Silicon विरुद्ध Phosphorus
Silicon (Si, मूलद्रव्य 14) आणि Phosphorus (P, मूलद्रव्य 15) यांची अणुसंरचना आणि भौतिक गुणधर्मांनुसार शेजारी मांडून तुलना.
| गुणधर्म | Si Silicon | P Phosphorus |
|---|---|---|
| अणुक्रमांक | 14 | 15 |
| चिन्ह | Si | P |
| नाव | Silicon | Phosphorus |
| वर्ग | metalloid | nonmetal |
| प्रमाणित अणुभार | 28.085 u | 30.973762 u |
| आवर्त | 3 | 3 |
| गट | 14 | 15 |
| खंड | p | p |
| STP येथे अवस्था | घन | घन |
| इलेक्ट्रॉन संरूपण | [Ne]3s23p2 | [Ne]3s23p3 |
| ऑक्सिडीकरण अवस्था | [-4, -3, -2, -1, 0, 1, 2, 3, 4] | [-3, -2, -1, 0, 1, 2, 3, 4, 5] |
| विद्युतऋणता (पॉलिंग) | 1.9 | 2.19 |
| इलेक्ट्रॉन आसक्ती | 1.385 eV | 0.7466 eV |
| घनता | 2329.6 kg/m³ | 1820 kg/m³ |
| द्रवणांक | 1413.85 °C | 44.15 °C |
| उत्कलनांक | 3264.85 °C | 280.5 °C |
| शोधाचे वर्ष | 1824 | 1669 |
प्रमुख फरक
| गुणधर्म | Si Silicon | P Phosphorus |
|---|---|---|
| प्रमाणित अणुभार | 28.085 u ↓ कमी | 30.973762 u ↑ अधिक |
| घनता | 2329.6 kg/m³ ↑ अधिक | 1820 kg/m³ ↓ कमी |
| द्रवणांक | 1413.85 °C ↑ अधिक | 44.15 °C ↓ कमी |
| उत्कलनांक | 3264.85 °C ↑ अधिक | 280.5 °C ↓ कमी |
| विद्युतऋणता (पॉलिंग) | 1.9 ↓ कमी | 2.19 ↑ अधिक |
| इलेक्ट्रॉन आसक्ती | 1.385 eV ↑ अधिक | 0.7466 eV ↓ कमी |
| गट | 14 | 15 |
| वर्ग | metalloid | nonmetal |
| इलेक्ट्रॉन संरूपण | [Ne]3s23p2 | [Ne]3s23p3 |
| शोधाचे वर्ष | 1824 | 1669 |