Germanium (Ge)
metalloidSolid
প্রমিত পারমাণবিক ওজন
72.63 uইলেকট্রন বিন্যাস
[Ar] 4s2 3d10 4p2গলনাঙ্ক
938.25 °Cস্ফুটনাঙ্ক
2832.85 °Cঘনত্ব
5323.4 kg/m³জারণ অবস্থা
−4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3, +4তড়িৎঋণাত্মকতা (পাউলিং)
2.01আয়নীকরণ শক্তি (প্রথম)
7.899435 eVআবিষ্কারের বছর
1886পারমাণবিক ব্যাসার্ধ
125 pmবিস্তারিত
Germanium is a hard, brittle metalloid in group 14, chemically intermediate between silicon and tin. It is a covalent semiconductor with a narrow band gap and forms stable compounds mainly in the +4 and +2 oxidation states. The element is not mined as a principal ore in most operations; it is commonly recovered as a by-product from zinc processing and from some coal-derived materials. Its technological importance rests on infrared optics, fiber-optic materials, semiconductor devices, and specialty catalysts.
The element is a gray-white metalloid. In pure state, the element is crystalline and brittle, retaining its luster in air at room temperature. It is a very important semiconductor. Zone-refining techniques have led to production of crystalline germanium for semiconductor use with an impurity of only one part in 1010.
The name derives from the Latin germania for Germany. It was discovered and isolated by the German chemist Clemens-Alexander Winkler in 1886 in the mineral argyrodite (GeS2×4Ag2S).
First proposed to exist by Dmitri Mendeleyev in 1871 based on gaps in his newly created Periodic Table of Elements, germanium was discovered by the German chemist Clemens Winkler in the mineral argyrodite (Ag8GeS6) in 1886. Today, germanium is primarily obtained from the smelting of zinc ores and from the byproducts of burning certain types of coal.
From the Latin word Germania, Germany. Mendeleev predicted the existence of Germanium in 1871 as ekasilicon, and the element was discovered by Winkler in 1886.
Pure germanium is a lustrous, grayish-white solid with a metallic sheen. It crystallizes in the diamond-cubic structure and is brittle rather than malleable. High-purity material is commonly encountered as polycrystalline pieces, single-crystal ingots, or wafers for electronic and optical use.
Germanium is used where its optical and electronic properties are valuable rather than as a structural metal. Germanium dioxide, GeO₂, is added to silica glass for optical fibers because it raises refractive index. Elemental germanium and germanium-containing glasses are used in infrared lenses, windows, and thermal imaging optics. Germanium substrates support some high-efficiency multijunction solar cells. Small amounts are used in semiconductor detectors, legacy transistors, and SiGe alloys for high-speed electronics. Certain organogermanium and oxide materials have specialized roles, but broad medical uses are not established.
The largest use of germanium is in the semiconductor industry. When doped with small amounts of arsenic, gallium, indium, antimony or phosphorus, germanium is used to make transistors for use in electronic devices. Germanium is also used to create alloys and as a phosphor in fluorescent lamps. Both germanium and germanium oxide (GeO) are transparent to infrared radiation and are used in infrared optical instruments and infrared detectors. Some germanium compounds seem to be effective in killing some types of bacteria and are currently being studied for use in chemotherapy.
When germanium is doped with arsenic, gallium, or other elements, it is used as a transistor element in thousands of electronic applications. The most common use of germanium is as a semiconductor. Germanium is also finding many other applications including use as an alloying agent, as a phosphor in fluorescent lamps, and as a catalyst.
Germanium and germanium oxide are transparent to the infrared and are used in infrared spectroscopes and other optical equipment, including extremely sensitive infrared detectors.
The high index of refraction and dispersion properties of its oxide's have made germanium useful as a component of wide-angle camera lenses and microscope objectives.
The field of organo-germanium chemistry is becoming increasingly important. Certain germanium compounds have a low mammalian toxicity, but a marked activity against certain bacteria, which makes them useful as chemotherapeutic agents.
