Gallium (Ga)
post-transition-metalSolid
ਮਿਆਰੀ ਪਰਮਾਣੂ ਭਾਰ
69.723 uਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਵਿਨਿਆਸ
[Ar] 4s2 3d10 4p1ਪਿਘਲਣ ਦਰਜਾ
29.76 °Cਉਬਾਲ ਦਰਜਾ
2203.85 °Cਘਣਤਾ
5910 kg/m³ਆਕਸੀਕਰਨ ਅਵਸਥਾਵਾਂ
−5, −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ (ਪਾਲਿੰਗ)
1.81ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਪਹਿਲੀ)
5.999302 eVਖੋਜ ਦਾ ਸਾਲ
1875ਪਰਮਾਣੂ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
130 pmਵੇਰਵੇ
Gallium is a soft post-transition metal in group 13, chemically related to aluminium and indium. It is notable for melting just above room temperature, forming low-melting alloys, and supplying semiconductors through compounds such as gallium arsenide and gallium nitride. In nature it is dispersed rather than concentrated in its own ores, so it is recovered mainly as a by-product of aluminium and zinc processing.
It is one of four metals mercury, cesium, and rubidium which can be liquid near room temperature and, thus, can be used in high-temperature thermometers. It has one of the longest liquid ranges of any metal and has a low vapor pressure even at high temperatures.
There is a strong tendency for gallium to supercool below its freezing point. Therefore, seeding may be necessary to initiate solidification.
Ultra-pure gallium has a beautiful, silvery appearance, and the solid metal exhibits a conchoidal fracture similar to glass. The metal expands 3.1 percent on solidifying; therefore, it should not be stored in glass or metal containers, because they may break as the metal solidifies.
High-purity gallium is attacked only slowly by mineral acids.
The name derives from the Latin gallia for France. It was discovered in zinc blende by the French chemist Paul-Emile Lecoq de Boisbaudran in 1875. It was first isolated in 1878 by Lecoq de Boisbaudran and the French chemist Émile-Clément Jungflesch.
First proposed to exist by Dmitri Mendeleyev in 1871 based on gaps in his newly created Periodic Table of Elements, gallium was discovered spectroscopically by the French chemist Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran in 1875. Later that same year, Lecoq was able to obtain pure gallium through the electrolysis of a solution of gallium hydroxide (Ga(OH)3) in potassium hydroxide (KOH). Trace amounts of gallium are found in diaspore, sphalerite, germanite and bauxite as well as in the byproducts of burning coal.
From the Latin word Gallia, France; also from Latin, gallus, a translation of "Lecoq," a cock. Predicted and described by Mendeleev as ekaaluminum, and discovered spectroscopically by Lecoq de Boisbaudran in 1875, who in the same year obtained the free metal by electrolysis of a solution of the hydroxide in KOH.
Pure gallium is a silvery, lustrous metal that is solid at ordinary room temperature but melts at about 30 °C. The solid is brittle enough to fracture, while the liquid readily wets many surfaces and can penetrate some metals, especially aluminium.
Gallium is used chiefly in compound semiconductors. Gallium arsenide (GaAs) is important in high-frequency electronics, optoelectronics, infrared light-emitting diodes, and some photovoltaic cells. Gallium nitride (GaN) is central to blue and ultraviolet light-emitting diodes, laser diodes, and efficient power electronics. Low-melting gallium alloys are used in thermometers, thermal interfaces, and specialized heat-transfer applications where mercury is undesirable. Radioisotopes such as ⁶⁷Ga and ⁶⁸Ga are used in diagnostic nuclear medicine.
Gallium melts near room temperature and has one of the largest liquid ranges of any metal, so it has found use in high temperature thermometers. Gallium easily forms alloys with most metals and has been used to create low melting alloys. Gallium is used as a doping material for semiconductors and has been used to produce solid-state items like transistors and light emitting diodes. Gallium arsenide (GaAs) can produce laser light directly from electricity. Large amounts of gallium trichloride (GaCl3) have been gathered to build the Gallium Neutrino Observatory, an observatory located in Italy built to study particles called neutrinos which are produced inside the sun during the process of nuclear fusion.
