Hydrogen ਬਨਾਮ Silicon
ਪਰਮਾਣੂ ਬਣਤਰ ਅਤੇ ਭੌਤਿਕ ਗੁਣਾਂ ਦੇ ਆਧਾਰ 'ਤੇ Hydrogen (H, ਤੱਤ 1) ਅਤੇ Silicon (Si, ਤੱਤ 14) ਦੀ ਨਾਲੋ-ਨਾਲ ਤੁਲਨਾ।
| ਗੁਣ | H Hydrogen | Si Silicon |
|---|---|---|
| ਪਰਮਾਣੂ ਸੰਖਿਆ | 1 | 14 |
| ਪ੍ਰਤੀਕ | H | Si |
| ਨਾਮ | Hydrogen | Silicon |
| ਸ਼੍ਰੇਣੀ | nonmetal | metalloid |
| ਮਿਆਰੀ ਪਰਮਾਣੂ ਭਾਰ | 1.007975 u | 28.085 u |
| ਆਵਰਤ | 1 | 3 |
| ਸਮੂਹ | 1 | 14 |
| ਬਲਾਕ | s | p |
| STP 'ਤੇ ਅਵਸਥਾ | ਗੈਸ | ਠੋਸ |
| ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਵਿਨਿਆਸ | 1s1 | [Ne]3s23p2 |
| ਆਕਸੀਕਰਨ ਅਵਸਥਾਵਾਂ | [-1, 1] | [-4, -3, -2, -1, 0, 1, 2, 3, 4] |
| ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ (ਪਾਲਿੰਗ) | 2.2 | 1.9 |
| ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਬੰਧੁਤਾ | 0.75419 eV | 1.385 eV |
| ਘਣਤਾ | 0.08988 kg/m³ | 2329.6 kg/m³ |
| ਪਿਘਲਣ ਦਰਜਾ | -259.193 °C | 1413.85 °C |
| ਉਬਾਲ ਦਰਜਾ | -252.781 °C | 3264.85 °C |
| ਖੋਜ ਦਾ ਸਾਲ | 1766 | 1824 |
ਮੁੱਖ ਅੰਤਰ
| ਗੁਣ | H Hydrogen | Si Silicon |
|---|---|---|
| ਮਿਆਰੀ ਪਰਮਾਣੂ ਭਾਰ | 1.007975 u ↓ ਘੱਟ | 28.085 u ↑ ਵੱਧ |
| ਘਣਤਾ | 0.08988 kg/m³ ↓ ਘੱਟ | 2329.6 kg/m³ ↑ ਵੱਧ |
| ਪਿਘਲਣ ਦਰਜਾ | -259.193 °C ↓ ਘੱਟ | 1413.85 °C ↑ ਵੱਧ |
| ਉਬਾਲ ਦਰਜਾ | -252.781 °C ↓ ਘੱਟ | 3264.85 °C ↑ ਵੱਧ |
| ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ (ਪਾਲਿੰਗ) | 2.2 ↑ ਵੱਧ | 1.9 ↓ ਘੱਟ |
| ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਬੰਧੁਤਾ | 0.75419 eV ↓ ਘੱਟ | 1.385 eV ↑ ਵੱਧ |
| ਆਵਰਤ | 1 | 3 |
| ਸਮੂਹ | 1 | 14 |
| ਬਲਾਕ | s | p |
| ਸ਼੍ਰੇਣੀ | nonmetal | metalloid |
| STP 'ਤੇ ਅਵਸਥਾ | ਗੈਸ | ਠੋਸ |
| ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਵਿਨਿਆਸ | 1s1 | [Ne]3s23p2 |
| ਖੋਜ ਦਾ ਸਾਲ | 1766 | 1824 |