Indium (In)
post-transition-metalSolid
ప్రామాణిక పరమాణు భారం
114.818 uఎలక్ట్రాన్ విన్యాసం
[Kr] 5s2 4d10 5p1ద్రవీభవన స్థానం
156.6 °Cమరుగు స్థానం
2071.85 °Cసాంద్రత
7310 kg/m³ఆక్సీకరణ స్థితులు
−5, −2, −1, 0, +1, +2, +3విద్యుదృణాత్మకత (పాలింగ్)
1.78అయనీకరణ శక్తి (1వ)
5.786356 eVఆవిష్కరణ సంవత్సరం
1863పరమాణు వ్యాసార్థం
155 pmవివరాలు
Indium is a soft, silvery post-transition metal in group 13. It is chemically related to gallium and thallium, but its stable chemistry is dominated by the +3 oxidation state, with +1 compounds also known. The element is rare in Earth's crust and is obtained chiefly as a by-product of zinc refining. Its technological importance is disproportionate to its abundance, especially because transparent conducting indium tin oxide is central to flat-panel displays, touch screens, and other optoelectronic devices.
Indium is available in ultra pure form. Indium is a very soft, silvery-white metal with a brilliant luster. The pure metal gives a high-pitched "cry" when bent. It wets glass, as does gallium.
The name derives from the term "indigo" for the indigo-blue line in the element's spark spectrum. It was discovered in 1863 by the German physicist Ferdinand Reich and the German metallurgist Hieronymus Theodor Richter, while examining zinc blende. They isolated indium in 1867.
Indium was discovered by the German chemists Ferdinand Reich and Hieronymus Theodor Richter in 1863. Reich and Richter had been looking for traces of the element thallium in samples of zinc ores. A brilliant indigo line in the sample's spectrum revealed the existence of indium. Indium is about as abundant as silver but is much easier to recover since it typically occurs along with zinc, iron, lead and copper ores.
From the brilliant indigo line in its spectrum. Discovered by Reich and Richter, who later isolated the metal. Until 1924, a gram or so constituted the world's supply of this element in isolated form. It is probably about as abundant as silver. About 4 million troy ounces of indium are now produced annually in the Free World. Canada is presently producing more than 1,000,000 troy ounces annually.
Pure indium is a very soft, lustrous, silvery-white metal at ordinary conditions. It can be cut with a knife, leaves a mark on paper, and emits a characteristic high-pitched “cry” when bent as its crystals deform. It melts at a relatively low temperature for a metal, about 157 °C.
The largest use of indium is in indium tin oxide, a transparent and electrically conducting oxide coating used on displays, touch panels, solar cells, and low-emissivity glass. Indium metal and indium-rich alloys are used in low-melting solders, fusible alloys, thermal interface materials, and seals that wet glass or ceramics. Indium is also used in compound semiconductors such as indium phosphide and indium gallium arsenide for high-speed electronics, lasers, photodetectors, and some photovoltaic cells.
Indium is used to coat the bearings of high speed motors since it allows for the even distribution of lubricating oil. Indium is used to dope germanium to make transistors. It is also used to make other electrical components such as rectifiers, thermistors and photoconductors. Indium can be used to make mirrors that are as reflective as silver mirrors but do not tarnish as quickly. Indium is also used to make low melting alloys. An alloy of 24% indium and 76% gallium is a liquid at room temperature.
It has found application in making low-melting allows; an allow of 24% indium - 76% gallium is liquid at room temperature. It is used in making bearing alloys, germanium transistors, rectifiers, thermistors, and photoconductors. It can be plated onto metal and evaporated onto glass, forming a mirror as good as that made with silver but with more resistance to atmospheric corrosion.
Isotopes in Medicine
111In (with a half-life of 2.8 days) is used in indium leukocyte imaging (Fig. IUPAC.49.1), in which white blood cells that are abundant at sites of infection are labeled with 111In to help locate the source of the infection [361] M. T. Syrjälä, V. Valtonen, K. Liewendahl, G. Myllylä. J. Nucl. Med.28, 155 (1987)., [362] M. D. Cerqueira, A. F. Jacobson. J. Nucl. Med.30, 703 (1989)., [363] C. Love, C. J. Palestro. J. Nucl. Med.Technol.32, 47 (2004)..
