Hydrogen వర్సెస్ Silicon
పరమాణు నిర్మాణం, భౌతిక లక్షణాల ఆధారంగా Hydrogen (H, మూలకం 1), Silicon (Si, మూలకం 14) మధ్య పక్కపక్కన పోలిక.
| లక్షణం | H Hydrogen | Si Silicon |
|---|---|---|
| పరమాణు సంఖ్య | 1 | 14 |
| సంకేతం | H | Si |
| పేరు | Hydrogen | Silicon |
| వర్గం | nonmetal | metalloid |
| ప్రామాణిక పరమాణు భారం | 1.007975 u | 28.085 u |
| ఆవర్తనం | 1 | 3 |
| గ్రూపు | 1 | 14 |
| బ్లాక్ | s | p |
| STP వద్ద దశ | వాయువు | ఘనం |
| ఎలక్ట్రాన్ విన్యాసం | 1s1 | [Ne]3s23p2 |
| ఆక్సీకరణ స్థితులు | [-1, 1] | [-4, -3, -2, -1, 0, 1, 2, 3, 4] |
| విద్యుదృణాత్మకత (పాలింగ్) | 2.2 | 1.9 |
| ఎలక్ట్రాన్ బంధుత్వం | 0.75419 eV | 1.385 eV |
| సాంద్రత | 0.08988 kg/m³ | 2329.6 kg/m³ |
| ద్రవీభవన స్థానం | -259.193 °C | 1413.85 °C |
| మరుగు స్థానం | -252.781 °C | 3264.85 °C |
| ఆవిష్కరణ సంవత్సరం | 1766 | 1824 |
ముఖ్యమైన తేడాలు
| లక్షణం | H Hydrogen | Si Silicon |
|---|---|---|
| ప్రామాణిక పరమాణు భారం | 1.007975 u ↓ తక్కువ | 28.085 u ↑ ఎక్కువ |
| సాంద్రత | 0.08988 kg/m³ ↓ తక్కువ | 2329.6 kg/m³ ↑ ఎక్కువ |
| ద్రవీభవన స్థానం | -259.193 °C ↓ తక్కువ | 1413.85 °C ↑ ఎక్కువ |
| మరుగు స్థానం | -252.781 °C ↓ తక్కువ | 3264.85 °C ↑ ఎక్కువ |
| విద్యుదృణాత్మకత (పాలింగ్) | 2.2 ↑ ఎక్కువ | 1.9 ↓ తక్కువ |
| ఎలక్ట్రాన్ బంధుత్వం | 0.75419 eV ↓ తక్కువ | 1.385 eV ↑ ఎక్కువ |
| ఆవర్తనం | 1 | 3 |
| గ్రూపు | 1 | 14 |
| బ్లాక్ | s | p |
| వర్గం | nonmetal | metalloid |
| STP వద్ద దశ | వాయువు | ఘనం |
| ఎలక్ట్రాన్ విన్యాసం | 1s1 | [Ne]3s23p2 |
| ఆవిష్కరణ సంవత్సరం | 1766 | 1824 |