤਨ ਦਾ ਤਾਪ
- 3.907343 eV
- ਪਰਮਾਣੂਕਰਨ ਦਾ ਤਾਪ
- 3.907343 eV
- ਪਰਮਾਣੂਕਰਨ ਐਂਥੈਲਪੀ
- 3.855522 eV
ਨਾਭਿਕੀ
- ਪ੍ਰੋਟਾਨ
- 32 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰੋਟਾਨ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਨਿਊਟ੍ਰਾਨ
- 42 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਨਿਊਟ੍ਰਾਨ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਜਾਣੇ-ਪਛਾਣੇ ਸਮਸਥਾਨਿਕ
- 33 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਜਾਣੇ-ਪਛਾਣੇ ਸਮਸਥਾਨਿਕ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਸਥਿਰ ਸਮਸਥਾਨਿਕ
- 4 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਸਥਿਰ ਸਮਸਥਾਨਿਕ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਸਭ ਤੋਂ ਸਥਿਰ ਸਮਸਥਾਨਿਕ
- Ge-74
- ਖੋਜ ਦਾ ਸਾਲ
- 1886
ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ
- ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ (ਧਰਤੀ ਦੀ ਛਾਲ)
- 1.5 mg/kg ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ (ਧਰਤੀ ਦੀ ਛਾਲ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ (ਮਹਾਂਸਾਗਰ)
- 5 × 10−5 mg/L ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ (ਮਹਾਂਸਾਗਰ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ
- ਜਾਲਕ ਸਥਿਰਾਂਕ a
- 566 pm
ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਬਣਤਰ
- ਪ੍ਰਤੀ ਖੋਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ
- 2, 8, 18, 4 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਤੀ ਖੋਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
ਪਛਾਣਕਰਤਾ
- CAS ਸੰਖਿਆ
- 7440-56-4 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ CAS ਸੰਖਿਆ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਟਰਮ ਪ੍ਰਤੀਕ
- 3P0
- InChI
- InChI=1S/Ge
- InChI ਕੁੰਜੀ
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N
ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਵਿਨਿਆਸ ਮਾਪਿਆ
Ge: 3d¹⁰ 4s² 4p²[Ar] 3d¹⁰ 4s² 4p²1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p⁶ 3d¹⁰ 4s² 4p²ਪਰਮਾਣੂ ਮਾਡਲ
ਸਮਸਥਾਨਿਕ ਨਿਊਟ੍ਰਾਨਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ, ਪੁੰਜ ਅਤੇ ਸਥਿਰਤਾ ਬਦਲਦੇ ਹਨ — ਉਦਾਸੀਨ ਪਰਮਾਣੂ ਦਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਵਿਨਿਆਸ ਨਹੀਂ।
ਸੰਕੇਤਕ ਪਰਮਾਣੂ ਮਾਡਲ, ਪੈਮਾਨੇ ਅਨੁਸਾਰ ਨਹੀਂ।
ਪਰਮਾਣੂ ਪਛਾਣ-ਚਿੰਨ੍ਹ
ਨਿਕਾਸ / ਅਵਸ਼ੋਸ਼ਣ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ
ਸਮਸਥਾਨਿਕ ਵੰਡ
| ਪੁੰਜ ਸੰਖਿਆ | ਪਰਮਾਣੂ ਪੁੰਜ (u) | ਕੁਦਰਤੀ ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ | ਅਰਧ-ਆਯੂ |
|---|---|---|---|
| 70 ਸਥਿਰ | 69.92424875 ± 0.0000009 | 20.5700% | ਸਥਿਰ |
| 72 ਸਥਿਰ | 71.922075826 ± 0.000000081 | 27.4500% | ਸਥਿਰ |
| 73 ਸਥਿਰ | 72.923458956 ± 0.000000061 | 7.7500% | ਸਥਿਰ |
| 74 ਸਥਿਰ | 73.921177761 ± 0.000000013 | 36.5000% | ਸਥਿਰ |
ਫੇਜ਼ / ਅਵਸਥਾ
ਕਾਰਨ: ਪਿਘਲਣ ਦਰਜੇ (938.25 °C) ਤੋਂ 913.3 °C ਘੱਟ
ਸੰਕੇਤਕ, ਪੈਮਾਨੇ ਅਨੁਸਾਰ ਨਹੀਂ
ਅਵਸਥਾ ਪਰਿਵਰਤਨ ਬਿੰਦੂ
ਸੰਕ੍ਰਮਣ ਊਰਜਾਵਾਂ
ਪਿਘਲਣ ਦਰਜੇ 'ਤੇ 1 mol ਨੂੰ ਪਿਘਲਾਉਣ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦੀ ਊਰਜਾ
ਉਬਾਲ ਦਰਜੇ 'ਤੇ 1 mol ਦੇ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦੀ ਊਰਜਾ
ਉਰਧਪਾਤਨ ਦਰਜੇ 'ਤੇ 1 mol ਦੇ ਉਰਧਪਾਤਨ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦੀ ਊਰਜਾ
ਘਣਤਾ
ਮਿਆਰੀ ਹਾਲਤਾਂ 'ਤੇ
ਮਿਆਰੀ ਹਾਲਤਾਂ 'ਤੇ
ਉੱਨਤ
ਪਰਮਾਣੂ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ
32 ਵਿੱਚੋਂ 10 ਦਿਖਾਏ ਜਾ ਰਹੇ ਹਨ। ਆਇਨ ਦੇ ਆਵੇਸ਼ ਅਨੁਸਾਰ ਕ੍ਰਮਬੱਧ (ਵਧਦੇ ਕ੍ਰਮ ਵਿੱਚ)।
ਉਪਲਬਧ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮੀ ਰੇਖਾਵਾਂ ?
| ਆਇਨ | ਆਵੇਸ਼ | ਕੁੱਲ ਰੇਖਾਵਾਂ | ਸੰਕ੍ਰਮਣ ਸੰਭਾਵਨਾਵਾਂ | ਪੱਧਰਾਂ ਦੇ ਨਾਮਾਂਕਨ |
|---|---|---|---|---|
| Ge I | 0 | 224 | 26 | 223 |