Isotopes Used as a Source of Radioactive Isotope(s)
113In is used to produce 113Sn (with a half-life of 115 days) via the reaction 113In (p, n) 113Sn, and 113In is used to produce the radioisotope 110In (with a half-life of 1.15 h) [364] F. E. Fakhari. Separation and Purification of 111In from Irradiated Cadmium Targets by Solid Phase Extraction (SPE) Method for Medical Applications, Deutsche National Bibliothek (2014), Feb. 26; http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2006/0132/view.html., [365] M. Mostafa, A. A. El Sadek, H. El Said, M. A. El Amir. J. Nucl. Radiochem. Sci.10, 1 (2009)..
Indium most often forms In³⁺ compounds, although In⁺ chemistry is significant and can be stabilized in some solids and salts. Indium(III) oxide, In₂O₃, is a wide-band-gap oxide and the main component of indium tin oxide. Indium(III) chloride, InCl₃, is a common Lewis-acidic reagent and precursor. Indium phosphide, InP, and indium arsenide, InAs, are important III-V semiconductors. Indium forms many alloys and intermetallic compounds, and its organometallic chemistry includes precursors used in vapor deposition.
See more information at the Indium compound page.
Bulk indium metal has low acute toxicity, but fine dusts, fumes, and soluble indium compounds require control in industrial settings. Inhalation exposure to indium tin oxide and some indium compounds has been associated with serious lung disease in workers. Many semiconductor compounds containing indium also contain toxic partners such as arsenic or phosphide-forming materials, so hazards are not due to indium alone. Natural indium has no significant radiological hazard.
There is evidence that indium has a low order of toxicity; however, care should be taken until further information is available.
Indium occurs mainly as a trace constituent in sulfide ores, especially zinc ores such as sphalerite, rather than as abundant indium minerals. During weathering and processing it tends to follow chalcophile pathways and can be retained in sulfide-rich residues or industrial wastes. Environmental concentrations are usually very low, and indium has no known biological role. Releases are most relevant near mining, smelting, refining, and electronic-material manufacturing sites.
Indium is not mined as a primary metal in most operations. It is recovered chiefly from residues and intermediate streams produced during zinc smelting and refining, with smaller contributions from other base-metal processing. Supply therefore depends strongly on ore composition, recovery technology, and the economics of host metals. Demand is led by transparent conducting oxides and specialized semiconductors, while solders and alloys account for smaller but useful markets. Recycling occurs from manufacturing scrap and some end-of-life products, but dispersed thin-film uses make complete recovery difficult. Substitution is possible in some applications, yet often involves trade-offs in conductivity, transparency, processing, or reliability.
Indium is most frequently associated with zinc materials, and it is from these that most commercial indium is now obtained; however, it is also found in iron, lead, and copper ores.
Indium is a relatively scarce element in the cosmos. Its stable isotopes are produced by neutron-capture processes in earlier generations of stars, with contributions from both slow and rapid neutron-capture nucleosynthesis. In planetary materials it is strongly chalcophile and is concentrated more readily in sulfide phases than in silicates, helping explain its association with zinc, lead, and tin ores on Earth.
- Natural indium is dominated by ¹¹⁵In, which is very weakly radioactive but has an extremely long half-life.
- Indium metal can form cold-welded seals because it remains soft and malleable at low temperatures.
- The element was named from the indigo-blue spectral line used in its discovery.
- Indium tin oxide is useful because it combines optical transparency with electrical conductivity.
- Indium wets glass better than many common metals, making it useful in special seals.