Isotopes in Earth/Planetary Science
Because molecules, atoms, and ions of the stable isotopes of germanium possess slightly different physical and chemical properties, they commonly will be fractionated during physical, chemical, and biological processes, giving rise to variations in isotopic abundances and in atomic weights. There are measureable variations in the isotopic abundances of germanium in terrestrial materials (Fig. IUPAC.32.1).
Isotopes in Medicine
68Ge is used to calibrate positron emission tomography (PET) scanners, which have been used for medical diagnostic procedures [268] Office of Science, Los Alamos National Laboratory. Isotope Production and Applications, Los Alamos National Laboratory (2017), Feb. 26; http://www.lanl.gov/science-innovation/science-programs/office-of-science-programs/nuclear-physics/isotopes/_assets/docs/isotope-program-brochure.pdf..
Isotopes Used as a Source of Radioactive Isotope(s)
72Ge and 74Ge are used to produce the radioactive isotopes 72As and 74As, with half-lives of 26 h and 17.8 days, respectively. The arsenic nuclei can attach to tumors and the decay of these isotopes is used to image the location of cancerous tumors in vivovia the 72Ge (n, p) 72As reaction and the 74Ge (n, p) 74As reaction [269] M. Jennewein, M. A. Lewis, D. Zhao, E. Tsyganov, N. Slavine, J. He, L. Watkins, V. D. Kodibagkar, S. O’Kelly, P. Kulkarni, P. P. Antich, A. Hermanne, F. Rösch, R. P. Mason, P. E. Thorpe. Clin. Cancer Res.14, 1377 (2008).. 70Ge, 72Ge, and 74Ge have all been used to produce the medical radioisotope 73Se via the 70Ge (4He, n) 73Se reaction, via the 72Ge (4He, 3n) 73Se reaction and via the reaction 74Ge (4He, 5n) 73Se, respectively [269] M. Jennewein, M. A. Lewis, D. Zhao, E. Tsyganov, N. Slavine, J. He, L. Watkins, V. D. Kodibagkar, S. O’Kelly, P. Kulkarni, P. P. Antich, A. Hermanne, F. Rösch, R. P. Mason, P. E. Thorpe. Clin. Cancer Res.14, 1377 (2008)..
Germanium chemistry resembles a heavier analogue of silicon chemistry, with notable stability of both +4 and +2 compounds. Germanium dioxide, GeO₂, is the principal oxide and occurs in quartz-like and rutile-like forms. Germanium tetrachloride, GeCl₄, is a volatile liquid used as an intermediate in purification and glass manufacture. Germanium monosulfide, GeS, and germanium disulfide, GeS₂, illustrate lower and higher oxidation-state chalcogenides. Germanes such as germane, GeH₄, are reactive hydrides used in deposition chemistry. Organogermanium compounds contain Ge–C bonds, but their chemistry is less commercially extensive than organosilicon chemistry.
See more information at the Germanium compound page.
Massive germanium metal is of low acute toxicity and is not considered a nutritional requirement for humans. Dusts and finely divided material can irritate the respiratory tract and should be controlled in industrial handling. Germane, GeH₄, is highly flammable and toxic, posing a significant gas-handling hazard. Germanium tetrachloride, GeCl₄, fumes in moist air and can form corrosive hydrogen chloride, HCl. Some soluble germanium compounds have caused kidney and nerve toxicity when ingested in inappropriate supplement use.
Germanium is a dispersed trace element in the crust and is enriched in some zinc ores, lignites, and coal ashes. In natural waters it commonly follows silica behavior because dissolved germanium species can resemble silicic acid in geochemical cycling. Weathering releases only small concentrations, and the element has no known essential biological function. Industrial releases are usually associated with mining, smelting, coal combustion residues, and processing of germanium-bearing intermediates.
