Gallium (Ga)
post-transition-metalSolid
Standart Atom Ağırlığı
69,723 uElektron dizilimi
[Ar] 4s2 3d10 4p1Erime noktası
29,76 °CKaynama noktası
2203,85 °CYoğunluk
5910 kg/m³Yükseltgenme basamakları
−5, −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3Elektronegatiflik (Pauling)
1,81İyonlaşma enerjisi (1.)
5,999302 eVKeşif yılı
1875Atom yarıçapı
130 pmAyrıntılar
Gallium is a soft post-transition metal in group 13, chemically related to aluminium and indium. It is notable for melting just above room temperature, forming low-melting alloys, and supplying semiconductors through compounds such as gallium arsenide and gallium nitride. In nature it is dispersed rather than concentrated in its own ores, so it is recovered mainly as a by-product of aluminium and zinc processing.
It is one of four metals mercury, cesium, and rubidium which can be liquid near room temperature and, thus, can be used in high-temperature thermometers. It has one of the longest liquid ranges of any metal and has a low vapor pressure even at high temperatures.
There is a strong tendency for gallium to supercool below its freezing point. Therefore, seeding may be necessary to initiate solidification.
Ultra-pure gallium has a beautiful, silvery appearance, and the solid metal exhibits a conchoidal fracture similar to glass. The metal expands 3.1 percent on solidifying; therefore, it should not be stored in glass or metal containers, because they may break as the metal solidifies.
High-purity gallium is attacked only slowly by mineral acids.
The name derives from the Latin gallia for France. It was discovered in zinc blende by the French chemist Paul-Emile Lecoq de Boisbaudran in 1875. It was first isolated in 1878 by Lecoq de Boisbaudran and the French chemist Émile-Clément Jungflesch.
First proposed to exist by Dmitri Mendeleyev in 1871 based on gaps in his newly created Periodic Table of Elements, gallium was discovered spectroscopically by the French chemist Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran in 1875. Later that same year, Lecoq was able to obtain pure gallium through the electrolysis of a solution of gallium hydroxide (Ga(OH)3) in potassium hydroxide (KOH). Trace amounts of gallium are found in diaspore, sphalerite, germanite and bauxite as well as in the byproducts of burning coal.
From the Latin word Gallia, France; also from Latin, gallus, a translation of "Lecoq," a cock. Predicted and described by Mendeleev as ekaaluminum, and discovered spectroscopically by Lecoq de Boisbaudran in 1875, who in the same year obtained the free metal by electrolysis of a solution of the hydroxide in KOH.
Pure gallium is a silvery, lustrous metal that is solid at ordinary room temperature but melts at about 30 °C. The solid is brittle enough to fracture, while the liquid readily wets many surfaces and can penetrate some metals, especially aluminium.
Gallium is used chiefly in compound semiconductors. Gallium arsenide (GaAs) is important in high-frequency electronics, optoelectronics, infrared light-emitting diodes, and some photovoltaic cells. Gallium nitride (GaN) is central to blue and ultraviolet light-emitting diodes, laser diodes, and efficient power electronics. Low-melting gallium alloys are used in thermometers, thermal interfaces, and specialized heat-transfer applications where mercury is undesirable. Radioisotopes such as ⁶⁷Ga and ⁶⁸Ga are used in diagnostic nuclear medicine.
Gallium melts near room temperature and has one of the largest liquid ranges of any metal, so it has found use in high temperature thermometers. Gallium easily forms alloys with most metals and has been used to create low melting alloys. Gallium is used as a doping material for semiconductors and has been used to produce solid-state items like transistors and light emitting diodes. Gallium arsenide (GaAs) can produce laser light directly from electricity. Large amounts of gallium trichloride (GaCl3) have been gathered to build the Gallium Neutrino Observatory, an observatory located in Italy built to study particles called neutrinos which are produced inside the sun during the process of nuclear fusion.
Gallium wets glass or porcelain and forms a brilliant mirror when it is painted on glass. It is widely used in doping semiconductors and producing solid-state devices such as transistors.