చిత్రాలు
లక్షణాలు
భౌతిక
- పరమాణు వ్యాసార్థం (అనుభవాధారిత)
- 155 pm అన్ని మూలకాల పరమాణు వ్యాసార్థం (అనుభవాధారిత) పోల్చండి →
- సంయోజనీయ వ్యాసార్థం
- 142 pm అన్ని మూలకాల సంయోజనీయ వ్యాసార్థం పోల్చండి →
- వాన్ డర్ వాల్స్ వ్యాసార్థం
- 193 pm అన్ని మూలకాల వాన్ డర్ వాల్స్ వ్యాసార్థం పోల్చండి →
- లోహ వ్యాసార్థం
- 142 pm అన్ని మూలకాల లోహ వ్యాసార్థం పోల్చండి →
- సాంద్రత
- 7310 kg/m³ అన్ని మూలకాల సాంద్రత పోల్చండి →
- మోలార్ ఘనపరిమాణం
- 0.0157 L/mol
- STP వద్ద దశ
- ఘనం అన్ని మూలకాల STP వద్ద దశ పోల్చండి →
- ద్రవీభవన స్థానం
- 156.6 °C అన్ని మూలకాల ద్రవీభవన స్థానం పోల్చండి →
- మరుగు స్థానం
- 2071.85 °C అన్ని మూలకాల మరుగు స్థానం పోల్చండి →
- ఉష్ణ వాహకత
- 81.8 W/(m·K) అన్ని మూలకాల ఉష్ణ వాహకత పోల్చండి →
- విశిష్ట ఉష్ణ సామర్థ్యం
- 0.233 J/(g·K) అన్ని మూలకాల విశిష్ట ఉష్ణ సామర్థ్యం పోల్చండి →
- మోలార్ ఉష్ణ సామర్థ్యం
- 26.74 J/(mol·K) అన్ని మూలకాల మోలార్ ఉష్ణ సామర్థ్యం పోల్చండి →
- స్ఫటిక నిర్మాణం
- చతురస్రాకార అన్ని మూలకాల స్ఫటిక నిర్మాణం పోల్చండి →
రసాయన
- విద్యుదృణాత్మకత (పాలింగ్)
- 1.78 అన్ని మూలకాల విద్యుదృణాత్మకత (పాలింగ్) పోల్చండి →
- విద్యుదృణాత్మకత (అలెన్)
- 1.656
- ఎలక్ట్రాన్ బంధుత్వం
- 0.3 eV
- అయనీకరణ శక్తి (1వ)
- 5.786356 eV అన్ని మూలకాల అయనీకరణ శక్తి (1వ) పోల్చండి →
- అయనీకరణ శక్తి (2వ)
- 18.870475 eV అన్ని మూలకాల అయనీకరణ శక్తి (2వ) పోల్చండి →
- అయనీకరణ శక్తి (3వ)
- 28.044247 eV అన్ని మూలకాల అయనీకరణ శక్తి (3వ) పోల్చండి →
- అయనీకరణ శక్తి (4వ)
- 55.450191 eV అన్ని మూలకాల అయనీకరణ శక్తి (4వ) పోల్చండి →
- అయనీకరణ శక్తి (5వ)
- 69.300239 eV అన్ని మూలకాల అయనీకరణ శక్తి (5వ) పోల్చండి →
- ఆక్సీకరణ స్థితులు
- −5, −2, −1, 0, +1, +2, +3 అన్ని మూలకాల ఆక్సీకరణ స్థితులు పోల్చండి →
- సంయోజక ఎలక్ట్రాన్లు
- 3 అన్ని మూలకాల సంయోజక ఎలక్ట్రాన్లు పోల్చండి →
- ఎలక్ట్రాన్ విన్యాసం
- [Kr] 5s2 4d10 5p1
ఉష్ణగతిక
- త్రిక స్థానం (ఉష్ణోగ్రత)
- 156.5936 °C
- ద్రవీభవన ఉష్ణం
- 0.03378764 eV అన్ని మూలకాల ద్రవీభవన ఉష్ణం పోల్చండి →
- బాష్పీభవన ఉష్ణం
- 2.402446 eV అన్ని మూలకాల బాష్పీభవన ఉష్ణం పోల్చండి →
- ఉత్పతన ఉష్ణం
- 2.518526 eV
- పరమాణీకరణ ఉష్ణం
- 2.518526 eV
- పరమాణీకరణ ఎంథాల్పీ
- 2.518526 eV
కేంద్రక
- ప్రోటాన్లు
- 49 అన్ని మూలకాల ప్రోటాన్లు పోల్చండి →
- న్యూట్రాన్లు
- 64 అన్ని మూలకాల న్యూట్రాన్లు పోల్చండి →