Germanium supply is tied to by-product recovery, so availability depends strongly on zinc refining, processing of certain coal ashes, and the economics of collecting dilute streams. Concentrates are converted through intermediates such as germanium tetrachloride, GeCl₄, then hydrolyzed and reduced to high-purity metal or oxide. Demand is concentrated in fiber optics, infrared optics, polymerization catalysts, electronics, and space solar cells. Recycling from optical scrap, semiconductor material, and some catalysts is important because primary sources are geographically and geologically limited. Substitution is possible in some optical and electronic uses, but often with performance or design penalties.
The metal is found in
▸ argyrodite, a sulfide of germanium and silver;
▸ germanite, which contains 8 percent of the element;
▸ zinc ores;
▸ coal; and
▸ other minerals
The element is commercially obtained from the dust from smelters that process zinc ores. It is also recovered from combustion by-products of certain coals.
Germanium can be separated from other metals by fractional distillation of its volatile tetrachloride. These techniques permit the production of germanium of ultra-high purity.
Germanium is a minor cosmic element produced mainly by neutron-capture processes in evolved stars and supernova-related environments, with contributions from charged-particle reactions. It is far less abundant than silicon because heavier nuclei beyond iron-region seed patterns require less common nucleosynthetic pathways. In meteorites and planetary rocks it behaves partly as a moderately siderophile and chalcophile trace element, partitioning into metal and sulfide phases under suitable conditions.
- Germanium was predicted by Mendeleev as eka-silicon before it was isolated.
- Zone refining of germanium helped establish ultra-high-purity semiconductor practice.
- Germanium expands on freezing, as silicon and water do.
- Natural germanium contains five stable isotopes.
- GeO₂ can be reduced to the element with hydrogen in industrial purification.
ছবি
ধর্ম
ভৌত
- পারমাণবিক ব্যাসার্ধ (পরীক্ষালব্ধ)
- 125 pm সব মৌলের পারমাণবিক ব্যাসার্ধ (পরীক্ষালব্ধ) তুলনা করুন →
- সমযোজী ব্যাসার্ধ
- 120 pm সব মৌলের সমযোজী ব্যাসার্ধ তুলনা করুন →
- ভ্যান ডার ওয়ালস ব্যাসার্ধ
- 211 pm সব মৌলের ভ্যান ডার ওয়ালস ব্যাসার্ধ তুলনা করুন →
- ধাতব ব্যাসার্ধ
- 124 pm সব মৌলের ধাতব ব্যাসার্ধ তুলনা করুন →
- ঘনত্ব
- 5323.4 kg/m³ সব মৌলের ঘনত্ব তুলনা করুন →
- মোলার আয়তন
- 0.0136 L/mol
- STP-তে দশা
- কঠিন সব মৌলের STP-তে দশা তুলনা করুন →
- গলনাঙ্ক
- 938.25 °C সব মৌলের গলনাঙ্ক তুলনা করুন →
- স্ফুটনাঙ্ক
- 2832.85 °C সব মৌলের স্ফুটনাঙ্ক তুলনা করুন →
- তাপ পরিবাহিতা
- 60.2 W/(m·K) সব মৌলের তাপ পরিবাহিতা তুলনা করুন →
- আপেক্ষিক তাপধারণ ক্ষমতা
- 0.32 J/(g·K) সব মৌলের আপেক্ষিক তাপধারণ ক্ষমতা তুলনা করুন →
- মোলার তাপধারণ ক্ষমতা
- 23.222 J/(mol·K) সব মৌলের মোলার তাপধারণ ক্ষমতা তুলনা করুন →
- স্ফটিক গঠন
- হীরকের ঘনকীয় গঠন সব মৌলের স্ফটিক গঠন তুলনা করুন →
রাসায়নিক
- তড়িৎঋণাত্মকতা (পাউলিং)
- 2.01 সব মৌলের তড়িৎঋণাত্মকতা (পাউলিং) তুলনা করুন →