Gallium wets glass or porcelain and forms a brilliant mirror when it is painted on glass. It is widely used in doping semiconductors and producing solid-state devices such as transistors.
Magnesium gallate containing divalent impurities, such as Mn+2, is finding use in commercial ultraviolet-activated powder phosphors. Gallium arsenide is capable of converting electricity directly into coherent light. Gallium readily alloys with most metals, and has been used as a component in low-melting alloys.
Isotopes in Medicine
68Ga (with a half-life of 68 min) is a radioactive isotope that emits positrons, which are used to produce high-resolution imaging with positron emission tomography (PET). Unlike 18F, which is most commonly used, 68Ga is more easily produced using a cost-effective generator with the parent radionuclide 68Ge (with a half-life of 271 days) (Fig. IUPAC.31.1). Once produced, 68Ga easily couples to biomolecules (most commonly peptides) that target G-protein coupled receptors, which are over-expressed on human tumor cells. The labeled protein acts as a radioactive tracer for cancer diagnostics. PET images are often coupled with CT images to get a more complete picture of the body [256] I. Kayani, B. G. Conry, A. M. Groves, T. Win, J. Dickson, M. Caplin, J. B. Bomanji. J. Nucl. Med.50, 1927 (2009)., [257] M. Fani, J. P. André, H. R. Maecke. Contrast Media Mol. Imaging3, 67 (2008)., [258] G. J. Ehrhardt, M. J. Welch. J. Nucl. Med.19, 925 (1978)., [259] G. Ehrhardt, S. Wagner, M. J. Welch. J. Labelled Compd. Radiopharm.16, 111 (1979)., [260] M. V. Cantorias, S. D. Figueroa, T. P. Quinn, J. R. Lever, T. J. Hoffman, L. D. Watkinson, T. L. Carmack, C. S. Cutler. Nucl. Med. Biol.36, 505 (2009)., [261] J. C. Rold, T. L. Sieckman, G. L. Figueroa, S. D. Sublett, S. V. Engelbrecht, H. Cutler, C. S. Jurisson, S. S. Hoffman, T. J. Bottenus, B. N. Garrison. Trans. Am. Nucl. Soc.98, 802 (2008)., [262] J. Fitzsimmons, M. Fassbender, R. Atcher. J. Nucl. Med.48, 319 (2007).. Radiopharmaceutical 67Ga (with a half-life of 78 h) is a gamma-emitting isotope used in scintigraphy for medical imaging [263] S. M. Larson, P. B. Hoffer. “Normal patterns of localization”, in Gallium-67 Imaging, P. B. Hoffer, C. Bekerman, and R. E. Henkin (Eds.), John Wiley, New York (1978)., [264] A. Wirth, J. F. Seymour, R. J. Hicks, R. Ware, R. Fisher, M. Prince, M. P. MacManus, G. Ryan, H. Januszewicz, M. Wolf. Am. J. Med.112, 262 (2002)., [265] A. Vijayananthan, A. V. Arumugam, G. Kumar, D. Harichandra. Int. J. Biomed. Imaging4 (2), e23 (2008)..
Gallium most commonly adopts the +3 oxidation state, although lower-valent gallium chemistry is well established in specialized compounds. Gallium(III) oxide (Ga₂O₃) is a wide-band-gap oxide of growing interest for power and ultraviolet devices. Gallium arsenide (GaAs), gallium nitride (GaN), gallium phosphide (GaP), and gallium antimonide (GaSb) are important III-V semiconductors. Gallium(III) chloride (GaCl₃) is a Lewis acidic halide and forms many adducts. Gallium(III) salts often hydrolyze in water, reflecting the high charge density of Ga³⁺.
See more information at the Gallium compound page.
