Gallium (Ga)
post-transition-metalSolid
প্রমিত পারমাণবিক ওজন
69.723 uইলেকট্রন বিন্যাস
[Ar] 4s2 3d10 4p1গলনাঙ্ক
29.76 °Cস্ফুটনাঙ্ক
2203.85 °Cঘনত্ব
5910 kg/m³জারণ অবস্থা
−5, −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3তড়িৎঋণাত্মকতা (পাউলিং)
1.81আয়নীকরণ শক্তি (প্রথম)
5.999302 eVআবিষ্কারের বছর
1875পারমাণবিক ব্যাসার্ধ
130 pmবিস্তারিত
Gallium is a soft post-transition metal in group 13, chemically related to aluminium and indium. It is notable for melting just above room temperature, forming low-melting alloys, and supplying semiconductors through compounds such as gallium arsenide and gallium nitride. In nature it is dispersed rather than concentrated in its own ores, so it is recovered mainly as a by-product of aluminium and zinc processing.
It is one of four metals mercury, cesium, and rubidium which can be liquid near room temperature and, thus, can be used in high-temperature thermometers. It has one of the longest liquid ranges of any metal and has a low vapor pressure even at high temperatures.
There is a strong tendency for gallium to supercool below its freezing point. Therefore, seeding may be necessary to initiate solidification.
Ultra-pure gallium has a beautiful, silvery appearance, and the solid metal exhibits a conchoidal fracture similar to glass. The metal expands 3.1 percent on solidifying; therefore, it should not be stored in glass or metal containers, because they may break as the metal solidifies.
High-purity gallium is attacked only slowly by mineral acids.
The name derives from the Latin gallia for France. It was discovered in zinc blende by the French chemist Paul-Emile Lecoq de Boisbaudran in 1875. It was first isolated in 1878 by Lecoq de Boisbaudran and the French chemist Émile-Clément Jungflesch.
First proposed to exist by Dmitri Mendeleyev in 1871 based on gaps in his newly created Periodic Table of Elements, gallium was discovered spectroscopically by the French chemist Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran in 1875. Later that same year, Lecoq was able to obtain pure gallium through the electrolysis of a solution of gallium hydroxide (Ga(OH)3) in potassium hydroxide (KOH). Trace amounts of gallium are found in diaspore, sphalerite, germanite and bauxite as well as in the byproducts of burning coal.
From the Latin word Gallia, France; also from Latin, gallus, a translation of "Lecoq," a cock. Predicted and described by Mendeleev as ekaaluminum, and discovered spectroscopically by Lecoq de Boisbaudran in 1875, who in the same year obtained the free metal by electrolysis of a solution of the hydroxide in KOH.
Pure gallium is a silvery, lustrous metal that is solid at ordinary room temperature but melts at about 30 °C. The solid is brittle enough to fracture, while the liquid readily wets many surfaces and can penetrate some metals, especially aluminium.
Gallium is used chiefly in compound semiconductors. Gallium arsenide (GaAs) is important in high-frequency electronics, optoelectronics, infrared light-emitting diodes, and some photovoltaic cells. Gallium nitride (GaN) is central to blue and ultraviolet light-emitting diodes, laser diodes, and efficient power electronics. Low-melting gallium alloys are used in thermometers, thermal interfaces, and specialized heat-transfer applications where mercury is undesirable. Radioisotopes such as ⁶⁷Ga and ⁶⁸Ga are used in diagnostic nuclear medicine.
Gallium melts near room temperature and has one of the largest liquid ranges of any metal, so it has found use in high temperature thermometers. Gallium easily forms alloys with most metals and has been used to create low melting alloys. Gallium is used as a doping material for semiconductors and has been used to produce solid-state items like transistors and light emitting diodes. Gallium arsenide (GaAs) can produce laser light directly from electricity. Large amounts of gallium trichloride (GaCl3) have been gathered to build the Gallium Neutrino Observatory, an observatory located in Italy built to study particles called neutrinos which are produced inside the sun during the process of nuclear fusion.
Gallium wets glass or porcelain and forms a brilliant mirror when it is painted on glass. It is widely used in doping semiconductors and producing solid-state devices such as transistors.
