Silicon ਬਨਾਮ Phosphorus
ਪਰਮਾਣੂ ਬਣਤਰ ਅਤੇ ਭੌਤਿਕ ਗੁਣਾਂ ਦੇ ਆਧਾਰ 'ਤੇ Silicon (Si, ਤੱਤ 14) ਅਤੇ Phosphorus (P, ਤੱਤ 15) ਦੀ ਨਾਲੋ-ਨਾਲ ਤੁਲਨਾ।
| ਗੁਣ | Si Silicon | P Phosphorus |
|---|---|---|
| ਪਰਮਾਣੂ ਸੰਖਿਆ | 14 | 15 |
| ਪ੍ਰਤੀਕ | Si | P |
| ਨਾਮ | Silicon | Phosphorus |
| ਸ਼੍ਰੇਣੀ | metalloid | nonmetal |
| ਮਿਆਰੀ ਪਰਮਾਣੂ ਭਾਰ | 28.085 u | 30.973762 u |
| ਆਵਰਤ | 3 | 3 |
| ਸਮੂਹ | 14 | 15 |
| ਬਲਾਕ | p | p |
| STP 'ਤੇ ਅਵਸਥਾ | ਠੋਸ | ਠੋਸ |
| ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਵਿਨਿਆਸ | [Ne]3s23p2 | [Ne]3s23p3 |
| ਆਕਸੀਕਰਨ ਅਵਸਥਾਵਾਂ | [-4, -3, -2, -1, 0, 1, 2, 3, 4] | [-3, -2, -1, 0, 1, 2, 3, 4, 5] |
| ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ (ਪਾਲਿੰਗ) | 1.9 | 2.19 |
| ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਬੰਧੁਤਾ | 1.385 eV | 0.7466 eV |
| ਘਣਤਾ | 2329.6 kg/m³ | 1820 kg/m³ |
| ਪਿਘਲਣ ਦਰਜਾ | 1413.85 °C | 44.15 °C |
| ਉਬਾਲ ਦਰਜਾ | 3264.85 °C | 280.5 °C |
| ਖੋਜ ਦਾ ਸਾਲ | 1824 | 1669 |
ਮੁੱਖ ਅੰਤਰ
| ਗੁਣ | Si Silicon | P Phosphorus |
|---|---|---|
| ਮਿਆਰੀ ਪਰਮਾਣੂ ਭਾਰ | 28.085 u ↓ ਘੱਟ | 30.973762 u ↑ ਵੱਧ |
| ਘਣਤਾ | 2329.6 kg/m³ ↑ ਵੱਧ | 1820 kg/m³ ↓ ਘੱਟ |
| ਪਿਘਲਣ ਦਰਜਾ | 1413.85 °C ↑ ਵੱਧ | 44.15 °C ↓ ਘੱਟ |
| ਉਬਾਲ ਦਰਜਾ | 3264.85 °C ↑ ਵੱਧ | 280.5 °C ↓ ਘੱਟ |
| ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ (ਪਾਲਿੰਗ) | 1.9 ↓ ਘੱਟ | 2.19 ↑ ਵੱਧ |
| ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਬੰਧੁਤਾ | 1.385 eV ↑ ਵੱਧ | 0.7466 eV ↓ ਘੱਟ |
| ਸਮੂਹ | 14 | 15 |
| ਸ਼੍ਰੇਣੀ | metalloid | nonmetal |
| ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਵਿਨਿਆਸ | [Ne]3s23p2 | [Ne]3s23p3 |
| ਖੋਜ ਦਾ ਸਾਲ | 1824 | 1669 |