| Ge II | +1 | 149 | 20 | 149 |
| Ge III | +2 | 55 | 0 | 0 |
| Ge IV | +3 | 27 | 0 | 0 |
| Ge V | +4 | 37 | 0 | 0 |
ਉਪਲਬਧ ਊਰਜਾ ਪੱਧਰ ?
| ਆਇਨ | ਆਵੇਸ਼ | ਪੱਧਰ |
|---|---|---|
| Ge I | 0 | 621 |
| Ge II | +1 | 129 |
| Ge III | +2 | 48 |
| Ge IV | +3 | 55 |
| Ge V | +4 | 102 |
| Ge VI | +5 | 105 |
| Ge VII | +6 | 168 |
| Ge VIII | +7 | 2 |
| Ge IX | +8 | 2 |
| Ge X | +9 | 2 |
ਆਇਨਿਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
| ਆਵੇਸ਼ | ਉਪਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਨ | ਸਪਿਨ | ਅਰਧ-ਵਿਆਸ |
|---|---|---|---|
| +2 | 6 | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | 73 pm |
| +4 | 4 | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | 39 pm |
| +4 | 6 | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | 53 pm |
ਯੋਗਿਕ
ਸਮਸਥਾਨਿਕ (4)
| ਪੁੰਜ ਸੰਖਿਆ | ਪਰਮਾਣੂ ਪੁੰਜ (u) | ਕੁਦਰਤੀ ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ | ਅਰਧ-ਆਯੂ | ਖ਼ੈ ਦੀ ਵਿਧੀ | |
|---|---|---|---|---|---|
| 70 ਸਥਿਰ | 69.92424875 ± 0.0000009 | 20.5700% ± 0.2700% | ਸਥਿਰ | stable | |
| 72 ਸਥਿਰ | 71.922075826 ± 0.000000081 | 27.4500% ± 0.3200% | ਸਥਿਰ | stable | |
| 73 ਸਥਿਰ | 72.923458956 ± 0.000000061 | 7.7500% ± 0.1200% | ਸਥਿਰ | stable | |
| 74 ਸਥਿਰ | 73.921177761 ± 0.000000013 | 36.5000% ± 0.2000% | ਸਥਿਰ | stable |
ਸਪੈਕਟ੍ਰਮੀ ਰੇਖਾਵਾਂ
57 ਵਿੱਚੋਂ 50 ਦਿਖਾਏ ਜਾ ਰਹੇ ਹਨ। ਮੂਲ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਸਿਰਫ਼ ਮਾਪੀ ਹੋਈ ਤੀਬਰਤਾ ਵਾਲੀਆਂ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮੀ ਰੇਖਾਵਾਂ ਦਿਖਾਈਆਂ ਜਾਂਦੀਆਂ ਹਨ।
| ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ (nm) | ਤੀਬਰਤਾ | ਆਇਨੀਕਰਨ ਪੜਾਅ | ਕਿਸਮ | ਸੰਕ੍ਰਮਣ | ਸ਼ੁੱਧਤਾ | ਸਰੋਤ | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 474.18054 nm | 1000 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.5d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 481.46084 nm | 1000 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.5d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 589.33885 nm | 1000 | Ge II | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.5p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 602.10412 nm | 500 | Ge II | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.5p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 517.86474 nm | 200 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.4f 2F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 607.834 nm | 150 | Ge II | emission | 4s.4p.(3P*).5s 4P* → 4s.4p.(3P*).5p 4D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 626.8068 nm | 150 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.6g 2G | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 513.17516 nm | 100 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.4f 2F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 626.8341 nm | 100 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.6g 2G | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 633.63765 nm | 100 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.6s 2S | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 648.41813 nm | 100 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.6s 2S | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 628.34518 nm | 75 | Ge II | emission | 4s2.5d 2D → 4s2.6f 2F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 422.656259 nm | 70 | Ge I | emission | 4s2.4p2 1S → 4s2.4p.5s 