- তড়িৎঋণাত্মকতা (অ্যালেন)
- 1.994
- ইলেকট্রন আসক্তি
- 1.232 eV
- আয়নীকরণ শক্তি (প্রথম)
- 7.899435 eV সব মৌলের আয়নীকরণ শক্তি (প্রথম) তুলনা করুন →
- আয়নীকরণ শক্তি (দ্বিতীয়)
- 15.934665 eV সব মৌলের আয়নীকরণ শক্তি (দ্বিতীয়) তুলনা করুন →
- আয়নীকরণ শক্তি (তৃতীয়)
- 34.057717 eV সব মৌলের আয়নীকরণ শক্তি (তৃতীয়) তুলনা করুন →
- আয়নীকরণ শক্তি (চতুর্থ)
- 45.715657 eV সব মৌলের আয়নীকরণ শক্তি (চতুর্থ) তুলনা করুন →
- আয়নীকরণ শক্তি (পঞ্চম)
- 90.500312 eV সব মৌলের আয়নীকরণ শক্তি (পঞ্চম) তুলনা করুন →
- জারণ অবস্থা
- −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3, +4 সব মৌলের জারণ অবস্থা তুলনা করুন →
- যোজ্যতা ইলেকট্রন
- 4 সব মৌলের যোজ্যতা ইলেকট্রন তুলনা করুন →
- ইলেকট্রন বিন্যাস
- [Ar] 4s2 3d10 4p2
তাপগতীয়
- সংকট বিন্দু (তাপমাত্রা)
- 9529 °C
- গলন তাপ
- 0.38285744 eV সব মৌলের গলন তাপ তুলনা করুন →
- বাষ্পীভবন তাপ
- 3.420221 eV সব মৌলের বাষ্পীভবন তাপ তুলনা করুন →
- ঊর্ধ্বপাতন তাপ
- 3.907343 eV
- পরমাণুকরণ তাপ
- 3.907343 eV
- পরমাণুকরণ এনথালপি
- 3.855522 eV
নিউক্লীয়
- প্রোটন
- 32 সব মৌলের প্রোটন তুলনা করুন →
- নিউট্রন
- 42 সব মৌলের নিউট্রন তুলনা করুন →
- পরিচিত আইসোটোপ
- 33 সব মৌলের পরিচিত আইসোটোপ তুলনা করুন →
- স্থিতিশীল আইসোটোপ
- 4 সব মৌলের স্থিতিশীল আইসোটোপ তুলনা করুন →
- সবচেয়ে স্থিতিশীল আইসোটোপ
- Ge-74
- আবিষ্কারের বছর
- 1886
প্রাচুর্য
- প্রাচুর্য (ভূত্বক)
- 1.5 mg/kg সব মৌলের প্রাচুর্য (ভূত্বক) তুলনা করুন →
- প্রাচুর্য (মহাসাগর)
- 5 × 10−5 mg/L সব মৌলের প্রাচুর্য (মহাসাগর) তুলনা করুন →
স্ফটিক গঠন
- জালক ধ্রুবক a
- 566 pm
ইলেকট্রনীয় গঠন
- প্রতি শক্তিস্তরে ইলেকট্রন
- 2, 8, 18, 4 সব মৌলের প্রতি শক্তিস্তরে ইলেকট্রন তুলনা করুন →
শনাক্তকারী
- CAS নম্বর
- 7440-56-4 সব মৌলের CAS নম্বর তুলনা করুন →
- টার্ম প্রতীক
- 3P0
- InChI
- InChI=1S/Ge
- InChI Key
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N
ইলেকট্রন বিন্যাস পরিমাপকৃত
Ge: 3d¹⁰ 4s² 4p²[Ar] 3d¹⁰ 4s² 4p²1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p⁶ 3d¹⁰ 4s² 4p²পারমাণবিক মডেল
আইসোটোপভেদে নিউট্রনের সংখ্যা, ভর ও স্থিতিশীলতা পরিবর্তিত হয় — নিরপেক্ষ পরমাণুর ইলেকট্রন বিন্যাস নয়।
পারমাণবিক মডেলের রূপরেখা, প্রকৃত অনুপাতে নয়।
পারমাণবিক স্বতন্ত্র পরিচয়চিহ্ন
নিঃসরণ / শোষণ বর্ণালি
আইসোটোপের বণ্টন
| ভরসংখ্যা | পারমাণবিক ভর (u) | প্রাকৃতিক প্রাচুর্য | অর্ধায়ু |
|---|---|---|---|
| 70 স্থিতিশীল | ৬৯.৯২৪২৪৮৭৫ ± ০.০০০০০০৯ | 20.5700% | স্থিতিশীল |
| 72 স্থিতিশীল | ৭১.৯২২০৭৫৮২৬ ± ০.০০০০০০০৮১ | 27.4500% | স্থিতিশীল |
| 73 স্থিতিশীল | ৭২.৯২৩৪৫৮৯৫৬ ± ০.০০০০০০০৬১ | 7.7500% | স্থিতিশীল |
| 74 স্থিতিশীল | ৭৩.৯২১১৭৭৭৬১ ± ০.০০০০০০০১৩ | 36.5000% | স্থিতিশীল |
দশা / অবস্থা
কারণ: গলনাঙ্কের (938.25 °C) চেয়ে 913.3 °C কম
রূপরেখামূলক, প্রকৃত অনুপাতে নয়
দশান্তর বিন্দু
দশান্তর শক্তি
গলনাঙ্কে 1 mol গলাতে প্রয়োজনীয় শক্তি
স্ফুটনাঙ্কে 1 mol বাষ্পীভূত করতে প্রয়োজনীয় শক্তি
ঊর্ধ্বপাতনাঙ্কে 1 mol ঊর্ধ্বপাতিত করতে প্রয়োজনীয় শক্তি
ঘনত্ব
প্রমিত শর্তে
প্রমিত শর্তে
উন্নত
পারমাণবিক বর্ণালি
32টির মধ্যে 10টি দেখানো হচ্ছে। আয়নের আধান অনুযায়ী সাজানো (ঊর্ধ্বক্রমে)।
সংরক্ষিত বর্ণালিরেখার তথ্য ?
| আয়ন | আধান | মোট রেখা | অবস্থান্তরের সম্ভাবনা | স্তরের নির্দেশক |
|---|---|---|---|---|
| Ge I | 0 | 224 | 26 | 223 |
| Ge II | +1 | 149 | 20 | 149 |