- తెలిసిన సమస్థానికాలు
- 42 అన్ని మూలకాల తెలిసిన సమస్థానికాలు పోల్చండి →
- స్థిరమైన సమస్థానికాలు
- 1 అన్ని మూలకాల స్థిరమైన సమస్థానికాలు పోల్చండి →
- అత్యంత స్థిరమైన సమస్థానికం
- In-113
- ఆవిష్కరణ సంవత్సరం
- 1863
సమృద్ధి
- సమృద్ధి (భూపటలం)
- 0.25 mg/kg అన్ని మూలకాల సమృద్ధి (భూపటలం) పోల్చండి →
- సమృద్ధి (సముద్రం)
- 0.02 mg/L అన్ని మూలకాల సమృద్ధి (సముద్రం) పోల్చండి →
స్ఫటిక నిర్మాణం
- జాలక స్థిరాంకం a
- 459 pm
ఎలక్ట్రానిక్ నిర్మాణం
- ప్రతి కక్ష్యలో ఎలక్ట్రాన్లు
- 2, 8, 18, 18, 3 అన్ని మూలకాల ప్రతి కక్ష్యలో ఎలక్ట్రాన్లు పోల్చండి →
గుర్తింపులు
- CAS సంఖ్య
- 7440-74-6 అన్ని మూలకాల CAS సంఖ్య పోల్చండి →
- టర్మ్ సంకేతం
- 2P°1/2
- InChI
- InChI=1S/In
- InChI కీ
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N
ఎలక్ట్రాన్ విన్యాసం కొలవబడినది
In: 4d¹⁰ 5s² 5p¹[Kr] 4d¹⁰ 5s² 5p¹1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p⁶ 3d¹⁰ 4s² 4p⁶ 4d¹⁰ 5s² 5p¹పరమాణు నమూనా
సమస్థానికాలు న్యూట్రాన్ల సంఖ్య, ద్రవ్యరాశి, స్థిరత్వాన్ని మారుస్తాయి — తటస్థ పరమాణువు యొక్క ఎలక్ట్రాన్ విన్యాసాన్ని కాదు.
రూపరేఖాత్మక పరమాణు నమూనా, ప్రమాణానుసారం కాదు.
పరమాణు ప్రత్యేక గుర్తింపు
ఉద్గార / శోషణ వర్ణపటం
సమస్థానిక పంపిణీ
| ద్రవ్యరాశి సంఖ్య | పరమాణు ద్రవ్యరాశి (u) | సహజ సమృద్ధి | అర్ధాయుష్షు |
|---|---|---|---|
| 113 స్థిరమైన | 112.90406184 ± 0.00000091 | 4.2900% | స్థిరమైన |
దశ / స్థితి
కారణం: ద్రవీభవన స్థానం (156.6 °C) కంటే 131.6 °C తక్కువ
రూపరేఖ మాత్రమే, ప్రమాణానుసారం కాదు
దశ పరివర్తన స్థానాలు
పరివర్తన శక్తులు
ద్రవీభవన స్థానం వద్ద 1 molను ద్రవీభవింపజేయడానికి అవసరమైన శక్తి
మరుగు స్థానం వద్ద 1 molను బాష్పీభవింపజేయడానికి అవసరమైన శక్తి
ఉత్పతన స్థానం వద్ద 1 molను ఉత్పతనం చేయడానికి అవసరమైన శక్తి
సాంద్రత
ప్రామాణిక పరిస్థితుల వద్ద
ప్రామాణిక పరిస్థితుల వద్ద
ఉన్నత స్థాయి
పరమాణు వర్ణపటాలు
మొత్తం 49లో 10 చూపించబడుతున్నాయి. అయాన్ ఆవేశం ఆధారంగా ఆరోహణ క్రమంలో అమర్చబడింది.
అందుబాటులో ఉన్న వర్ణపట రేఖల సమాచారం ?
| అయాన్ | ఆవేశం | మొత్తం రేఖలు | పరివర్తన సంభావ్యతలు | స్థాయి గుర్తింపులు |
|---|---|---|---|---|
| In I | 0 | 92 | 27 | 91 |
| In II | +1 | 899 | 528 | 899 |
| In III | +2 | 55 | 0 | 0 |
| In IV | +3 | 42 | 0 | 0 |
| In V | +4 | 38 | 0 | 0 |
అందుబాటులో ఉన్న శక్తి స్థాయుల సమాచారం ?