1P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 482.40972 nm | 50 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.5d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 626.7136 nm | 50 | Ge II | emission | 4s2.5d 2D → 4s2.6f 2F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 678.0486 nm | 50 | Ge II | emission | 4s2.6p 2P* → 4s2.7d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 704.93692 nm | 50 | Ge II | emission | 4s.4p2 2D → 4s2.5p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 384.50994 nm | 30 | Ge II | emission | 4s.4p2 4P → 4s2.5p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 714.53898 nm | 30 | Ge II | emission | 4s.4p2 2D → 4s2.5p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 494.12769 nm | 20 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.6p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 520.56488 nm | 20 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.7g 2G | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 696.63205 nm | 20 | Ge II | emission | 4s.4p2 2D → 4s2.5p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 439.1656 nm | 15 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.9g 2G | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 520.58372 nm | 15 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.7g 2G | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 552.2987 nm | 15 | Ge II | emission | 4s2.6p 2P* → 4s2.8d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 439.179 nm | 10 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.9g 2G | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 466.2311 nm | 10 | Ge II | emission | 4s2.5d 2D → 4s2.8f 2F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 468.582849 nm | 10 | Ge I | emission | 4s2.4p2 1S → 4s2.4p.5s 3P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 493.40754 nm | 10 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.6p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 517.84615 nm | 10 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.4f 2F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 569.19543 nm | 9 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 580.2093 nm | 9 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 1P* → 4s2.4p.6p 1D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 556.47408 nm | 8 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3S | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 560.70101 nm | 8 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3P | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 565.596 nm | 8 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 562.14256 nm | 7 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 1P | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 733.0383 nm | 7 | Ge I | emission | 4s2.4p.5p 1P → 4s2.4p.7d (1/2,3/2)* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 738.4208 nm | 7 | Ge I | emission | 4s2.4p.5p 3D → 4s2.4p.8s (1/2,1/2)* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 526.58915 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3P | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 551.32634 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 1D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 561.61353 