| Ge III | +2 | 55 | 0 | 0 |
| Ge IV | +3 | 27 | 0 | 0 |
| Ge V | +4 | 37 | 0 | 0 |
সংরক্ষিত শক্তিস্তর তথ্য ?
| আয়ন | আধান | স্তর |
|---|---|---|
| Ge I | 0 | 621 |
| Ge II | +1 | 129 |
| Ge III | +2 | 48 |
| Ge IV | +3 | 55 |
| Ge V | +4 | 102 |
| Ge VI | +5 | 105 |
| Ge VII | +6 | 168 |
| Ge VIII | +7 | 2 |
| Ge IX | +8 | 2 |
| Ge X | +9 | 2 |
আয়নিক ব্যাসার্ধ
| আধান | সমন্বয় | স্পিন | ব্যাসার্ধ |
|---|---|---|---|
| +2 | 6 | তথ্য নেই | 73 pm |
| +4 | 4 | তথ্য নেই | 39 pm |
| +4 | 6 | তথ্য নেই | 53 pm |
যৌগ
আইসোটোপ (4)
| ভরসংখ্যা | পারমাণবিক ভর (u) | প্রাকৃতিক প্রাচুর্য | অর্ধায়ু | ক্ষয়প্রণালি | |
|---|---|---|---|---|---|
| 70 স্থিতিশীল | ৬৯.৯২৪২৪৮৭৫ ± ০.০০০০০০৯ | 20.5700% ± 0.2700% | স্থিতিশীল | stable | |
| 72 স্থিতিশীল | ৭১.৯২২০৭৫৮২৬ ± ০.০০০০০০০৮১ | 27.4500% ± 0.3200% | স্থিতিশীল | stable | |
| 73 স্থিতিশীল | ৭২.৯২৩৪৫৮৯৫৬ ± ০.০০০০০০০৬১ | 7.7500% ± 0.1200% | স্থিতিশীল | stable | |
| 74 স্থিতিশীল | ৭৩.৯২১১৭৭৭৬১ ± ০.০০০০০০০১৩ | 36.5000% ± 0.2000% | স্থিতিশীল | stable |
বর্ণালিরেখা
57টির মধ্যে 50টি দেখানো হচ্ছে। ডিফল্টভাবে কেবল পরিমাপকৃত তীব্রতাযুক্ত বর্ণালিরেখা দেখানো হয়।
| তরঙ্গদৈর্ঘ্য (nm) | তীব্রতা | আয়নীকরণ পর্যায় | ধরন | অবস্থান্তর | নির্ভুলতা | উৎস | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 474.18054 nm | 1000 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.5d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 481.46084 nm | 1000 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.5d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 589.33885 nm | 1000 | Ge II | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.5p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 602.10412 nm | 500 | Ge II | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.5p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 517.86474 nm | 200 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.4f 2F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 607.834 nm | 150 | Ge II | emission | 4s.4p.(3P*).5s 4P* → 4s.4p.(3P*).5p 4D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 626.8068 nm | 150 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.6g 2G | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 513.17516 nm | 100 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.4f 2F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 626.8341 nm | 100 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.6g 2G | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 633.63765 nm | 100 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.6s 2S | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 648.41813 nm | 100 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.6s 2S | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 628.34518 nm | 75 | Ge II | emission | 4s2.5d 2D → 4s2.6f 2F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 422.656259 nm | 70 | Ge I | emission | 4s2.4p2 1S → 4s2.4p.5s 1P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 482.40972 nm | 50 | Ge II | emission | 4s2.5p 2P* → 4s2.5d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 