Magnesium gallate containing divalent impurities, such as Mn+2, is finding use in commercial ultraviolet-activated powder phosphors. Gallium arsenide is capable of converting electricity directly into coherent light. Gallium readily alloys with most metals, and has been used as a component in low-melting alloys.
Isotopes in Medicine
68Ga (with a half-life of 68 min) is a radioactive isotope that emits positrons, which are used to produce high-resolution imaging with positron emission tomography (PET). Unlike 18F, which is most commonly used, 68Ga is more easily produced using a cost-effective generator with the parent radionuclide 68Ge (with a half-life of 271 days) (Fig. IUPAC.31.1). Once produced, 68Ga easily couples to biomolecules (most commonly peptides) that target G-protein coupled receptors, which are over-expressed on human tumor cells. The labeled protein acts as a radioactive tracer for cancer diagnostics. PET images are often coupled with CT images to get a more complete picture of the body [256] I. Kayani, B. G. Conry, A. M. Groves, T. Win, J. Dickson, M. Caplin, J. B. Bomanji. J. Nucl. Med.50, 1927 (2009)., [257] M. Fani, J. P. André, H. R. Maecke. Contrast Media Mol. Imaging3, 67 (2008)., [258] G. J. Ehrhardt, M. J. Welch. J. Nucl. Med.19, 925 (1978)., [259] G. Ehrhardt, S. Wagner, M. J. Welch. J. Labelled Compd. Radiopharm.16, 111 (1979)., [260] M. V. Cantorias, S. D. Figueroa, T. P. Quinn, J. R. Lever, T. J. Hoffman, L. D. Watkinson, T. L. Carmack, C. S. Cutler. Nucl. Med. Biol.36, 505 (2009)., [261] J. C. Rold, T. L. Sieckman, G. L. Figueroa, S. D. Sublett, S. V. Engelbrecht, H. Cutler, C. S. Jurisson, S. S. Hoffman, T. J. Bottenus, B. N. Garrison. Trans. Am. Nucl. Soc.98, 802 (2008)., [262] J. Fitzsimmons, M. Fassbender, R. Atcher. J. Nucl. Med.48, 319 (2007).. Radiopharmaceutical 67Ga (with a half-life of 78 h) is a gamma-emitting isotope used in scintigraphy for medical imaging [263] S. M. Larson, P. B. Hoffer. “Normal patterns of localization”, in Gallium-67 Imaging, P. B. Hoffer, C. Bekerman, and R. E. Henkin (Eds.), John Wiley, New York (1978)., [264] A. Wirth, J. F. Seymour, R. J. Hicks, R. Ware, R. Fisher, M. Prince, M. P. MacManus, G. Ryan, H. Januszewicz, M. Wolf. Am. J. Med.112, 262 (2002)., [265] A. Vijayananthan, A. V. Arumugam, G. Kumar, D. Harichandra. Int. J. Biomed. Imaging4 (2), e23 (2008)..
Gallium most commonly adopts the +3 oxidation state, although lower-valent gallium chemistry is well established in specialized compounds. Gallium(III) oxide (Ga₂O₃) is a wide-band-gap oxide of growing interest for power and ultraviolet devices. Gallium arsenide (GaAs), gallium nitride (GaN), gallium phosphide (GaP), and gallium antimonide (GaSb) are important III-V semiconductors. Gallium(III) chloride (GaCl₃) is a Lewis acidic halide and forms many adducts. Gallium(III) salts often hydrolyze in water, reflecting the high charge density of Ga³⁺.
See more information at the Gallium compound page.
Compact gallium metal has low acute toxicity, but it can stain skin and damage aluminium parts by liquid-metal embrittlement. Dusts, fumes, and soluble gallium compounds require normal laboratory controls because toxicity depends strongly on compound form and exposure route. Gallium arsenide (GaAs) introduces additional concern from arsenic during machining, heating, or waste handling. Medical radioisotopes present isotope-specific radiation hazards.
Its toxicity appears to be of a low order, but should be handled with care until more data is available.
Gallium occurs at trace levels in many minerals, especially those associated with aluminium and zinc ores. It substitutes for chemically similar ions rather than forming abundant gallium minerals. Weathering and industrial processing can mobilize small amounts, but gallium is not a major nutrient and has no well-established biological role. Environmental concern is usually tied to mining residues, semiconductor waste, and associated elements such as arsenic rather than to metallic gallium alone.