Magnesium gallate containing divalent impurities, such as Mn+2, is finding use in commercial ultraviolet-activated powder phosphors. Gallium arsenide is capable of converting electricity directly into coherent light. Gallium readily alloys with most metals, and has been used as a component in low-melting alloys.
Isotopes in Medicine
68Ga (with a half-life of 68 min) is a radioactive isotope that emits positrons, which are used to produce high-resolution imaging with positron emission tomography (PET). Unlike 18F, which is most commonly used, 68Ga is more easily produced using a cost-effective generator with the parent radionuclide 68Ge (with a half-life of 271 days) (Fig. IUPAC.31.1). Once produced, 68Ga easily couples to biomolecules (most commonly peptides) that target G-protein coupled receptors, which are over-expressed on human tumor cells. The labeled protein acts as a radioactive tracer for cancer diagnostics. PET images are often coupled with CT images to get a more complete picture of the body [256] I. Kayani, B. G. Conry, A. M. Groves, T. Win, J. Dickson, M. Caplin, J. B. Bomanji. J. Nucl. Med.50, 1927 (2009)., [257] M. Fani, J. P. André, H. R. Maecke. Contrast Media Mol. Imaging3, 67 (2008)., [258] G. J. Ehrhardt, M. J. Welch. J. Nucl. Med.19, 925 (1978)., [259] G. Ehrhardt, S. Wagner, M. J. Welch. J. Labelled Compd. Radiopharm.16, 111 (1979)., [260] M. V. Cantorias, S. D. Figueroa, T. P. Quinn, J. R. Lever, T. J. Hoffman, L. D. Watkinson, T. L. Carmack, C. S. Cutler. Nucl. Med. Biol.36, 505 (2009)., [261] J. C. Rold, T. L. Sieckman, G. L. Figueroa, S. D. Sublett, S. V. Engelbrecht, H. Cutler, C. S. Jurisson, S. S. Hoffman, T. J. Bottenus, B. N. Garrison. Trans. Am. Nucl. Soc.98, 802 (2008)., [262] J. Fitzsimmons, M. Fassbender, R. Atcher. J. Nucl. Med.48, 319 (2007).. Radiopharmaceutical 67Ga (with a half-life of 78 h) is a gamma-emitting isotope used in scintigraphy for medical imaging [263] S. M. Larson, P. B. Hoffer. “Normal patterns of localization”, in Gallium-67 Imaging, P. B. Hoffer, C. Bekerman, and R. E. Henkin (Eds.), John Wiley, New York (1978)., [264] A. Wirth, J. F. Seymour, R. J. Hicks, R. Ware, R. Fisher, M. Prince, M. P. MacManus, G. Ryan, H. Januszewicz, M. Wolf. Am. J. Med.112, 262 (2002)., [265] A. Vijayananthan, A. V. Arumugam, G. Kumar, D. Harichandra. Int. J. Biomed. Imaging4 (2), e23 (2008)..
Gallium most commonly adopts the +3 oxidation state, although lower-valent gallium chemistry is well established in specialized compounds. Gallium(III) oxide (Ga₂O₃) is a wide-band-gap oxide of growing interest for power and ultraviolet devices. Gallium arsenide (GaAs), gallium nitride (GaN), gallium phosphide (GaP), and gallium antimonide (GaSb) are important III-V semiconductors. Gallium(III) chloride (GaCl₃) is a Lewis acidic halide and forms many adducts. Gallium(III) salts often hydrolyze in water, reflecting the high charge density of Ga³⁺.
See more information at the Gallium compound page.
Compact gallium metal has low acute toxicity, but it can stain skin and damage aluminium parts by liquid-metal embrittlement. Dusts, fumes, and soluble gallium compounds require normal laboratory controls because toxicity depends strongly on compound form and exposure route. Gallium arsenide (GaAs) introduces additional concern from arsenic during machining, heating, or waste handling. Medical radioisotopes present isotope-specific radiation hazards.