Compact gallium metal has low acute toxicity, but it can stain skin and damage aluminium parts by liquid-metal embrittlement. Dusts, fumes, and soluble gallium compounds require normal laboratory controls because toxicity depends strongly on compound form and exposure route. Gallium arsenide (GaAs) introduces additional concern from arsenic during machining, heating, or waste handling. Medical radioisotopes present isotope-specific radiation hazards.
Its toxicity appears to be of a low order, but should be handled with care until more data is available.
Gallium occurs at trace levels in many minerals, especially those associated with aluminium and zinc ores. It substitutes for chemically similar ions rather than forming abundant gallium minerals. Weathering and industrial processing can mobilize small amounts, but gallium is not a major nutrient and has no well-established biological role. Environmental concern is usually tied to mining residues, semiconductor waste, and associated elements such as arsenic rather than to metallic gallium alone.
Gallium supply is dominated by by-product recovery, especially from bauxite processing liquors and, to a lesser extent, zinc-processing streams. Because primary ores are not mined for gallium alone, output can be constrained by aluminium and zinc production, refinery technology, and purification capacity. Demand is driven mainly by semiconductor and optoelectronic materials, where high purity is essential. Recycling occurs from manufacturing scrap and some end-of-life material, but dispersed uses and complex devices limit complete recovery. Substitution is application-specific; silicon, silicon carbide, or other III-V compounds can replace gallium materials in some devices but not without design changes.
Gallium is often found as a trace element in diaspore, sphalerite, germanite, bauxite, and coal. Some flue dusts from burning coal have been shown to contain as much 1.5 percent gallium.
Gallium is a relatively rare element in the cosmos compared with lighter metals. Its stable isotopes, ⁶⁹Ga and ⁷¹Ga, are produced in stellar nucleosynthesis pathways involving neutron capture and related processes in evolved stars and supernova environments. In planetary materials it behaves as a moderately volatile, lithophile to chalcophile trace element and is used in geochemical studies of differentiation and volatility.
- Gallium expands on freezing, so solidification can break rigid containers.
- The liquid metal has an unusually wide liquid range before boiling.
- Gallium can diffuse into aluminium and make it crumble under stress.
- Natural gallium consists mainly of two stable isotopes, ⁶⁹Ga and ⁷¹Ga.
- Very high-purity gallium is needed for many semiconductor applications.
ਚਿੱਤਰ
ਗੁਣ
ਭੌਤਿਕ
- ਪਰਮਾਣੂ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਅਨੁਭਵ-ਆਧਾਰਿਤ)
- 130 pm ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪਰਮਾਣੂ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਅਨੁਭਵ-ਆਧਾਰਿਤ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
- 122 pm ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਵਾਨ ਡਰ ਵਾਲਜ਼ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