| అయాన్ | ఆవేశం | స్థాయులు |
|---|---|---|
| In I | 0 | 114 |
| In II | +1 | 195 |
| In III | +2 | 28 |
| In IV | +3 | 18 |
| In V | +4 | 42 |
| In VI | +5 | 2 |
| In VII | +6 | 2 |
| In VIII | +7 | 2 |
| In IX | +8 | 2 |
| In X | +9 | 2 |
స్ఫటిక నిర్మాణ సమాచారం అందుబాటులో లేదు
స్ఫటిక నిర్మాణం: tetragonal
అయానిక్ వ్యాసార్థాలు
| ఆవేశం | సమన్వయం | స్పిన్ | వ్యాసార్థం |
|---|---|---|---|
| +3 | 4 | అందుబాటులో లేదు | 62 pm |
| +3 | 6 | అందుబాటులో లేదు | 80 pm |
| +3 | 8 | అందుబాటులో లేదు | 92 pm |
సమ్మేళనాలు
సమస్థానికాలు (1)
| ద్రవ్యరాశి సంఖ్య | పరమాణు ద్రవ్యరాశి (u) | సహజ సమృద్ధి | అర్ధాయుష్షు | క్షయ విధానం | |
|---|---|---|---|---|---|
| 113 స్థిరమైన | 112.90406184 ± 0.00000091 | 4.2900% ± 0.0500% | స్థిరమైన | stable |
వర్ణపట రేఖలు
మొత్తం 277లో 50 చూపించబడుతున్నాయి. డిఫాల్ట్గా కొలిచిన తీవ్రత ఉన్న వర్ణపట రేఖలు మాత్రమే చూపించబడతాయి.
| తరంగదైర్ఘ్యం (nm) | తీవ్రత | అయాన్ దశ | రకం | పరివర్తన | ఖచ్చితత్వం | మూలం | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 383.46308 nm | 32000 | In II | emission | 5s.5d 1D → 5s.4f 1F* | కొలవబడినది | NIST | |
| 451.12972 nm | 18000 | In I | emission | 5s2.5p 2P* → 5s2.6s 2S | కొలవబడినది | NIST | |
| 410.17504 nm | 17000 | In I | emission | 5s2.5p 2P* → 5s2.6s 2S | కొలవబడినది | NIST | |
| 468.1115 nm | 16000 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | కొలవబడినది | NIST | |
| 590.33916 nm | 9000 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | కొలవబడినది | NIST | |
| 463.8162 nm | 8800 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | కొలవబడినది | NIST | |
| 465.562 nm | 7800 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | కొలవబడినది | NIST | |
| 464.4572 nm | 5900 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 1F* | కొలవబడినది | NIST | |
| 718.29048 nm | 5800 | In II | emission | 5s.6s 3S → 5s.6p 3P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 384.2918 nm | 5600 | In II | emission | 5s.5d 1D → 5s.4f 3F* | కొలవబడినది | NIST | |
| 591.87693 nm | 5100 | In II | emission | 5s.6p 1P* → 5s.6d 1D | కొలవబడినది | NIST | |
| 616.254 nm | 4100 | In II | emission | 5s.4f 1F* → 5s<1/2,F=4>.6g | కొలవబడినది | NIST | |
| 689.15826 nm | 3900 | In II | emission | 5s.6s 3S → 5s.6p 3P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 585.31709 nm | 3400 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | కొలవబడినది | NIST | |
| 609.59333 nm | 3300 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | కొలవబడినది | NIST | |
| 468.4791 nm | 2500 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | కొలవబడినది | NIST | |
| 727.66388 nm | 2400 | In II | emission | 5s.6s 3S → 5s.6p 3P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 614.953 nm | 2200 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.6g | కొలవబడినది | NIST | |
| 613.986 nm | 2100 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=5>.6g | కొలవబడినది | NIST | |
| 614.32 nm | 2100 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.6g | కొలవబడినది | NIST | |
| 614.813 nm | 2100 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=5>.6g | కొలవబడినది | NIST | |
| 616.113 nm | 2000 | In II | emission | 5s.4f 1F* → 5s<1/2,F=5>.6g | కొలవబడినది | NIST | |
| 465.6736 nm | 1700 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | కొలవబడినది | NIST | |
| 551.3006 nm | 1500 | In II | emission | 5p2 3P → 5s.4f 1F* | కొలవబడినది | NIST | |