Its toxicity appears to be of a low order, but should be handled with care until more data is available.
Gallium occurs at trace levels in many minerals, especially those associated with aluminium and zinc ores. It substitutes for chemically similar ions rather than forming abundant gallium minerals. Weathering and industrial processing can mobilize small amounts, but gallium is not a major nutrient and has no well-established biological role. Environmental concern is usually tied to mining residues, semiconductor waste, and associated elements such as arsenic rather than to metallic gallium alone.
Gallium supply is dominated by by-product recovery, especially from bauxite processing liquors and, to a lesser extent, zinc-processing streams. Because primary ores are not mined for gallium alone, output can be constrained by aluminium and zinc production, refinery technology, and purification capacity. Demand is driven mainly by semiconductor and optoelectronic materials, where high purity is essential. Recycling occurs from manufacturing scrap and some end-of-life material, but dispersed uses and complex devices limit complete recovery. Substitution is application-specific; silicon, silicon carbide, or other III-V compounds can replace gallium materials in some devices but not without design changes.
Gallium is often found as a trace element in diaspore, sphalerite, germanite, bauxite, and coal. Some flue dusts from burning coal have been shown to contain as much 1.5 percent gallium.
Gallium is a relatively rare element in the cosmos compared with lighter metals. Its stable isotopes, ⁶⁹Ga and ⁷¹Ga, are produced in stellar nucleosynthesis pathways involving neutron capture and related processes in evolved stars and supernova environments. In planetary materials it behaves as a moderately volatile, lithophile to chalcophile trace element and is used in geochemical studies of differentiation and volatility.
- Gallium expands on freezing, so solidification can break rigid containers.
- The liquid metal has an unusually wide liquid range before boiling.
- Gallium can diffuse into aluminium and make it crumble under stress.
- Natural gallium consists mainly of two stable isotopes, ⁶⁹Ga and ⁷¹Ga.
- Very high-purity gallium is needed for many semiconductor applications.
Görseller
Özellikler
Fiziksel
- Atom yarıçapı (ampirik)
- 130 pm Tüm elementlerin Atom yarıçapı (ampirik) değerlerini karşılaştır →
- Kovalent yarıçap
- 122 pm Tüm elementlerin Kovalent yarıçap değerlerini karşılaştır →
- Van der Waals yarıçapı
- 187 pm Tüm elementlerin Van der Waals yarıçapı değerlerini karşılaştır →
- Metalik yarıçap
- 125 pm Tüm elementlerin Metalik yarıçap değerlerini karşılaştır →
- Yoğunluk
- 5910 kg/m³ Tüm elementlerin Yoğunluk değerlerini karşılaştır →
- Molar hacim
- 0,0118 L/mol
- STP'deki faz
- Katı Tüm elementlerin STP'deki faz değerlerini karşılaştır →
- Erime noktası
- 29,76 °C Tüm elementlerin Erime noktası değerlerini karşılaştır →
- Kaynama noktası
- 2203,85 °C Tüm elementlerin Kaynama noktası değerlerini karşılaştır →
- Isıl iletkenlik
- 28,1 W/(m·K) Tüm elementlerin Isıl iletkenlik değerlerini karşılaştır →
- Özgül ısı kapasitesi
- 0,373 J/(g·K) Tüm elementlerin Özgül ısı kapasitesi değerlerini karşılaştır →
- Molar ısı kapasitesi
- 26,03 J/(mol·K) Tüm elementlerin Molar ısı kapasitesi değerlerini karşılaştır →
- Kristal yapı
- Ortorombik Tüm elementlerin Kristal yapı değerlerini karşılaştır →
Kimyasal
- Elektronegatiflik (Pauling)
- 1,81 Tüm elementlerin Elektronegatiflik (Pauling) değerlerini karşılaştır →
- Elektronegatiflik (Allen)
- 1,756
- Elektron ilgisi
- 0,3 eV
- İyonlaşma enerjisi (1.)
- 5,999302 eV Tüm elementlerin İyonlaşma enerjisi (1.) değerlerini karşılaştır →
- İyonlaşma enerjisi (2.)