626.7136 nm | 50 | Ge II | emission | 4s2.5d 2D → 4s2.6f 2F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 678.0486 nm | 50 | Ge II | emission | 4s2.6p 2P* → 4s2.7d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 704.93692 nm | 50 | Ge II | emission | 4s.4p2 2D → 4s2.5p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 384.50994 nm | 30 | Ge II | emission | 4s.4p2 4P → 4s2.5p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 714.53898 nm | 30 | Ge II | emission | 4s.4p2 2D → 4s2.5p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 494.12769 nm | 20 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.6p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 520.56488 nm | 20 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.7g 2G | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 696.63205 nm | 20 | Ge II | emission | 4s.4p2 2D → 4s2.5p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 439.1656 nm | 15 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.9g 2G | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 520.58372 nm | 15 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.7g 2G | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 552.2987 nm | 15 | Ge II | emission | 4s2.6p 2P* → 4s2.8d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 439.179 nm | 10 | Ge II | emission | 4s2.4f 2F* → 4s2.9g 2G | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 466.2311 nm | 10 | Ge II | emission | 4s2.5d 2D → 4s2.8f 2F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 468.582849 nm | 10 | Ge I | emission | 4s2.4p2 1S → 4s2.4p.5s 3P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 493.40754 nm | 10 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.6p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 517.84615 nm | 10 | Ge II | emission | 4s2.4d 2D → 4s2.4f 2F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 569.19543 nm | 9 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 580.2093 nm | 9 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 1P* → 4s2.4p.6p 1D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 556.47408 nm | 8 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3S | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 560.70101 nm | 8 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3P | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 565.596 nm | 8 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 562.14256 nm | 7 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 1P | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 733.0383 nm | 7 | Ge I | emission | 4s2.4p.5p 1P → 4s2.4p.7d (1/2,3/2)* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 738.4208 nm | 7 | Ge I | emission | 4s2.4p.5p 3D → 4s2.4p.8s (1/2,1/2)* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 526.58915 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3P | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 551.32634 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 