Indium (In)
post-transition-metalSolid
ਮਿਆਰੀ ਪਰਮਾਣੂ ਭਾਰ
114.818 uਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਵਿਨਿਆਸ
[Kr] 5s2 4d10 5p1ਪਿਘਲਣ ਦਰਜਾ
156.6 °Cਉਬਾਲ ਦਰਜਾ
2071.85 °Cਘਣਤਾ
7310 kg/m³ਆਕਸੀਕਰਨ ਅਵਸਥਾਵਾਂ
−5, −2, −1, 0, +1, +2, +3ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ (ਪਾਲਿੰਗ)
1.78ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਪਹਿਲੀ)
5.786356 eVਖੋਜ ਦਾ ਸਾਲ
1863ਪਰਮਾਣੂ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
155 pmਵੇਰਵੇ
Indium is a soft, silvery post-transition metal in group 13. It is chemically related to gallium and thallium, but its stable chemistry is dominated by the +3 oxidation state, with +1 compounds also known. The element is rare in Earth's crust and is obtained chiefly as a by-product of zinc refining. Its technological importance is disproportionate to its abundance, especially because transparent conducting indium tin oxide is central to flat-panel displays, touch screens, and other optoelectronic devices.
Indium is available in ultra pure form. Indium is a very soft, silvery-white metal with a brilliant luster. The pure metal gives a high-pitched "cry" when bent. It wets glass, as does gallium.
The name derives from the term "indigo" for the indigo-blue line in the element's spark spectrum. It was discovered in 1863 by the German physicist Ferdinand Reich and the German metallurgist Hieronymus Theodor Richter, while examining zinc blende. They isolated indium in 1867.
Indium was discovered by the German chemists Ferdinand Reich and Hieronymus Theodor Richter in 1863. Reich and Richter had been looking for traces of the element thallium in samples of zinc ores. A brilliant indigo line in the sample's spectrum revealed the existence of indium. Indium is about as abundant as silver but is much easier to recover since it typically occurs along with zinc, iron, lead and copper ores.
From the brilliant indigo line in its spectrum. Discovered by Reich and Richter, who later isolated the metal. Until 1924, a gram or so constituted the world's supply of this element in isolated form. It is probably about as abundant as silver. About 4 million troy ounces of indium are now produced annually in the Free World. Canada is presently producing more than 1,000,000 troy ounces annually.
Pure indium is a very soft, lustrous, silvery-white metal at ordinary conditions. It can be cut with a knife, leaves a mark on paper, and emits a characteristic high-pitched “cry” when bent as its crystals deform. It melts at a relatively low temperature for a metal, about 157 °C.
The largest use of indium is in indium tin oxide, a transparent and electrically conducting oxide coating used on displays, touch panels, solar cells, and low-emissivity glass. Indium metal and indium-rich alloys are used in low-melting solders, fusible alloys, thermal interface materials, and seals that wet glass or ceramics. Indium is also used in compound semiconductors such as indium phosphide and indium gallium arsenide for high-speed electronics, lasers, photodetectors, and some photovoltaic cells.
Indium is used to coat the bearings of high speed motors since it allows for the even distribution of lubricating oil. Indium is used to dope germanium to make transistors. It is also used to make other electrical components such as rectifiers, thermistors and photoconductors. Indium can be used to make mirrors that are as reflective as silver mirrors but do not tarnish as quickly. Indium is also used to make low melting alloys. An alloy of 24% indium and 76% gallium is a liquid at room temperature.
It has found application in making low-melting allows; an allow of 24% indium - 76% gallium is liquid at room temperature. It is used in making bearing alloys, germanium transistors, rectifiers, thermistors, and photoconductors. It can be plated onto metal and evaporated onto glass, forming a mirror as good as that made with silver but with more resistance to atmospheric corrosion.
Isotopes in Medicine
111In (with a half-life of 2.8 days) is used in indium leukocyte imaging (Fig. IUPAC.49.1), in which white blood cells that are abundant at sites of infection are labeled with 111In to help locate the source of the infection [361] M. T. Syrjälä, V. Valtonen, K. Liewendahl, G. Myllylä. J. Nucl. Med.28, 155 (1987)., [362] M. D. Cerqueira, A. F. Jacobson. J. Nucl. Med.30, 703 (1989)., [363] C. Love, C. J. Palestro. J. Nucl. Med.Technol.32, 47 (2004)..
Isotopes Used as a Source of Radioactive Isotope(s)
113In is used to produce 113Sn (with a half-life of 115 days) via the reaction 113In (p, n) 113Sn, and 113In is used to produce the radioisotope 110In (with a half-life of 1.15 h) [364] F. E. Fakhari. Separation and Purification of 111In from Irradiated Cadmium Targets by Solid Phase Extraction (SPE) Method for Medical Applications, Deutsche National Bibliothek (2014), Feb. 26; http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2006/0132/view.html., [365] M. Mostafa, A. A. El Sadek, H. El Said, M. A. El Amir. J. Nucl. Radiochem. Sci.10, 1 (2009)..