- 187 pm ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਵਾਨ ਡਰ ਵਾਲਜ਼ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਧਾਤਵੀ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
- 125 pm ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਧਾਤਵੀ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਘਣਤਾ
- 5910 kg/m³ ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਘਣਤਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਮੋਲਰ ਆਇਤਨ
- 0.0118 L/mol
- STP 'ਤੇ ਅਵਸਥਾ
- ਠੋਸ ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ STP 'ਤੇ ਅਵਸਥਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਪਿਘਲਣ ਦਰਜਾ
- 29.76 °C ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪਿਘਲਣ ਦਰਜਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਉਬਾਲ ਦਰਜਾ
- 2203.85 °C ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਉਬਾਲ ਦਰਜਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਤਾਪ ਚਾਲਕਤਾ
- 28.1 W/(m·K) ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਤਾਪ ਚਾਲਕਤਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਤਾਪ ਸਮਰੱਥਾ
- 0.373 J/(g·K) ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਤਾਪ ਸਮਰੱਥਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਮੋਲਰ ਤਾਪ ਸਮਰੱਥਾ
- 26.03 J/(mol·K) ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਮੋਲਰ ਤਾਪ ਸਮਰੱਥਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ
- ਆਰਥੋਰੌਂਬਿਕ ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
ਰਸਾਇਣਕ
- ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ (ਪਾਲਿੰਗ)
- 1.81 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ (ਪਾਲਿੰਗ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ (ਐਲਨ)
- 1.756
- ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਬੰਧੁਤਾ
- 0.3 eV
- ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਪਹਿਲੀ)
- 5.999302 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਪਹਿਲੀ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਦੂਜੀ)
- 20.515211 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਦੂਜੀ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਤੀਜੀ)
- 30.725866 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਤੀਜੀ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਚੌਥੀ)
- 63.241218 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਚੌਥੀ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਪੰਜਵੀਂ)
- 86.010296 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਪੰਜਵੀਂ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਆਕਸੀਕਰਨ ਅਵਸਥਾਵਾਂ
- −5, −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਕਸੀਕਰਨ ਅਵਸਥਾਵਾਂ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਸੰਯੋਜਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ
- 3 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਸੰਯੋਜਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਵਿਨਿਆਸ
- [Ar] 4s2 3d10 4p1
ਤਾਪਗਤੀਕੀ
- ਤਿਹਰਾ ਬਿੰਦੂ (ਤਾਪਮਾਨ)
- 29.7666 °C
- ਪਿਘਲਣ ਦਾ ਤਾਪ
- 0.05793647 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪਿਘਲਣ ਦਾ ਤਾਪ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦਾ ਤਾਪ
- 2.653262 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦਾ ਤਾਪ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਉਰਧਪਾਤਨ ਦਾ ਤਾਪ
- 2.808727 eV
- ਪਰਮਾਣੂਕਰਨ ਦਾ ਤਾਪ
- 2.808727 eV
- ਪਰਮਾਣੂਕਰਨ ਐਂਥੈਲਪੀ
- 2.818676 eV
ਨਾਭਿਕੀ
- ਪ੍ਰੋਟਾਨ