1D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 561.61353 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3P | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 566.4226 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 1P* → 4s2.4p.6p 1S | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 570.17765 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 1P | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 580.1029 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 655.74883 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 1P* → 4s2.4p.6p 3D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 713.0126 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5p 3D → 4s2.4p.7d (3/2,5/2)* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 740.2648 nm | 6 | Ge I | emission | 4s2.4p.5p 1P → 4s2.4p.6d (3/2,3/2)* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 518.4103 nm | 5 | Ge II | emission | 4s2.5d 2D → 4s2.7f 2F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 566.4842 nm | 5 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.(2P*<1/2>).4f 2[7/2] | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 571.78769 nm | 5 | Ge I | emission | 4s2.4p.5s 3P* → 4s2.4p.6p 3D | পরিমাপকৃত | NIST |
বিস্তৃত ধর্ম
সমযোজী ব্যাসার্ধ (বিস্তৃত)
- সমযোজী ব্যাসার্ধ (পিউক্কো)
- 121 pm
- সমযোজী ব্যাসার্ধ (পিউক্কো, দ্বিবন্ধন)
- 111 pm
- সমযোজী ব্যাসার্ধ (পিউক্কো, ত্রিবন্ধন)
- 114 pm
ভ্যান ডার ওয়ালস ব্যাসার্ধ
- Truhlar
- 211 pm
- Batsanov
- 210 pm
- Alvarez
- 229 pm
- UFF
- 428 pm
- MM3
- 244 pm
- Dreiding
- 427 pm
পারমাণবিক ও ধাতব ব্যাসার্ধ
- পারমাণবিক ব্যাসার্ধ (রাম)
- 234 pm
- ধাতব ব্যাসার্ধ (C12)
- 144 pm
সংখ্যায়ন স্কেল
- Mendeleev
- 89
- Pettifor
- 84
- Glawe
- 84
তড়িৎঋণাত্মকতার স্কেল
- Ghosh
- 0
- Miedema
- 5
- Gunnarsson–Lundqvist
- 5
- Robles–Bartolotti
- 4
মেরুকরণযোগ্যতা ও বিচ্ছুরণ
- দ্বিমেরু মেরুকরণযোগ্যতা
- 40 a.u.
- দ্বিমেরু মেরুকরণযোগ্যতা (অনিশ্চয়তা)
- 1 a.u.
- C₆
- 354 Ha·Bohr6
- C₆ (Gould–Bučko)
- 365 Ha·Bohr6
মিডেমা পরামিতি
- মিডেমা মোলার আয়তন
- 9.87 cm3/mol
- মিডেমা ইলেকট্রন ঘনত্ব
- 3
সরবরাহের ঝুঁকি ও অর্থনীতি
- উৎপাদনের কেন্দ্রীভবন
- 67
- আপেক্ষিক সরবরাহের ঝুঁকি
- 8
- রাজনৈতিক স্থিতিশীলতা (শীর্ষ উৎপাদক)
- 24
দশান্তর ও রূপভেদ
| গলনাঙ্ক | 1211.4 K |
| স্ফুটনাঙ্ক | 3106.15 K |
| সংকট বিন্দু (তাপমাত্রা) | 9802.15 K |
জারণ অবস্থার শ্রেণি
উন্নত তথ্যসূত্রের উপাত্ত
আচ্ছাদন ধ্রুবক (8)
| n | অরবিটাল | σ |
|---|---|---|
| 1 | s | 0.7063 |
| 2 | p | 3.9178 |
| 2 | s | 8.6352 |
| 3 | d | 15.7487 |
| 3 | p | 14.9864 |
| 3 | s | 14.2103 |
| 4 | p | 25.2196 |
| 4 | s | 23.9564 |
স্ফটিক ব্যাসার্ধের বিস্তারিত (3)
| আধান | CN | স্পিন | rcrystal (pm) | উৎস |
|---|---|---|---|---|
| 2 | VI | 87 | Ahrens (1952) ionic radius, | |
| 4 | IV | 53 | ||
| 4 | VI | 67 | from r^3 vs V plots, |
আইসোটোপের ক্ষয়প্রণালি (50)
| আইসোটোপ | মোড | তীব্রতা |
|---|---|---|
| 58 | 2p | — |
| 59 | B+ | 100% |
| 59 | B+p | 93% |
| 59 | 2p | 0.2% |
| 60 | B+ | 100% |
| 60 | B+p | 100% |
| 60 | 2p | 14% |
| 61 | B+ | 100% |
| 61 | B+p | 87% |
| 62 | B+ | 100% |
এক্স-রে বিক্ষেপণ গুণক (506)