Gallium supply is dominated by by-product recovery, especially from bauxite processing liquors and, to a lesser extent, zinc-processing streams. Because primary ores are not mined for gallium alone, output can be constrained by aluminium and zinc production, refinery technology, and purification capacity. Demand is driven mainly by semiconductor and optoelectronic materials, where high purity is essential. Recycling occurs from manufacturing scrap and some end-of-life material, but dispersed uses and complex devices limit complete recovery. Substitution is application-specific; silicon, silicon carbide, or other III-V compounds can replace gallium materials in some devices but not without design changes.
Gallium is often found as a trace element in diaspore, sphalerite, germanite, bauxite, and coal. Some flue dusts from burning coal have been shown to contain as much 1.5 percent gallium.
Gallium is a relatively rare element in the cosmos compared with lighter metals. Its stable isotopes, ⁶⁹Ga and ⁷¹Ga, are produced in stellar nucleosynthesis pathways involving neutron capture and related processes in evolved stars and supernova environments. In planetary materials it behaves as a moderately volatile, lithophile to chalcophile trace element and is used in geochemical studies of differentiation and volatility.
- Gallium expands on freezing, so solidification can break rigid containers.
- The liquid metal has an unusually wide liquid range before boiling.
- Gallium can diffuse into aluminium and make it crumble under stress.
- Natural gallium consists mainly of two stable isotopes, ⁶⁹Ga and ⁷¹Ga.
- Very high-purity gallium is needed for many semiconductor applications.
ছবি
ধর্ম
ভৌত
- পারমাণবিক ব্যাসার্ধ (পরীক্ষালব্ধ)
- 130 pm সব মৌলের পারমাণবিক ব্যাসার্ধ (পরীক্ষালব্ধ) তুলনা করুন →
- সমযোজী ব্যাসার্ধ
- 122 pm সব মৌলের সমযোজী ব্যাসার্ধ তুলনা করুন →
- ভ্যান ডার ওয়ালস ব্যাসার্ধ
- 187 pm সব মৌলের ভ্যান ডার ওয়ালস ব্যাসার্ধ তুলনা করুন →
- ধাতব ব্যাসার্ধ
- 125 pm সব মৌলের ধাতব ব্যাসার্ধ তুলনা করুন →
- ঘনত্ব
- 5910 kg/m³ সব মৌলের ঘনত্ব তুলনা করুন →
- মোলার আয়তন
- 0.0118 L/mol
- STP-তে দশা
- কঠিন সব মৌলের STP-তে দশা তুলনা করুন →
- গলনাঙ্ক
- 29.76 °C সব মৌলের গলনাঙ্ক তুলনা করুন →
- স্ফুটনাঙ্ক
- 2203.85 °C সব মৌলের স্ফুটনাঙ্ক তুলনা করুন →
- তাপ পরিবাহিতা
- 28.1 W/(m·K) সব মৌলের তাপ পরিবাহিতা তুলনা করুন →
- আপেক্ষিক তাপধারণ ক্ষমতা
- 0.373 J/(g·K) সব মৌলের আপেক্ষিক তাপধারণ ক্ষমতা তুলনা করুন →
- মোলার তাপধারণ ক্ষমতা
- 26.03 J/(mol·K) সব মৌলের মোলার তাপধারণ ক্ষমতা তুলনা করুন →
- স্ফটিক গঠন
- অর্থোরম্বিক সব মৌলের স্ফটিক গঠন তুলনা করুন →
রাসায়নিক
- তড়িৎঋণাত্মকতা (পাউলিং)
- 1.81 সব মৌলের তড়িৎঋণাত্মকতা (পাউলিং) তুলনা করুন →
- তড়িৎঋণাত্মকতা (অ্যালেন)
- 1.756