- 31 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰੋਟਾਨ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਨਿਊਟ੍ਰਾਨ
- 38 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਨਿਊਟ੍ਰਾਨ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਜਾਣੇ-ਪਛਾਣੇ ਸਮਸਥਾਨਿਕ
- 33 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਜਾਣੇ-ਪਛਾਣੇ ਸਮਸਥਾਨਿਕ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਸਥਿਰ ਸਮਸਥਾਨਿਕ
- 2 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਸਥਿਰ ਸਮਸਥਾਨਿਕ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਸਭ ਤੋਂ ਸਥਿਰ ਸਮਸਥਾਨਿਕ
- Ga-69
- ਖੋਜ ਦਾ ਸਾਲ
- 1875
ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ
- ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ (ਧਰਤੀ ਦੀ ਛਾਲ)
- 19 mg/kg ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ (ਧਰਤੀ ਦੀ ਛਾਲ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ (ਮਹਾਂਸਾਗਰ)
- 3 × 10−5 mg/L ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ (ਮਹਾਂਸਾਗਰ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ
- ਜਾਲਕ ਸਥਿਰਾਂਕ a
- 451 pm
ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਬਣਤਰ
- ਪ੍ਰਤੀ ਖੋਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ
- 2, 8, 18, 3 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਤੀ ਖੋਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
ਪਛਾਣਕਰਤਾ
- CAS ਸੰਖਿਆ
- 7440-55-3 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ CAS ਸੰਖਿਆ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਟਰਮ ਪ੍ਰਤੀਕ
- 2P°1/2
- InChI
- InChI=1S/Ga
- InChI ਕੁੰਜੀ
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N
ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਵਿਨਿਆਸ ਮਾਪਿਆ
Ga: 3d¹⁰ 4s² 4p¹[Ar] 3d¹⁰ 4s² 4p¹1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p⁶ 3d¹⁰ 4s² 4p¹ਪਰਮਾਣੂ ਮਾਡਲ
ਸਮਸਥਾਨਿਕ ਨਿਊਟ੍ਰਾਨਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ, ਪੁੰਜ ਅਤੇ ਸਥਿਰਤਾ ਬਦਲਦੇ ਹਨ — ਉਦਾਸੀਨ ਪਰਮਾਣੂ ਦਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਵਿਨਿਆਸ ਨਹੀਂ।
ਸੰਕੇਤਕ ਪਰਮਾਣੂ ਮਾਡਲ, ਪੈਮਾਨੇ ਅਨੁਸਾਰ ਨਹੀਂ।
ਪਰਮਾਣੂ ਪਛਾਣ-ਚਿੰਨ੍ਹ
ਨਿਕਾਸ / ਅਵਸ਼ੋਸ਼ਣ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ
ਸਮਸਥਾਨਿਕ ਵੰਡ
| ਪੁੰਜ ਸੰਖਿਆ | ਪਰਮਾਣੂ ਪੁੰਜ (u) | ਕੁਦਰਤੀ ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ | ਅਰਧ-ਆਯੂ |
|---|---|---|---|
| 69 ਸਥਿਰ | 68.9255735 ± 0.0000013 | 60.1080% | ਸਥਿਰ |
| 71 ਸਥਿਰ | 70.92470258 ± 0.00000087 | 39.8920% | ਸਥਿਰ |
ਫੇਜ਼ / ਅਵਸਥਾ
ਕਾਰਨ: ਪਿਘਲਣ ਦਰਜੇ (29.76 °C) ਤੋਂ 4.8 °C ਘੱਟ
ਸੰਕੇਤਕ, ਪੈਮਾਨੇ ਅਨੁਸਾਰ ਨਹੀਂ
ਅਵਸਥਾ ਪਰਿਵਰਤਨ ਬਿੰਦੂ
ਸੰਕ੍ਰਮਣ ਊਰਜਾਵਾਂ
ਪਿਘਲਣ ਦਰਜੇ 'ਤੇ 1 mol ਨੂੰ ਪਿਘਲਾਉਣ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦੀ ਊਰਜਾ
ਉਬਾਲ ਦਰਜੇ 'ਤੇ 1 mol ਦੇ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦੀ ਊਰਜਾ
ਉਰਧਪਾਤਨ ਦਰਜੇ 'ਤੇ 1 mol ਦੇ ਉਰਧਪਾਤਨ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦੀ ਊਰਜਾ
ਘਣਤਾ
ਮਿਆਰੀ ਹਾਲਤਾਂ 'ਤੇ
ਮਿਆਰੀ ਹਾਲਤਾਂ 'ਤੇ
ਉੱਨਤ
ਪਰਮਾਣੂ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ
31 ਵਿੱਚੋਂ 10 ਦਿਖਾਏ ਜਾ ਰਹੇ ਹਨ। ਆਇਨ ਦੇ ਆਵੇਸ਼ ਅਨੁਸਾਰ ਕ੍ਰਮਬੱਧ (ਵਧਦੇ ਕ੍ਰਮ ਵਿੱਚ)।
ਉਪਲਬਧ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮੀ ਰੇਖਾਵਾਂ ?
| ਆਇਨ | ਆਵੇਸ਼ | ਕੁੱਲ ਰੇਖਾਵਾਂ | ਸੰਕ੍ਰਮਣ ਸੰਭਾਵਨਾਵਾਂ | ਪੱਧਰਾਂ ਦੇ ਨਾਮਾਂਕਨ |
|---|---|---|---|---|
| Ga I | 0 | 342 | 23 | 342 |
| Ga II | +1 | 176 | 10 | 176 |
| Ga III | +2 | 113 | 2 | 113 |
| Ga IV | +3 | 594 | 0 | 594 |
| Ga V | +4 | 185 | 0 | 185 |
| Ga VI | +5 | 501 | 0 | 501 |
| Ga VII | +6 | 451 | 0 | 451 |
ਉਪਲਬਧ ਊਰਜਾ ਪੱਧਰ ?