| শক্তি (eV) | f₁ | f₂ |
|---|---|---|
| 10 | — | 3.01183 |
| 10.1617 | — | 3.05548 |
| 10.3261 | — | 3.09976 |
| 10.4931 | — | 3.14468 |
| 10.6628 | — | 3.19025 |
| 10.8353 | — | 3.21825 |
| 11.0106 | — | 3.20755 |
| 11.1886 | — | 3.19689 |
| 11.3696 | — | 3.18626 |
| 11.5535 | — | 3.17568 |
অতিরিক্ত তথ্য
Estimated Crustal Abundance
The estimated element abundance in the earth's crust.
1.5 milligrams per kilogram
তথ্যসূত্র (1)
- [5] Germanium https://education.jlab.org/itselemental/ele032.html
Estimated Oceanic Abundance
The estimated element abundance in the earth's oceans.
5×10-5 milligrams per liter
তথ্যসূত্র (1)
- [5] Germanium https://education.jlab.org/itselemental/ele032.html
Sources
Sources of this element.
The metal is found in
▸ argyrodite, a sulfide of germanium and silver;
▸ germanite, which contains 8 percent of the element;
▸ zinc ores;
▸ coal; and
▸ other minerals
The element is commercially obtained from the dust from smelters that process zinc ores. It is also recovered from combustion by-products of certain coals.
Germanium can be separated from other metals by fractional distillation of its volatile tetrachloride. These techniques permit the production of germanium of ultra-high purity.
তথ্যসূত্র (1)
- [6] Germanium https://periodic.lanl.gov/32.shtml
তথ্যসূত্র
(9)
Data deposited in or computed by PubChem
The half-life and atomic mass data was provided by the Atomic Mass Data Center at the International Atomic Energy Agency.
Element data are cited from the Atomic weights of the elements (an IUPAC Technical Report). The IUPAC periodic table of elements can be found at https://iupac.org/what-we-do/periodic-table-of-elements/. Additional information can be found within IUPAC publication doi:10.1515/pac-2015-0703 Copyright © 2020 International Union of Pure and Applied Chemistry.
The information are cited from Pure Appl. Chem. 2018; 90(12): 1833-2092, https://doi.org/10.1515/pac-2015-0703.
Thomas Jefferson National Accelerator Facility (Jefferson Lab) is one of 17 national laboratories funded by the U.S. Department of Energy. The lab's primary mission is to conduct basic research of the atom's nucleus using the lab's unique particle accelerator, known as the Continuous Electron Beam Accelerator Facility (CEBAF). For more information visit https://www.jlab.org/
The periodic table at the LANL (Los Alamos National Laboratory) contains basic element information together with the history, source, properties, use, handling and more. The provenance data may be found from the link under the source name.
The periodic table contains NIST's critically-evaluated data on atomic properties of the elements. The provenance data that include data for atomic spectroscopy, X-ray and gamma ray, radiation dosimetry, nuclear physics, and condensed matter physics may be found from the link under the source name. Ref: https://www.nist.gov/pml/atomic-spectra-database
This section provides all form of data related to element Germanium.
The element property data was retrieved from publications.