- ইলেকট্রন আসক্তি
- 0.3 eV
- আয়নীকরণ শক্তি (প্রথম)
- 5.999302 eV সব মৌলের আয়নীকরণ শক্তি (প্রথম) তুলনা করুন →
- আয়নীকরণ শক্তি (দ্বিতীয়)
- 20.515211 eV সব মৌলের আয়নীকরণ শক্তি (দ্বিতীয়) তুলনা করুন →
- আয়নীকরণ শক্তি (তৃতীয়)
- 30.725866 eV সব মৌলের আয়নীকরণ শক্তি (তৃতীয়) তুলনা করুন →
- আয়নীকরণ শক্তি (চতুর্থ)
- 63.241218 eV সব মৌলের আয়নীকরণ শক্তি (চতুর্থ) তুলনা করুন →
- আয়নীকরণ শক্তি (পঞ্চম)
- 86.010296 eV সব মৌলের আয়নীকরণ শক্তি (পঞ্চম) তুলনা করুন →
- জারণ অবস্থা
- −5, −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3 সব মৌলের জারণ অবস্থা তুলনা করুন →
- যোজ্যতা ইলেকট্রন
- 3 সব মৌলের যোজ্যতা ইলেকট্রন তুলনা করুন →
- ইলেকট্রন বিন্যাস
- [Ar] 4s2 3d10 4p1
তাপগতীয়
- ত্রৈধ বিন্দু (তাপমাত্রা)
- 29.7666 °C
- গলন তাপ
- 0.05793647 eV সব মৌলের গলন তাপ তুলনা করুন →
- বাষ্পীভবন তাপ
- 2.653262 eV সব মৌলের বাষ্পীভবন তাপ তুলনা করুন →
- ঊর্ধ্বপাতন তাপ
- 2.808727 eV
- পরমাণুকরণ তাপ
- 2.808727 eV
- পরমাণুকরণ এনথালপি
- 2.818676 eV
নিউক্লীয়
- প্রোটন
- 31 সব মৌলের প্রোটন তুলনা করুন →
- নিউট্রন
- 38 সব মৌলের নিউট্রন তুলনা করুন →
- পরিচিত আইসোটোপ
- 33 সব মৌলের পরিচিত আইসোটোপ তুলনা করুন →
- স্থিতিশীল আইসোটোপ
- 2 সব মৌলের স্থিতিশীল আইসোটোপ তুলনা করুন →
- সবচেয়ে স্থিতিশীল আইসোটোপ
- Ga-69
- আবিষ্কারের বছর
- 1875
প্রাচুর্য
- প্রাচুর্য (ভূত্বক)
- 19 mg/kg সব মৌলের প্রাচুর্য (ভূত্বক) তুলনা করুন →
- প্রাচুর্য (মহাসাগর)
- 3 × 10−5 mg/L সব মৌলের প্রাচুর্য (মহাসাগর) তুলনা করুন →
স্ফটিক গঠন
- জালক ধ্রুবক a
- 451 pm
ইলেকট্রনীয় গঠন
- প্রতি শক্তিস্তরে ইলেকট্রন
- 2, 8, 18, 3 সব মৌলের প্রতি শক্তিস্তরে ইলেকট্রন তুলনা করুন →
শনাক্তকারী
- CAS নম্বর
- 7440-55-3 সব মৌলের CAS নম্বর তুলনা করুন →
- টার্ম প্রতীক
- 2P°1/2
- InChI
- InChI=1S/Ga
- InChI Key
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N
ইলেকট্রন বিন্যাস পরিমাপকৃত
Ga: 3d¹⁰ 4s² 4p¹[Ar] 3d¹⁰ 4s² 4p¹1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p⁶ 3d¹⁰ 4s² 4p¹পারমাণবিক মডেল
আইসোটোপভেদে নিউট্রনের সংখ্যা, ভর ও স্থিতিশীলতা পরিবর্তিত হয় — নিরপেক্ষ পরমাণুর ইলেকট্রন বিন্যাস নয়।
পারমাণবিক মডেলের রূপরেখা, প্রকৃত অনুপাতে নয়।
পারমাণবিক স্বতন্ত্র পরিচয়চিহ্ন
নিঃসরণ / শোষণ বর্ণালি
আইসোটোপের বণ্টন
| ভরসংখ্যা | পারমাণবিক ভর (u) | প্রাকৃতিক প্রাচুর্য | অর্ধায়ু |
|---|---|---|---|
| 69 স্থিতিশীল | ৬৮.৯২৫৫৭৩৫ ± ০.০০০০০১৩ | 60.1080% | স্থিতিশীল |
| 71 স্থিতিশীল | ৭০.৯২৪৭০২৫৮ ± ০.০০০০০০৮৭ | 39.8920% | স্থিতিশীল |
দশা / অবস্থা
কারণ: গলনাঙ্কের (29.76 °C) চেয়ে 4.8 °C কম
রূপরেখামূলক, প্রকৃত অনুপাতে নয়
দশান্তর বিন্দু
দশান্তর শক্তি
গলনাঙ্কে 1 mol গলাতে প্রয়োজনীয় শক্তি
স্ফুটনাঙ্কে 1 mol বাষ্পীভূত করতে প্রয়োজনীয় শক্তি
ঊর্ধ্বপাতনাঙ্কে 1 mol ঊর্ধ্বপাতিত করতে প্রয়োজনীয় শক্তি
ঘনত্ব
প্রমিত শর্তে
প্রমিত শর্তে
উন্নত
পারমাণবিক বর্ণালি
31টির মধ্যে 10টি দেখানো হচ্ছে। আয়নের আধান অনুযায়ী সাজানো (ঊর্ধ্বক্রমে)।
সংরক্ষিত বর্ণালিরেখার তথ্য ?