| ਆਇਨ | ਆਵੇਸ਼ | ਪੱਧਰ |
|---|---|---|
| Ga I | 0 | 262 |
| Ga II | +1 | 96 |
| Ga III | +2 | 61 |
| Ga IV | +3 | 192 |
| Ga V | +4 | 92 |
| Ga VI | +5 | 158 |
| Ga VII | +6 | 181 |
| Ga VIII | +7 | 2 |
| Ga IX | +8 | 2 |
| Ga X | +9 | 2 |
ਆਇਨਿਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
| ਆਵੇਸ਼ | ਉਪਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਨ | ਸਪਿਨ | ਅਰਧ-ਵਿਆਸ |
|---|---|---|---|
| +3 | 4 | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | 47 pm |
| +3 | 5 | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | 55.00000000000001 pm |
| +3 | 6 | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | 62 pm |
ਯੋਗਿਕ
ਸਮਸਥਾਨਿਕ (2)
| ਪੁੰਜ ਸੰਖਿਆ | ਪਰਮਾਣੂ ਪੁੰਜ (u) | ਕੁਦਰਤੀ ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ | ਅਰਧ-ਆਯੂ | ਖ਼ੈ ਦੀ ਵਿਧੀ | |
|---|---|---|---|---|---|
| 69 ਸਥਿਰ | 68.9255735 ± 0.0000013 | 60.1080% ± 0.0090% | ਸਥਿਰ | stable | |
| 71 ਸਥਿਰ | 70.92470258 ± 0.00000087 | 39.8920% ± 0.0090% | ਸਥਿਰ | stable |
ਸਪੈਕਟ੍ਰਮੀ ਰੇਖਾਵਾਂ
| ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ (nm) | ਤੀਬਰਤਾ | ਆਇਨੀਕਰਨ ਪੜਾਅ | ਕਿਸਮ | ਸੰਕ੍ਰਮਣ | ਸ਼ੁੱਧਤਾ | ਸਰੋਤ | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 417.33 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | ID 486 | emission | 3s2.3p3 2P* → 3s2.3p3 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.0525 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.70p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.0525 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.70p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.0651 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.69p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.0651 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.69p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.08 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.68p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.08 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.68p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.0924 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.67p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.0924 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.67p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.1098 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.66p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.1098 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.66p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.1257 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.65p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.1257 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.65p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.1406 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.64p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.1406 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.64p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.1588 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.63p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.1588 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.63p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.1761 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.62p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.1761 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.62p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.1948 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.61p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.1948 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.61p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.2157 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.60p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.2157 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.60p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.2367 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.59p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.2367 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.59p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.2582 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.58p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.2582 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.58p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.2826 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.57p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.2826 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.57p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.3887 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.53p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.3887 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.53p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.4204 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.52p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.4204 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.52p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.4531 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.51p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.4531 