| 614.126 nm | 1500 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.6g | కొలవబడినది | NIST | |
| 405.69377 nm | 1300 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.8s 3S | కొలవబడినది | NIST | |
| 591.52626 nm | 1300 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | కొలవబడినది | NIST | |
| 557.6866 nm | 1200 | In II | emission | 5s.7p 1P* → 5s.10d 1D | కొలవబడినది | NIST | |
| 551.935 nm | 1100 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.7f 3F* | కొలవబడినది | NIST | |
| 549.7486 nm | 1000 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.7f 3F* | కొలవబడినది | NIST | |
| 550.7048 nm | 1000 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.7f 3F* | కొలవబడినది | NIST | |
| 551.0883 nm | 1000 | In II | emission | 5s.7p 3P* → 5s.10d 3D | కొలవబడినది | NIST | |
| 512.0847 nm | 960 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=5>.7g | కొలవబడినది | NIST | |
| 390.20794 nm | 910 | In II | emission | 5s.6p 1P* → 5s.7d 1D | కొలవబడినది | NIST | |
| 384.2158 nm | 900 | In II | emission | 5s.5d 1D → 5s.4f 3F* | కొలవబడినది | NIST | |
| 512.1781 nm | 880 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.7g | కొలవబడినది | NIST | |
| 611.58707 nm | 830 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | కొలవబడినది | NIST | |
| 511.7388 nm | 810 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.7g | కొలవబడినది | NIST | |
| 511.5109 nm | 800 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=5>.7g | కొలవబడినది | NIST | |
| 512.9865 nm | 710 | In II | emission | 5s.4f 1F* → 5s<1/2,F=5>.7g | కొలవబడినది | NIST | |
| 463.7055 nm | 610 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | కొలవబడినది | NIST | |
| 511.6041 nm | 590 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.7g | కొలవబడినది | NIST | |
| 550.7779 nm | 570 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.7f 3F* | కొలవబడినది | NIST | |
| 414.9635 nm | 550 | In II | emission | 5s.4f 1F* → 5s<1/2,F=5>.10g | కొలవబడినది | NIST | |
| 530.94926 nm | 550 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 1D | కొలవబడినది | NIST | |
| 454.8998 nm | 540 | In II | emission | 5p2 1D → 5s.8p 3P* | కొలవబడినది | NIST | |
| 461.6069 nm | 540 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.8g | కొలవబడినది | NIST | |
| 457.0881 nm | 520 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.9f 3F* | కొలవబడినది | NIST | |
| 458.701 nm | 520 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.9f 3F* | కొలవబడినది | NIST | |
| 457.1286 nm | 510 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.9f 3F* | కొలవబడినది | NIST |
విస్తృత లక్షణాలు
సంయోజనీయ వ్యాసార్థాలు (విస్తృత)
- సంయోజనీయ వ్యాసార్థం (ప్యుక్కో)
- 142 pm
- సంయోజనీయ వ్యాసార్థం (ప్యుక్కో, ద్విబంధం)
- 136 pm
- సంయోజనీయ వ్యాసార్థం (ప్యుక్కో, త్రిబంధం)
- 146 pm
వాన్ డర్ వాల్స్ వ్యాసార్థాలు
- Bondi
- 193 pm
- Batsanov
- 220 pm
- Alvarez
- 243 pm
- UFF
- 446.3 pm
- MM3
- 264 pm
- Dreiding
- 459 pm
పరమాణు మరియు లోహ వ్యాసార్థాలు
- పరమాణు వ్యాసార్థం (రామ్)
- 246 pm
- లోహ వ్యాసార్థం (C12)
- 158 pm
సంఖ్యాక్రమ ప్రమాణాలు
- Mendeleev
- 84
- Pettifor
- 79
- Glawe
- 80
విద్యుదృణాత్మకత ప్రమాణాలు
- Ghosh
- 0
- Miedema
- 4
- Gunnarsson–Lundqvist
- 3
- Robles–Bartolotti
- 2
ధ్రువణీయత మరియు విక్షేపణం
- ద్విధ్రువ ధ్రువణీయత
- 65 a.u.
- ద్విధ్రువ ధ్రువణీయత (అనిశ్చితి)
- 4 a.u.