| আয়ন | আধান | মোট রেখা | অবস্থান্তরের সম্ভাবনা | স্তরের নির্দেশক |
|---|---|---|---|---|
| Ga I | 0 | 342 | 23 | 342 |
| Ga II | +1 | 176 | 10 | 176 |
| Ga III | +2 | 113 | 2 | 113 |
| Ga IV | +3 | 594 | 0 | 594 |
| Ga V | +4 | 185 | 0 | 185 |
| Ga VI | +5 | 501 | 0 | 501 |
| Ga VII | +6 | 451 | 0 | 451 |
সংরক্ষিত শক্তিস্তর তথ্য ?
| আয়ন | আধান | স্তর |
|---|---|---|
| Ga I | 0 | 262 |
| Ga II | +1 | 96 |
| Ga III | +2 | 61 |
| Ga IV | +3 | 192 |
| Ga V | +4 | 92 |
| Ga VI | +5 | 158 |
| Ga VII | +6 | 181 |
| Ga VIII | +7 | 2 |
| Ga IX | +8 | 2 |
| Ga X | +9 | 2 |
আয়নিক ব্যাসার্ধ
| আধান | সমন্বয় | স্পিন | ব্যাসার্ধ |
|---|---|---|---|
| +3 | 4 | তথ্য নেই | 47 pm |
| +3 | 5 | তথ্য নেই | 55.00000000000001 pm |
| +3 | 6 | তথ্য নেই | 62 pm |
যৌগ
আইসোটোপ (2)
| ভরসংখ্যা | পারমাণবিক ভর (u) | প্রাকৃতিক প্রাচুর্য | অর্ধায়ু | ক্ষয়প্রণালি | |
|---|---|---|---|---|---|
| 69 স্থিতিশীল | ৬৮.৯২৫৫৭৩৫ ± ০.০০০০০১৩ | 60.1080% ± 0.0090% | স্থিতিশীল | stable | |
| 71 স্থিতিশীল | ৭০.৯২৪৭০২৫৮ ± ০.০০০০০০৮৭ | 39.8920% ± 0.0090% | স্থিতিশীল | stable |
বর্ণালিরেখা
| তরঙ্গদৈর্ঘ্য (nm) | তীব্রতা | আয়নীকরণ পর্যায় | ধরন | অবস্থান্তর | নির্ভুলতা | উৎস | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 417.33 nm | তথ্য নেই | ID 486 | emission | 3s2.3p3 2P* → 3s2.3p3 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.0525 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.70p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.0525 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.70p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.0651 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.69p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.0651 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.69p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.08 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.68p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.08 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.68p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.0924 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.67p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.0924 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.67p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.1098 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.66p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.1098 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.66p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.1257 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.65p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.1257 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.65p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.1406 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.64p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.1406 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.64p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.1588 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.63p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.1588 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.63p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.1761 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.62p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.1761 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.62p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.1948 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.61p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.1948 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.61p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.2157 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.60p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.2157 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.60p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.2367 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.59p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.2367 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.59p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.2582 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.58p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.2582 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.58p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.2826 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.57p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.2826 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.57p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.3887 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.53p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.3887 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.53p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.4204 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.52p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.4204 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.52p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.4531 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.51p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.4531 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.51p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.4886 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.50p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.4886 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.50p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.5261 