Indium most often forms In³⁺ compounds, although In⁺ chemistry is significant and can be stabilized in some solids and salts. Indium(III) oxide, In₂O₃, is a wide-band-gap oxide and the main component of indium tin oxide. Indium(III) chloride, InCl₃, is a common Lewis-acidic reagent and precursor. Indium phosphide, InP, and indium arsenide, InAs, are important III-V semiconductors. Indium forms many alloys and intermetallic compounds, and its organometallic chemistry includes precursors used in vapor deposition.
See more information at the Indium compound page.
Bulk indium metal has low acute toxicity, but fine dusts, fumes, and soluble indium compounds require control in industrial settings. Inhalation exposure to indium tin oxide and some indium compounds has been associated with serious lung disease in workers. Many semiconductor compounds containing indium also contain toxic partners such as arsenic or phosphide-forming materials, so hazards are not due to indium alone. Natural indium has no significant radiological hazard.
There is evidence that indium has a low order of toxicity; however, care should be taken until further information is available.
Indium occurs mainly as a trace constituent in sulfide ores, especially zinc ores such as sphalerite, rather than as abundant indium minerals. During weathering and processing it tends to follow chalcophile pathways and can be retained in sulfide-rich residues or industrial wastes. Environmental concentrations are usually very low, and indium has no known biological role. Releases are most relevant near mining, smelting, refining, and electronic-material manufacturing sites.
Indium is not mined as a primary metal in most operations. It is recovered chiefly from residues and intermediate streams produced during zinc smelting and refining, with smaller contributions from other base-metal processing. Supply therefore depends strongly on ore composition, recovery technology, and the economics of host metals. Demand is led by transparent conducting oxides and specialized semiconductors, while solders and alloys account for smaller but useful markets. Recycling occurs from manufacturing scrap and some end-of-life products, but dispersed thin-film uses make complete recovery difficult. Substitution is possible in some applications, yet often involves trade-offs in conductivity, transparency, processing, or reliability.
Indium is most frequently associated with zinc materials, and it is from these that most commercial indium is now obtained; however, it is also found in iron, lead, and copper ores.
Indium is a relatively scarce element in the cosmos. Its stable isotopes are produced by neutron-capture processes in earlier generations of stars, with contributions from both slow and rapid neutron-capture nucleosynthesis. In planetary materials it is strongly chalcophile and is concentrated more readily in sulfide phases than in silicates, helping explain its association with zinc, lead, and tin ores on Earth.
- Natural indium is dominated by ¹¹⁵In, which is very weakly radioactive but has an extremely long half-life.
- Indium metal can form cold-welded seals because it remains soft and malleable at low temperatures.
- The element was named from the indigo-blue spectral line used in its discovery.
- Indium tin oxide is useful because it combines optical transparency with electrical conductivity.
- Indium wets glass better than many common metals, making it useful in special seals.
ਚਿੱਤਰ
ਗੁਣ
ਭੌਤਿਕ
- ਪਰਮਾਣੂ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਅਨੁਭਵ-ਆਧਾਰਿਤ)
- 155 pm ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪਰਮਾਣੂ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਅਨੁਭਵ-ਆਧਾਰਿਤ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
- 142 pm ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਵਾਨ ਡਰ ਵਾਲਜ਼ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
- 193 pm ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਵਾਨ ਡਰ ਵਾਲਜ਼ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਧਾਤਵੀ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
- 142 pm ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਧਾਤਵੀ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਘਣਤਾ
- 7310 kg/m³ ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਘਣਤਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਮੋਲਰ ਆਇਤਨ
- 0.0157 L/mol
- STP 'ਤੇ ਅਵਸਥਾ
- ਠੋਸ ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ STP 'ਤੇ ਅਵਸਥਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਪਿਘਲਣ ਦਰਜਾ