- C₆
- 779 Ha·Bohr6
- C₆ (Gould–Bučko)
- 643 Ha·Bohr6
మీడెమా పరామితులు
- మీడెమా మోలార్ ఘనపరిమాణం
- 15.75 cm3/mol
- మీడెమా ఎలక్ట్రాన్ సాంద్రత
- 2
సరఫరా ప్రమాదం మరియు ఆర్థిక అంశాలు
- ఉత్పత్తి కేంద్రీకరణ
- 53
- సాపేక్ష సరఫరా ప్రమాదం
- 8
- రాజకీయ స్థిరత్వం (అగ్ర ఉత్పత్తిదారు)
- 24
దశ పరివర్తనలు మరియు భిన్నరూపాలు
| ద్రవీభవన స్థానం | 429.75 K |
| మరుగు స్థానం | 2300.15 K |
| త్రిక స్థానం (ఉష్ణోగ్రత) | 429.74 K |
ఆక్సీకరణ స్థితి వర్గాలు
ఉన్నత స్థాయి సూచన సమాచారం
పరిరక్షణ స్థిరాంకాలు (11)
| n | ఆర్బిటాల్ | σ |
|---|---|---|
| 1 | s | 0.9903 |
| 2 | p | 4.102 |
| 2 | s | 12.8764 |
| 3 | d | 14.3218 |
| 3 | p | 17.4793 |
| 3 | s | 17.3692 |
| 4 | d | 32.0584 |
| 4 | p | 28.6312 |
| 4 | s | 27.2388 |
| 5 | p | 40.53 |
స్ఫటిక వ్యాసార్థాల వివరాలు (3)
| ఆవేశం | CN | స్పిన్ | rcrystal (pm) | మూలం |
|---|---|---|---|---|
| 3 | IV | 76 | ||
| 3 | VI | 94 | from r^3 vs V plots, | |
| 3 | VIII | 106 | from r^3 vs V plots, calculated, |
సమస్థానిక క్షయ విధానాలు (69)
| సమస్థానికం | మోడ్ | తీవ్రత |
|---|---|---|
| 96 | B+ | — |
| 96 | p | — |
| 97 | B+ | 100% |
| 97 | B+p | 2.3% |
| 97 | p | — |
| 98 | B+ | 100% |
| 98 | B+p | 0.1% |
| 99 | B+ | 100% |
| 99 | B+p | 0.3% |
| 100 | B+ | 100% |
X‑కిరణ పరిక్షేపణ కారకాలు (510)
| శక్తి (eV) | f₁ | f₂ |
|---|---|---|
| 10 | — | 2.16244 |
| 10.1617 | — | 2.07002 |
| 10.3261 | — | 1.98155 |
| 10.4931 | — | 1.89686 |
| 10.6628 | — | 1.81579 |
| 10.8353 | — | 1.72844 |
| 11.0106 | — | 1.54985 |
| 11.1886 | — | 1.35731 |
| 11.3696 | — | 0.99325 |
| 11.5535 | — | 0.74202 |
అదనపు సమాచారం
Estimated Crustal Abundance
The estimated element abundance in the earth's crust.
2.5×10-1 milligrams per kilogram
మూలాధారాలు (1)
Estimated Oceanic Abundance
The estimated element abundance in the earth's oceans.
2×10-2 milligrams per liter
మూలాధారాలు (1)
Sources
Sources of this element.
Indium is most frequently associated with zinc materials, and it is from these that most commercial indium is now obtained; however, it is also found in iron, lead, and copper ores.
మూలాధారాలు (1)
- [6] Indium https://periodic.lanl.gov/49.shtml
మూలాధారాలు
(9)
Data deposited in or computed by PubChem
The half-life and atomic mass data was provided by the Atomic Mass Data Center at the International Atomic Energy Agency.
Element data are cited from the Atomic weights of the elements (an IUPAC Technical Report). The IUPAC periodic table of elements can be found at https://iupac.org/what-we-do/periodic-table-of-elements/. Additional information can be found within IUPAC publication doi:10.1515/pac-2015-0703 Copyright © 2020 International Union of Pure and Applied Chemistry.
The information are cited from Pure Appl. Chem. 2018; 90(12): 1833-2092, https://doi.org/10.1515/pac-2015-0703.
Thomas Jefferson National Accelerator Facility (Jefferson Lab) is one of 17 national laboratories funded by the U.S. Department of Energy. The lab's primary mission is to conduct basic research of the atom's nucleus using the lab's unique particle accelerator, known as the Continuous Electron Beam Accelerator Facility (CEBAF). For more information visit https://www.jlab.org/
The periodic table at the LANL (Los Alamos National Laboratory) contains basic element information together with the history, source, properties, use, handling and more. The provenance data may be found from the link under the source name.
The periodic table contains NIST's critically-evaluated data on atomic properties of the elements. The provenance data that include data for atomic spectroscopy, X-ray and gamma ray, radiation dosimetry, nuclear physics, and condensed matter physics may be found from the link under the source name. Ref: https://www.nist.gov/pml/atomic-spectra-database
This section provides all form of data related to element Indium.
The element property data was retrieved from publications.