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.49p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.5261 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.49p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.5675 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.48p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.5675 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.48p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.6112 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.47p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.6112 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.47p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.6563 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.46p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.6563 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.46p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.7046 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.45p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.7046 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.45p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.7569 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.44p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.7569 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.44p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.8143 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.43p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.8143 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.43p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.8743 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.42p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.8743 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.42p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.94 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.41p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 424.94 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.41p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 425.4789 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.34d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 425.4799 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.34d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 426.035 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.30d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 426.0365 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.30d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 426.6348 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.27d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 426.6367 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.27d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 427.1688 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.25d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 427.1712 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.25d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 427.8589 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.23d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 427.8621 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.23d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 428.7731 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.21d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 428.7774 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.21d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 429.3459 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.20d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 429.3507 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.20d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 430.0203 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.19d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 430.026 nm | তথ্য নেই | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.19d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 448.84 nm | তথ্য নেই | ID 505 | emission | 5p 2P* → 5d 2D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 459.16 nm | তথ্য নেই | ID 505 | emission | 5s 2S → 5p 2P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 557 nm | তথ্য নেই | ID 482 | emission | 1s.5s 3S → 1s.5p 3P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 567.7 nm | তথ্য নেই | ID 498 | emission | 3s2.3p2 3P → 3s2.3p2 3P | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 587 nm | তথ্য নেই | ID 482 | emission | 1s.4p 3P* → 1s.4d 3D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 675 nm | তথ্য নেই | ID 486 | emission | 3s2.3p3 2D* → 3s2.3p3 2D* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 706.7 nm | তথ্য নেই | ID 505 | emission | 4p 2P* → 4d 2D | পরিমাপকৃত | NIST |
বিস্তৃত ধর্ম
সমযোজী ব্যাসার্ধ (বিস্তৃত)
- সমযোজী ব্যাসার্ধ (পিউক্কো)
- 124 pm
- সমযোজী ব্যাসার্ধ (পিউক্কো, দ্বিবন্ধন)
- 117 pm
- সমযোজী ব্যাসার্ধ (পিউক্কো, ত্রিবন্ধন)
- 121 pm
ভ্যান ডার ওয়ালস ব্যাসার্ধ
- Bondi
- 187 pm
- Batsanov
- 210 pm
- Alvarez
- 232 pm
- UFF
- 438.3 pm
- MM3
- 246 pm
- Dreiding
- 439 pm
পারমাণবিক ও ধাতব ব্যাসার্ধ
- পারমাণবিক ব্যাসার্ধ (রাম)
- 233 pm
- ধাতব ব্যাসার্ধ (C12)
- 140 pm
সংখ্যায়ন স্কেল
- Mendeleev
- 83
- Pettifor
- 81
- Glawe
- 79
তড়িৎঋণাত্মকতার স্কেল
- Ghosh
- 0
- Miedema
- 4
- Gunnarsson–Lundqvist
- 3
- Robles–Bartolotti
- 3
মেরুকরণযোগ্যতা ও বিচ্ছুরণ
- দ্বিমেরু মেরুকরণযোগ্যতা
- 50 a.u.
- দ্বিমেরু মেরুকরণযোগ্যতা (অনিশ্চয়তা)
- 3 a.u.