- 20,515211 eV Tüm elementlerin İyonlaşma enerjisi (2.) değerlerini karşılaştır →
- İyonlaşma enerjisi (3.)
- 30,725866 eV Tüm elementlerin İyonlaşma enerjisi (3.) değerlerini karşılaştır →
- İyonlaşma enerjisi (4.)
- 63,241218 eV Tüm elementlerin İyonlaşma enerjisi (4.) değerlerini karşılaştır →
- İyonlaşma enerjisi (5.)
- 86,010296 eV Tüm elementlerin İyonlaşma enerjisi (5.) değerlerini karşılaştır →
- Yükseltgenme basamakları
- −5, −4, −3, −2, −1, 0, +1, +2, +3 Tüm elementlerin Yükseltgenme basamakları değerlerini karşılaştır →
- Değerlik elektronları
- 3 Tüm elementlerin Değerlik elektronları değerlerini karşılaştır →
- Elektron dizilimi
- [Ar] 4s2 3d10 4p1
Termodinamik
- Üçlü nokta (sıcaklık)
- 29,7666 °C
- Erime ısısı
- 0,05793647 eV Tüm elementlerin Erime ısısı değerlerini karşılaştır →
- Buharlaşma ısısı
- 2,653262 eV Tüm elementlerin Buharlaşma ısısı değerlerini karşılaştır →
- Süblimleşme ısısı
- 2,808727 eV
- Atomlaşma ısısı
- 2,808727 eV
- Atomlaşma entalpisi
- 2,818676 eV
Nükleer
- Protonlar
- 31 Tüm elementlerin Protonlar değerlerini karşılaştır →
- Nötronlar
- 38 Tüm elementlerin Nötronlar değerlerini karşılaştır →
- Bilinen izotoplar
- 33 Tüm elementlerin Bilinen izotoplar değerlerini karşılaştır →
- Kararlı izotoplar
- 2 Tüm elementlerin Kararlı izotoplar değerlerini karşılaştır →
- En kararlı izotop
- Ga-69
- Keşif yılı
- 1875
Bolluk
- Bolluk (yer kabuğu)
- 19 mg/kg Tüm elementlerin Bolluk (yer kabuğu) değerlerini karşılaştır →
- Bolluk (okyanus)
- 3 × 10−5 mg/L Tüm elementlerin Bolluk (okyanus) değerlerini karşılaştır →
Kristal Yapı
- Örgü sabiti a
- 451 pm
Elektronik Yapı
- Kabuk başına elektron sayısı
- 2, 8, 18, 3 Tüm elementlerin Kabuk başına elektron sayısı değerlerini karşılaştır →
Tanımlayıcılar
- CAS numarası
- 7440-55-3 Tüm elementlerin CAS numarası değerlerini karşılaştır →
- Terim simgesi
- 2P°1/2
- InChI
- InChI=1S/Ga
- InChI Anahtarı
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N
Elektron Dizilimi Ölçülmüş
Ga: 3d¹⁰ 4s² 4p¹[Ar] 3d¹⁰ 4s² 4p¹1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p⁶ 3d¹⁰ 4s² 4p¹Atom modeli
İzotoplar nötron sayısını, kütleyi ve kararlılığı değiştirir; nötr bir atomun elektron dizilimini değiştirmez.
Şematik atom modeli, ölçekli değildir.
Atomik Parmak İzi
Emisyon / Soğurma Spektrumu
İzotop Dağılımı
| Kütle numarası | Atom kütlesi (u) | Doğal bolluk | Yarı ömür |
|---|---|---|---|
| 69 Kararlı | 68,9255735 ± 0,0000013 | 60,1080% | Kararlı |
| 71 Kararlı | 70,92470258 ± 0,00000087 | 39,8920% | Kararlı |
Faz / Hâl
Neden: erime noktasının (29,76 °C) 4,8 °C altında
Şematik, ölçekli değil
Faz geçiş noktaları
Geçiş enerjileri
Erime noktasında 1 mol maddeyi eritmek için gereken enerji
Kaynama noktasında 1 mol maddeyi buharlaştırmak için gereken enerji
Süblimleşme noktasında 1 mol maddeyi süblimleştirmek için gereken enerji
Yoğunluk
Standart koşullarda
Standart koşullarda
İleri düzey
Atomik Spektrumlar
31 kayıttan 10 tanesi gösteriliyor. İyon yüküne göre sıralandı (artan).