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3P | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 566.4226 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 1P* → 4s2.4p.6p 1S | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 570.17765 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 1P | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 580.1029 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 655.74883 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 1P* → 4s2.4p.6p 3D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 713.0126 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5p 3D → 4s2.4p.7d (3/2,5/2)* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 740.2648 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5p 1P → 4s2.4p.6d (3/2,3/2)* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 518.4103 nm | 5 | Ge II | emission | 4s2.5d 2D → 4s2.7f 2F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 566.4842 nm | 5 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.(2P*<1/2>).4f 2[7/2] | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 571.78769 nm | 5 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3D | ਮਾਪਿਆ | NIST |
ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਗੁਣ
ਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ)
- ਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਪਿਊਕੋ)
- 121 pm
- ਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਪਿਊਕੋ, ਦੋਹਰਾ ਬੰਧਨ)
- 111 pm
- ਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਪਿਊਕੋ, ਤਿਹਰਾ ਬੰਧਨ)
- 114 pm
ਵਾਨ ਡਰ ਵਾਲਜ਼ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
- Truhlar
- 211 pm
- Batsanov
- 210 pm
- Alvarez
- 229 pm
- UFF
- 428 pm
- MM3
- 244 pm
- Dreiding
- 427 pm
ਪਰਮਾਣੂ ਅਤੇ ਧਾਤਵੀ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
- ਪਰਮਾਣੂ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਰਾਮ)
- 234 pm
- ਧਾਤਵੀ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (C12)
- 144 pm
ਅੰਕਨ ਪੈਮਾਨੇ
- Mendeleev
- 89
- Pettifor
- 84
- Glawe
- 84
ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ ਦੇ ਪੈਮਾਨੇ
- Ghosh
- 0
- Miedema
- 5
- Gunnarsson–Lundqvist
- 5
- Robles–Bartolotti
- 4
ਧਰੁਵੀਕਰਨਯੋਗਤਾ ਅਤੇ ਪ੍ਰਕੀਰਣ
- ਦੋਧਰੁਵੀ ਧਰੁਵੀਕਰਨਯੋਗਤਾ
- 40 a.u.
- ਦੋਧਰੁਵੀ ਧਰੁਵੀਕਰਨਯੋਗਤਾ (ਅਨਿਸ਼ਚਿਤਤਾ)
- 1 a.u.
- C₆
- 354 Ha·Bohr6
- C₆ (Gould–Bučko)
- 365 Ha·Bohr6
ਮੀਡੇਮਾ ਪਰਾਮੀਟਰ
- ਮੀਡੇਮਾ ਮੋਲਰ ਆਇਤਨ
- 9.87 cm3/mol
- ਮੀਡੇਮਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਘਣਤਾ
- 3
ਸਪਲਾਈ ਦਾ ਜੋਖਮ ਅਤੇ ਅਰਥਸ਼ਾਸਤਰ
- ਉਤਪਾਦਨ ਦੀ ਕੇਂਦਰਿਤਤਾ
- 67
- ਸਾਪੇਖ ਸਪਲਾਈ ਜੋਖਮ
- 8
- ਰਾਜਨੀਤਿਕ ਸਥਿਰਤਾ (ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਡਾ ਉਤਪਾਦਕ)
- 24
ਅਵਸਥਾ ਪਰਿਵਰਤਨ ਅਤੇ ਅਪਰਰੂਪ
| ਪਿਘਲਣ ਦਰਜਾ | 1211.4 K |
| ਉਬਾਲ ਦਰਜਾ | 3106.15 K |
| ਕ੍ਰਾਂਤਿਕ ਬਿੰਦੂ (ਤਾਪਮਾਨ) | 9802.15 K |
ਆਕਸੀਕਰਨ ਅਵਸਥਾ ਦੀਆਂ ਸ਼੍ਰੇਣੀਆਂ
ਉੱਨਤ ਸੰਦਰਭ ਡਾਟਾ
ਪਰਿਰੱਖਣ ਸਥਿਰਾਂਕ (8)
| n | ਔਰਬਿਟਲ | σ |
|---|---|---|
| 1 | s | 0.7063 |
| 2 | p | 3.9178 |
| 2 | s | 8.6352 |
| 3 | d | 15.7487 |
| 3 | p | 14.9864 |
| 3 | s | 14.2103 |
| 4 | p | 25.2196 |
| 4 | s | 23.9564 |
ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਅਰਧ-ਵਿਆਸਾਂ ਦਾ ਵੇਰਵਾ (3)
| ਆਵੇਸ਼ | CN | ਸਪਿਨ | rcrystal (pm) | ਉਤਪੱਤੀ |
|---|---|---|---|---|
| 2 | VI | 87 | Ahrens (1952) ionic radius, | |
| 4 | IV | 53 | ||
| 4 | VI | 67 | from r^3 vs V plots, |
ਸਮਸਥਾਨਿਕ ਖ਼ੈ ਦੀਆਂ ਵਿਧੀਆਂ (50)