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.51p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.4886 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.50p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.4886 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.50p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.5261 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.49p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.5261 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.49p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.5675 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.48p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.5675 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.48p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.6112 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.47p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.6112 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.47p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.6563 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.46p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.6563 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.46p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.7046 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.45p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.7046 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.45p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.7569 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.44p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.7569 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.44p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.8143 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.43p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.8143 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.43p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.8743 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.42p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.8743 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.42p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.94 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.41p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 424.94 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.41p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 425.4789 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.34d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 425.4799 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.34d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 426.035 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.30d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 426.0365 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.30d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 426.6348 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.27d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 426.6367 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.27d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 427.1688 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.25d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 427.1712 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.25d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 427.8589 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.23d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 427.8621 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.23d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 428.7731 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.21d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 428.7774 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.21d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 429.3459 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.20d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 429.3507 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.20d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 430.0203 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.19d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 430.026 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.19d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 448.84 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | ID 505 | emission | 5p 2P* → 5d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 459.16 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | ID 505 | emission | 5s 2S → 5p 2P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 557 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | ID 482 | emission | 1s.5s 3S → 1s.5p 3P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 567.7 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | ID 498 | emission | 3s2.3p2 3P → 3s2.3p2 3P | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 587 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | ID 482 | emission | 1s.4p 3P* → 1s.4d 3D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 675 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | ID 486 | emission | 3s2.3p3 2D* → 3s2.3p3 2D* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 706.7 nm | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | ID 505 | emission | 4p 2P* → 4d 2D | ਮਾਪਿਆ | NIST |
ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਗੁਣ
ਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ)
- ਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਪਿਊਕੋ)
- 124 pm
- ਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਪਿਊਕੋ, ਦੋਹਰਾ ਬੰਧਨ)
- 117 pm
- ਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਪਿਊਕੋ, ਤਿਹਰਾ ਬੰਧਨ)
- 121 pm
ਵਾਨ ਡਰ ਵਾਲਜ਼ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
- Bondi
- 187 pm
- Batsanov
- 210 pm
- Alvarez
- 232 pm
- UFF
- 438.3 pm
- MM3
- 246 pm
- Dreiding
- 439 pm
ਪਰਮਾਣੂ ਅਤੇ ਧਾਤਵੀ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
- ਪਰਮਾਣੂ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਰਾਮ)
- 233 pm
- ਧਾਤਵੀ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (C12)
- 140 pm
ਅੰਕਨ ਪੈਮਾਨੇ
- Mendeleev
- 83
- Pettifor
- 81
- Glawe
- 79
ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ ਦੇ ਪੈਮਾਨੇ
- Ghosh
- 0
- Miedema
- 4
- Gunnarsson–Lundqvist
- 3
- Robles–Bartolotti
- 3
ਧਰੁਵੀਕਰਨਯੋਗਤਾ ਅਤੇ ਪ੍ਰਕੀਰਣ
- ਦੋਧਰੁਵੀ ਧਰੁਵੀਕਰਨਯੋਗਤਾ
- 50 a.u.
- ਦੋਧਰੁਵੀ ਧਰੁਵੀਕਰਨਯੋਗਤਾ (ਅਨਿਸ਼ਚਿਤਤਾ)
- 3 a.u.
- C₆
- 498 Ha·Bohr6
- C₆ (Gould–Bučko)
- 456 Ha·Bohr6
ਮੀਡੇਮਾ ਪਰਾਮੀਟਰ
- ਮੀਡੇਮਾ ਮੋਲਰ ਆਇਤਨ
- 11.82 cm3/mol
- ਮੀਡੇਮਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਘਣਤਾ
- 2
ਸਪਲਾਈ ਦਾ ਜੋਖਮ ਅਤੇ ਅਰਥਸ਼ਾਸਤਰ
- ਉਤਪਾਦਨ ਦੀ ਕੇਂਦਰਿਤਤਾ
- 54
- ਸਾਪੇਖ ਸਪਲਾਈ ਜੋਖਮ
- 8
- ਰਾਜਨੀਤਿਕ ਸਥਿਰਤਾ (ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਡਾ ਉਤਪਾਦਕ)
- 24
ਅਵਸਥਾ ਪਰਿਵਰਤਨ ਅਤੇ ਅਪਰਰੂਪ
| ਪਿਘਲਣ ਦਰਜਾ | 302.91 K |
| ਉਬਾਲ ਦਰਜਾ | 2502.15 K |
| ਤਿਹਰਾ ਬਿੰਦੂ (ਤਾਪਮਾਨ) | 302.92 K |
ਆਕਸੀਕਰਨ ਅਵਸਥਾ ਦੀਆਂ ਸ਼੍ਰੇਣੀਆਂ
ਉੱਨਤ ਸੰਦਰਭ ਡਾਟਾ
ਪਰਿਰੱਖਣ ਸਥਿਰਾਂਕ (8)
| n | ਔਰਬਿਟਲ | σ |
|---|---|---|
| 1 | s | 0.6906 |
| 2 | p | 3.9092 |
| 2 | s | 8.401 |
| 3 | d | 15.9067 |
| 3 | p | 14.7964 |
| 3 | s | 14.0038 |
| 4 | p | 24.7784 |
| 4 | s | 23.9332 |
ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਅਰਧ-ਵਿਆਸਾਂ ਦਾ ਵੇਰਵਾ (3)
| ਆਵੇਸ਼ | CN | ਸਪਿਨ | rcrystal (pm) | ਉਤਪੱਤੀ |
|---|---|---|---|---|
| 3 | IV | 61 | ||
| 3 | V | 69 | ||
| 3 | VI | 76 | from r^3 vs V plots, |
ਸਮਸਥਾਨਿਕ ਖ਼ੈ ਦੀਆਂ ਵਿਧੀਆਂ (51)
| ਸਮਸਥਾਨਿਕ | ਮੋਡ | ਤੀਬਰਤਾ |
|---|---|---|
| 56 | p | — |
| 57 | p | — |
| 58 | p | — |
| 59 | p | — |
| 60 | B+ | 100% |
| 60 | B+p | 1.6% |
| 60 | B+A | 0% |
| 61 | B+ | 100% |
| 61 | B+p | 0.3% |
| 62 | B+ | 100% |
ਐਕਸ-ਰੇ ਖਿੰਡਾਅ ਗੁਣਾਂਕ (506)
| ਊਰਜਾ (eV) | f₁ | f₂ |
|---|---|---|
| 10 | — | 2.98527 |
| 10.1617 | — | 2.98141 |
| 10.3261 | — | 2.97756 |
| 10.4931 | — | 2.9737 |
| 10.6628 | — | 2.96986 |
| 10.8353 | — | 2.96602 |
| 11.0106 | — | 2.95695 |
| 11.1886 | — | 2.90859 |
| 11.3696 | — | 2.86103 |
| 11.5535 | — | 2.81425 |
ਵਾਧੂ ਡਾਟਾ
Estimated Crustal Abundance
The estimated element abundance in the earth's crust.
1.9×101 milligrams per kilogram
ਸੰਦਰਭ (1)
Estimated Oceanic Abundance
The estimated element abundance in the earth's oceans.
3×10-5 milligrams per liter
ਸੰਦਰਭ (1)
Sources
Sources of this element.
Gallium is often found as a trace element in diaspore, sphalerite, germanite, bauxite, and coal. Some flue dusts from burning coal have been shown to contain as much 1.5 percent gallium.
ਸੰਦਰਭ (1)
- [6] Gallium https://periodic.lanl.gov/31.shtml
ਸੰਦਰਭ
(9)
Data deposited in or computed by PubChem
The half-life and atomic mass data was provided by the Atomic Mass Data Center at the International Atomic Energy Agency.
Element data are cited from the Atomic weights of the elements (an IUPAC Technical Report). The IUPAC periodic table of elements can be found at https://iupac.org/what-we-do/periodic-table-of-elements/. Additional information can be found within IUPAC publication doi:10.1515/pac-2015-0703 Copyright © 2020 International Union of Pure and Applied Chemistry.
The information are cited from Pure Appl. Chem. 2018; 90(12): 1833-2092, https://doi.org/10.1515/pac-2015-0703.
Thomas Jefferson National Accelerator Facility (Jefferson Lab) is one of 17 national laboratories funded by the U.S. Department of Energy. The lab's primary mission is to conduct basic research of the atom's nucleus using the lab's unique particle accelerator, known as the Continuous Electron Beam Accelerator Facility (CEBAF). For more information visit https://www.jlab.org/
The periodic table at the LANL (Los Alamos National Laboratory) contains basic element information together with the history, source, properties, use, handling and more. The provenance data may be found from the link under the source name.
The periodic table contains NIST's critically-evaluated data on atomic properties of the elements. The provenance data that include data for atomic spectroscopy, X-ray and gamma ray, radiation dosimetry, nuclear physics, and condensed matter physics may be found from the link under the source name. Ref: https://www.nist.gov/pml/atomic-spectra-database
This section provides all form of data related to element Gallium.
The element property data was retrieved from publications.