Spektral Çizgi Kayıtları ?
| İyon | Yük | Toplam çizgi sayısı | Geçiş olasılıkları | Düzey gösterimleri |
|---|---|---|---|---|
| Ga I | 0 | 342 | 23 | 342 |
| Ga II | +1 | 176 | 10 | 176 |
| Ga III | +2 | 113 | 2 | 113 |
| Ga IV | +3 | 594 | 0 | 594 |
| Ga V | +4 | 185 | 0 | 185 |
| Ga VI | +5 | 501 | 0 | 501 |
| Ga VII | +6 | 451 | 0 | 451 |
Enerji Düzeyi Kayıtları ?
| İyon | Yük | Düzeyler |
|---|---|---|
| Ga I | 0 | 262 |
| Ga II | +1 | 96 |
| Ga III | +2 | 61 |
| Ga IV | +3 | 192 |
| Ga V | +4 | 92 |
| Ga VI | +5 | 158 |
| Ga VII | +6 | 181 |
| Ga VIII | +7 | 2 |
| Ga IX | +8 | 2 |
| Ga X | +9 | 2 |
İyon Yarıçapları
| Yük | Koordinasyon | Spin | Yarıçap |
|---|---|---|---|
| +3 | 4 | Mevcut değil | 47 pm |
| +3 | 5 | Mevcut değil | 55.00000000000001 pm |
| +3 | 6 | Mevcut değil | 62 pm |
Bileşikler
İzotoplar (2)
| Kütle numarası | Atom kütlesi (u) | Doğal bolluk | Yarı ömür | Bozunma türü | |
|---|---|---|---|---|---|
| 69 Kararlı | 68,9255735 ± 0,0000013 | 60,1080% ± 0,0090% | Kararlı | stable | |
| 71 Kararlı | 70,92470258 ± 0,00000087 | 39,8920% ± 0,0090% | Kararlı | stable |
Spektral Çizgiler
| Dalga boyu (nm) | Şiddet | İyonlaşma aşaması | Tür | Geçiş | Doğruluk | Kaynak | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 417.33 nm | Mevcut değil | ID 486 | emission | 3s2.3p3 2P* → 3s2.3p3 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.0525 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.70p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.0525 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.70p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.0651 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.69p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.0651 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.69p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.08 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.68p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.08 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.68p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.0924 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.67p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.0924 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.67p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.1098 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.66p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.1098 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.66p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.1257 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.65p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.1257 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.65p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.1406 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.64p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.1406 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.64p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.1588 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.63p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.1588 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.63p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.1761 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.62p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.1761 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.62p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.1948 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.61p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.1948 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.61p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.2157 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.60p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.2157 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.60p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.2367 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.59p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.2367 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.59p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.2582 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.58p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.2582 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.58p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.2826 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.57p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.2826 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.57p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.3887 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.53p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.3887 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.53p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.4204 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.52p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.4204 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.52p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.4531 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.51p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.4531 