Silicon vs Phosphorus
Comparação lado a lado de Silicon (Si, elemento 14) e Phosphorus (P, elemento 15) quanto à estrutura atômica e às propriedades físicas.
| Propriedade | Si Silicon | P Phosphorus |
|---|---|---|
| Número atômico | 14 | 15 |
| Símbolo | Si | P |
| Nome | Silicon | Phosphorus |
| Categoria | metalloid | nonmetal |
| Peso atômico padrão | 28,085 u | 30,973762 u |
| Período | 3 | 3 |
| Grupo | 14 | 15 |
| Bloco | p | p |
| Fase nas CNTP | Sólido | Sólido |
| Configuração eletrônica | [Ne]3s23p2 | [Ne]3s23p3 |
| Estados de oxidação | [-4, -3, -2, -1, 0, 1, 2, 3, 4] | [-3, -2, -1, 0, 1, 2, 3, 4, 5] |
| Eletronegatividade (Pauling) | 1.9 | 2.19 |
| Afinidade eletrônica | 1,385 eV | 0,7466 eV |
| Densidade | 2329,6 kg/m³ | 1820 kg/m³ |
| Ponto de fusão | 1413,85 °C | 44,15 °C |
| Ponto de ebulição | 3264,85 °C | 280,5 °C |
| Ano da descoberta | 1824 | 1669 |
Principais diferenças
| Propriedade | Si Silicon | P Phosphorus |
|---|---|---|
| Peso atômico padrão | 28,085 u ↓ menor | 30,973762 u ↑ maior |
| Densidade | 2329,6 kg/m³ ↑ maior | 1820 kg/m³ ↓ menor |
| Ponto de fusão | 1413,85 °C ↑ maior | 44,15 °C ↓ menor |
| Ponto de ebulição | 3264,85 °C ↑ maior | 280,5 °C ↓ menor |
| Eletronegatividade (Pauling) | 1.9 ↓ menor | 2.19 ↑ maior |
| Afinidade eletrônica | 1,385 eV ↑ maior | 0,7466 eV ↓ menor |
| Grupo | 14 | 15 |
| Categoria | metalloid | nonmetal |
| Configuração eletrônica | [Ne]3s23p2 | [Ne]3s23p3 |
| Ano da descoberta | 1824 | 1669 |