| ਸਮਸਥਾਨਿਕ | ਮੋਡ | ਤੀਬਰਤਾ |
|---|---|---|
| 58 | 2p | — |
| 59 | B+ | 100% |
| 59 | B+p | 93% |
| 59 | 2p | 0.2% |
| 60 | B+ | 100% |
| 60 | B+p | 100% |
| 60 | 2p | 14% |
| 61 | B+ | 100% |
| 61 | B+p | 87% |
| 62 | B+ | 100% |
ਐਕਸ-ਰੇ ਖਿੰਡਾਅ ਗੁਣਾਂਕ (506)
| ਊਰਜਾ (eV) | f₁ | f₂ |
|---|---|---|
| 10 | — | 3.01183 |
| 10.1617 | — | 3.05548 |
| 10.3261 | — | 3.09976 |
| 10.4931 | — | 3.14468 |
| 10.6628 | — | 3.19025 |
| 10.8353 | — | 3.21825 |
| 11.0106 | — | 3.20755 |
| 11.1886 | — | 3.19689 |
| 11.3696 | — | 3.18626 |
| 11.5535 | — | 3.17568 |
ਵਾਧੂ ਡਾਟਾ
Estimated Crustal Abundance
The estimated element abundance in the earth's crust.
1.5 milligrams per kilogram
ਸੰਦਰਭ (1)
- [5] Germanium https://education.jlab.org/itselemental/ele032.html
Estimated Oceanic Abundance
The estimated element abundance in the earth's oceans.
5×10-5 milligrams per liter
ਸੰਦਰਭ (1)
- [5] Germanium https://education.jlab.org/itselemental/ele032.html
Sources
Sources of this element.
The metal is found in
▸ argyrodite, a sulfide of germanium and silver;
▸ germanite, which contains 8 percent of the element;
▸ zinc ores;
▸ coal; and
▸ other minerals
The element is commercially obtained from the dust from smelters that process zinc ores. It is also recovered from combustion by-products of certain coals.
Germanium can be separated from other metals by fractional distillation of its volatile tetrachloride. These techniques permit the production of germanium of ultra-high purity.
ਸੰਦਰਭ (1)
- [6] Germanium https://periodic.lanl.gov/32.shtml
ਸੰਦਰਭ
(9)
Data deposited in or computed by PubChem
The half-life and atomic mass data was provided by the Atomic Mass Data Center at the International Atomic Energy Agency.
Element data are cited from the Atomic weights of the elements (an IUPAC Technical Report). The IUPAC periodic table of elements can be found at https://iupac.org/what-we-do/periodic-table-of-elements/. Additional information can be found within IUPAC publication doi:10.1515/pac-2015-0703 Copyright © 2020 International Union of Pure and Applied Chemistry.
The information are cited from Pure Appl. Chem. 2018; 90(12): 1833-2092, https://doi.org/10.1515/pac-2015-0703.
Thomas Jefferson National Accelerator Facility (Jefferson Lab) is one of 17 national laboratories funded by the U.S. Department of Energy. The lab's primary mission is to conduct basic research of the atom's nucleus using the lab's unique particle accelerator, known as the Continuous Electron Beam Accelerator Facility (CEBAF). For more information visit https://www.jlab.org/
The periodic table at the LANL (Los Alamos National Laboratory) contains basic element information together with the history, source, properties, use, handling and more. The provenance data may be found from the link under the source name.
The periodic table contains NIST's critically-evaluated data on atomic properties of the elements. The provenance data that include data for atomic spectroscopy, X-ray and gamma ray, radiation dosimetry, nuclear physics, and condensed matter physics may be found from the link under the source name. Ref: https://www.nist.gov/pml/atomic-spectra-database
This section provides all form of data related to element Germanium.
The element property data was retrieved from publications.