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.51p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.4886 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.50p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.4886 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.50p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.5261 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.49p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.5261 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.49p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.5675 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.48p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.5675 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.48p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.6112 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.47p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.6112 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.47p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.6563 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.46p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.6563 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.46p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.7046 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.45p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.7046 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.45p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.7569 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.44p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.7569 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.44p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.8143 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.43p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.8143 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.43p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.8743 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.42p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.8743 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.42p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.94 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.41p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 424.94 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.41p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 425.4789 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.34d 2D | Ölçülmüş | NIST | |
| 425.4799 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.34d 2D | Ölçülmüş | NIST | |
| 426.035 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.30d 2D | Ölçülmüş | NIST | |
| 426.0365 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.30d 2D | Ölçülmüş | NIST | |
| 426.6348 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.27d 2D | Ölçülmüş | NIST | |
| 426.6367 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.27d 2D | Ölçülmüş | NIST | |
| 427.1688 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.25d 2D | Ölçülmüş | NIST | |
| 427.1712 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.25d 2D | Ölçülmüş | NIST | |
| 427.8589 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.23d 2D | Ölçülmüş | NIST | |
| 427.8621 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.23d 2D | Ölçülmüş | NIST | |
| 428.7731 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.21d 2D | Ölçülmüş | NIST | |
| 428.7774 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.21d 2D | Ölçülmüş | NIST | |
| 429.3459 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.20d 2D | Ölçülmüş | NIST | |
| 429.3507 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.20d 2D | Ölçülmüş | NIST | |
| 430.0203 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.19d 2D | Ölçülmüş | NIST | |
| 430.026 nm | Mevcut değil | Ga I | emission | 4s2.5s 2S → 4s2.19d 2D | Ölçülmüş | NIST | |
| 448.84 nm | Mevcut değil | ID 505 | emission | 5p 2P* → 5d 2D | Ölçülmüş | NIST | |
| 459.16 nm | Mevcut değil | ID 505 | emission | 5s 2S → 5p 2P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 557 nm | Mevcut değil | ID 482 | emission | 1s.5s 3S → 1s.5p 3P* | Ölçülmüş | NIST | |
| 567.7 nm | Mevcut değil | ID 498 | emission | 3s2.3p2 3P → 3s2.3p2 3P | Ölçülmüş | NIST | |
| 587 nm | Mevcut değil | ID 482 | emission | 1s.4p 3P* → 1s.4d 3D | Ölçülmüş | NIST | |
| 675 nm | Mevcut değil | ID 486 | emission | 3s2.3p3 2D* → 3s2.3p3 2D* | Ölçülmüş | NIST | |
| 706.7 nm | Mevcut değil | ID 505 | emission | 4p 2P* → 4d 2D | Ölçülmüş | NIST |
Genişletilmiş Özellikler
Kovalent Yarıçaplar (Genişletilmiş)
- Kovalent yarıçap (Pyykkö)
- 124 pm
- Kovalent yarıçap (Pyykkö, çift bağ)
- 117 pm
- Kovalent yarıçap (Pyykkö, üçlü bağ)
- 121 pm
Van der Waals Yarıçapları
- Bondi
- 187 pm
- Batsanov
- 210 pm
- Alvarez
- 232 pm
- UFF
- 438,3 pm
- MM3
- 246 pm
- Dreiding
- 439 pm
Atom ve Metalik Yarıçaplar
- Atom yarıçapı (Rahm)
- 233 pm
- Metalik yarıçap (C12)
- 140 pm
Numaralandırma Ölçekleri
- Mendeleev
- 83
- Pettifor
- 81
- Glawe
- 79
Elektronegatiflik Ölçekleri
- Ghosh
- 0
- Miedema
- 4
- Gunnarsson–Lundqvist
- 3
- Robles–Bartolotti
- 3
Kutuplanabilirlik ve Dispersiyon
- Dipol kutuplanabilirliği
- 50 a.u.
- Dipol kutuplanabilirliği (belirsizlik)
- 3 a.u.