- C₆
- 498 Ha·Bohr6
- C₆ (Gould–Bučko)
- 456 Ha·Bohr6
মিডেমা পরামিতি
- মিডেমা মোলার আয়তন
- 11.82 cm3/mol
- মিডেমা ইলেকট্রন ঘনত্ব
- 2
সরবরাহের ঝুঁকি ও অর্থনীতি
- উৎপাদনের কেন্দ্রীভবন
- 54
- আপেক্ষিক সরবরাহের ঝুঁকি
- 8
- রাজনৈতিক স্থিতিশীলতা (শীর্ষ উৎপাদক)
- 24
দশান্তর ও রূপভেদ
| গলনাঙ্ক | 302.91 K |
| স্ফুটনাঙ্ক | 2502.15 K |
| ত্রৈধ বিন্দু (তাপমাত্রা) | 302.92 K |
জারণ অবস্থার শ্রেণি
উন্নত তথ্যসূত্রের উপাত্ত
আচ্ছাদন ধ্রুবক (8)
| n | অরবিটাল | σ |
|---|---|---|
| 1 | s | 0.6906 |
| 2 | p | 3.9092 |
| 2 | s | 8.401 |
| 3 | d | 15.9067 |
| 3 | p | 14.7964 |
| 3 | s | 14.0038 |
| 4 | p | 24.7784 |
| 4 | s | 23.9332 |
স্ফটিক ব্যাসার্ধের বিস্তারিত (3)
| আধান | CN | স্পিন | rcrystal (pm) | উৎস |
|---|---|---|---|---|
| 3 | IV | 61 | ||
| 3 | V | 69 | ||
| 3 | VI | 76 | from r^3 vs V plots, |
আইসোটোপের ক্ষয়প্রণালি (51)
| আইসোটোপ | মোড | তীব্রতা |
|---|---|---|
| 56 | p | — |
| 57 | p | — |
| 58 | p | — |
| 59 | p | — |
| 60 | B+ | 100% |
| 60 | B+p | 1.6% |
| 60 | B+A | 0% |
| 61 | B+ | 100% |
| 61 | B+p | 0.3% |
| 62 | B+ | 100% |
এক্স-রে বিক্ষেপণ গুণক (506)
| শক্তি (eV) | f₁ | f₂ |
|---|---|---|
| 10 | — | 2.98527 |
| 10.1617 | — | 2.98141 |
| 10.3261 | — | 2.97756 |
| 10.4931 | — | 2.9737 |
| 10.6628 | — | 2.96986 |
| 10.8353 | — | 2.96602 |
| 11.0106 | — | 2.95695 |
| 11.1886 | — | 2.90859 |
| 11.3696 | — | 2.86103 |
| 11.5535 | — | 2.81425 |
অতিরিক্ত তথ্য
Estimated Crustal Abundance
The estimated element abundance in the earth's crust.
1.9×101 milligrams per kilogram
তথ্যসূত্র (1)
Estimated Oceanic Abundance
The estimated element abundance in the earth's oceans.
3×10-5 milligrams per liter
তথ্যসূত্র (1)
Sources
Sources of this element.
Gallium is often found as a trace element in diaspore, sphalerite, germanite, bauxite, and coal. Some flue dusts from burning coal have been shown to contain as much 1.5 percent gallium.
তথ্যসূত্র (1)
- [6] Gallium https://periodic.lanl.gov/31.shtml
তথ্যসূত্র
(9)
Data deposited in or computed by PubChem
The half-life and atomic mass data was provided by the Atomic Mass Data Center at the International Atomic Energy Agency.
Element data are cited from the Atomic weights of the elements (an IUPAC Technical Report). The IUPAC periodic table of elements can be found at https://iupac.org/what-we-do/periodic-table-of-elements/. Additional information can be found within IUPAC publication doi:10.1515/pac-2015-0703 Copyright © 2020 International Union of Pure and Applied Chemistry.
The information are cited from Pure Appl. Chem. 2018; 90(12): 1833-2092, https://doi.org/10.1515/pac-2015-0703.
Thomas Jefferson National Accelerator Facility (Jefferson Lab) is one of 17 national laboratories funded by the U.S. Department of Energy. The lab's primary mission is to conduct basic research of the atom's nucleus using the lab's unique particle accelerator, known as the Continuous Electron Beam Accelerator Facility (CEBAF). For more information visit https://www.jlab.org/
The periodic table at the LANL (Los Alamos National Laboratory) contains basic element information together with the history, source, properties, use, handling and more. The provenance data may be found from the link under the source name.
The periodic table contains NIST's critically-evaluated data on atomic properties of the elements. The provenance data that include data for atomic spectroscopy, X-ray and gamma ray, radiation dosimetry, nuclear physics, and condensed matter physics may be found from the link under the source name. Ref: https://www.nist.gov/pml/atomic-spectra-database
This section provides all form of data related to element Gallium.
The element property data was retrieved from publications.