- C₆
- 498 Ha·Bohr6
- C₆ (Gould–Bučko)
- 456 Ha·Bohr6
Miedema Parametreleri
- Miedema molar hacmi
- 11,82 cm3/mol
- Miedema elektron yoğunluğu
- 2
Tedarik Riski ve Ekonomi
- Üretim yoğunlaşması
- 54
- Göreli tedarik riski
- 8
- Siyasi istikrar (en büyük üretici)
- 24
Faz Geçişleri ve Allotroplar
| Erime noktası | 302,91 K |
| Kaynama noktası | 2502,15 K |
| Üçlü nokta (sıcaklık) | 302,92 K |
Yükseltgenme Basamağı Kategorileri
İleri Düzey Referans Verileri
Perdeleme Sabitleri (8)
| n | Orbital | σ |
|---|---|---|
| 1 | s | 0,6906 |
| 2 | p | 3,9092 |
| 2 | s | 8,401 |
| 3 | d | 15,9067 |
| 3 | p | 14,7964 |
| 3 | s | 14,0038 |
| 4 | p | 24,7784 |
| 4 | s | 23,9332 |
Kristal Yarıçaplarının Ayrıntıları (3)
| Yük | CN | Spin | rcrystal (pm) | Köken |
|---|---|---|---|---|
| 3 | IV | 61 | ||
| 3 | V | 69 | ||
| 3 | VI | 76 | from r^3 vs V plots, |
İzotop Bozunma Türleri (51)
| İzotop | Mod | Şiddet |
|---|---|---|
| 56 | p | — |
| 57 | p | — |
| 58 | p | — |
| 59 | p | — |
| 60 | B+ | 100% |
| 60 | B+p | 1,6% |
| 60 | B+A | 0% |
| 61 | B+ | 100% |
| 61 | B+p | 0,3% |
| 62 | B+ | 100% |
X Işını Saçılma Faktörleri (506)
| Enerji (eV) | f₁ | f₂ |
|---|---|---|
| 10 | — | 2,98527 |
| 10,1617 | — | 2,98141 |
| 10,3261 | — | 2,97756 |
| 10,4931 | — | 2,9737 |
| 10,6628 | — | 2,96986 |
| 10,8353 | — | 2,96602 |
| 11,0106 | — | 2,95695 |
| 11,1886 | — | 2,90859 |
| 11,3696 | — | 2,86103 |
| 11,5535 | — | 2,81425 |
Ek Veriler
Estimated Crustal Abundance
The estimated element abundance in the earth's crust.
1.9×101 milligrams per kilogram
Kaynaklar (1)
Estimated Oceanic Abundance
The estimated element abundance in the earth's oceans.
3×10-5 milligrams per liter
Kaynaklar (1)
Sources
Sources of this element.
Gallium is often found as a trace element in diaspore, sphalerite, germanite, bauxite, and coal. Some flue dusts from burning coal have been shown to contain as much 1.5 percent gallium.
Kaynaklar (1)
- [6] Gallium https://periodic.lanl.gov/31.shtml
Kaynaklar
(9)
Data deposited in or computed by PubChem
The half-life and atomic mass data was provided by the Atomic Mass Data Center at the International Atomic Energy Agency.
Element data are cited from the Atomic weights of the elements (an IUPAC Technical Report). The IUPAC periodic table of elements can be found at https://iupac.org/what-we-do/periodic-table-of-elements/. Additional information can be found within IUPAC publication doi:10.1515/pac-2015-0703 Copyright © 2020 International Union of Pure and Applied Chemistry.
The information are cited from Pure Appl. Chem. 2018; 90(12): 1833-2092, https://doi.org/10.1515/pac-2015-0703.
Thomas Jefferson National Accelerator Facility (Jefferson Lab) is one of 17 national laboratories funded by the U.S. Department of Energy. The lab's primary mission is to conduct basic research of the atom's nucleus using the lab's unique particle accelerator, known as the Continuous Electron Beam Accelerator Facility (CEBAF). For more information visit https://www.jlab.org/
The periodic table at the LANL (Los Alamos National Laboratory) contains basic element information together with the history, source, properties, use, handling and more. The provenance data may be found from the link under the source name.
The periodic table contains NIST's critically-evaluated data on atomic properties of the elements. The provenance data that include data for atomic spectroscopy, X-ray and gamma ray, radiation dosimetry, nuclear physics, and condensed matter physics may be found from the link under the source name. Ref: https://www.nist.gov/pml/atomic-spectra-database
This section provides all form of data related to element Gallium.
The element property data was retrieved from publications.