- 156.6 °C ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪਿਘਲਣ ਦਰਜਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਉਬਾਲ ਦਰਜਾ
- 2071.85 °C ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਉਬਾਲ ਦਰਜਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਤਾਪ ਚਾਲਕਤਾ
- 81.8 W/(m·K) ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਤਾਪ ਚਾਲਕਤਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਤਾਪ ਸਮਰੱਥਾ
- 0.233 J/(g·K) ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਤਾਪ ਸਮਰੱਥਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਮੋਲਰ ਤਾਪ ਸਮਰੱਥਾ
- 26.74 J/(mol·K) ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਮੋਲਰ ਤਾਪ ਸਮਰੱਥਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ
- ਚਤੁਰਭੁਜੀ ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
ਰਸਾਇਣਕ
- ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ (ਪਾਲਿੰਗ)
- 1.78 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ (ਪਾਲਿੰਗ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ (ਐਲਨ)
- 1.656
- ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਬੰਧੁਤਾ
- 0.3 eV
- ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਪਹਿਲੀ)
- 5.786356 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਪਹਿਲੀ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਦੂਜੀ)
- 18.870475 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਦੂਜੀ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਤੀਜੀ)
- 28.044247 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਤੀਜੀ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਚੌਥੀ)
- 55.450191 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਚੌਥੀ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਪੰਜਵੀਂ)
- 69.300239 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਇਨੀਕਰਨ ਊਰਜਾ (ਪੰਜਵੀਂ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਆਕਸੀਕਰਨ ਅਵਸਥਾਵਾਂ
- −5, −2, −1, 0, +1, +2, +3 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਆਕਸੀਕਰਨ ਅਵਸਥਾਵਾਂ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਸੰਯੋਜਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ
- 3 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਸੰਯੋਜਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਵਿਨਿਆਸ
- [Kr] 5s2 4d10 5p1
ਤਾਪਗਤੀਕੀ
- ਤਿਹਰਾ ਬਿੰਦੂ (ਤਾਪਮਾਨ)
- 156.5936 °C
- ਪਿਘਲਣ ਦਾ ਤਾਪ
- 0.03378764 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪਿਘਲਣ ਦਾ ਤਾਪ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦਾ ਤਾਪ
- 2.402446 eV ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦਾ ਤਾਪ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਉਰਧਪਾਤਨ ਦਾ ਤਾਪ
- 2.518526 eV
- ਪਰਮਾਣੂਕਰਨ ਦਾ ਤਾਪ
- 2.518526 eV
- ਪਰਮਾਣੂਕਰਨ ਐਂਥੈਲਪੀ
- 2.518526 eV
ਨਾਭਿਕੀ
- ਪ੍ਰੋਟਾਨ
- 49 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰੋਟਾਨ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਨਿਊਟ੍ਰਾਨ
- 64 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਨਿਊਟ੍ਰਾਨ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਜਾਣੇ-ਪਛਾਣੇ ਸਮਸਥਾਨਿਕ
- 42 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਜਾਣੇ-ਪਛਾਣੇ ਸਮਸਥਾਨਿਕ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਸਥਿਰ ਸਮਸਥਾਨਿਕ
- 1 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਸਥਿਰ ਸਮਸਥਾਨਿਕ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਸਭ ਤੋਂ ਸਥਿਰ ਸਮਸਥਾਨਿਕ
- In-113
- ਖੋਜ ਦਾ ਸਾਲ
- 1863
ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ
- ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ (ਧਰਤੀ ਦੀ ਛਾਲ)
- 0.25 mg/kg ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ (ਧਰਤੀ ਦੀ ਛਾਲ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ (ਮਹਾਂਸਾਗਰ)
- 0.02 mg/L ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ (ਮਹਾਂਸਾਗਰ) ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ
- ਜਾਲਕ ਸਥਿਰਾਂਕ a
- 459 pm
ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਬਣਤਰ
- ਪ੍ਰਤੀ ਖੋਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ
- 2, 8, 18, 18, 3 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਤੀ ਖੋਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
ਪਛਾਣਕਰਤਾ
- CAS ਸੰਖਿਆ
- 7440-74-6 ਸਾਰੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ CAS ਸੰਖਿਆ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ →
- ਟਰਮ ਪ੍ਰਤੀਕ
- 2P°1/2
- InChI
- InChI=1S/In
- InChI ਕੁੰਜੀ
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N
ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਵਿਨਿਆਸ ਮਾਪਿਆ
In: 4d¹⁰ 5s² 5p¹[Kr] 4d¹⁰ 5s² 5p¹1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p⁶ 3d¹⁰ 4s² 4p⁶ 4d¹⁰ 5s² 5p¹ਪਰਮਾਣੂ ਮਾਡਲ
ਸਮਸਥਾਨਿਕ ਨਿਊਟ੍ਰਾਨਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ, ਪੁੰਜ ਅਤੇ ਸਥਿਰਤਾ ਬਦਲਦੇ ਹਨ — ਉਦਾਸੀਨ ਪਰਮਾਣੂ ਦਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਵਿਨਿਆਸ ਨਹੀਂ।
ਸੰਕੇਤਕ ਪਰਮਾਣੂ ਮਾਡਲ, ਪੈਮਾਨੇ ਅਨੁਸਾਰ ਨਹੀਂ।
ਪਰਮਾਣੂ ਪਛਾਣ-ਚਿੰਨ੍ਹ
ਨਿਕਾਸ / ਅਵਸ਼ੋਸ਼ਣ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ
ਸਮਸਥਾਨਿਕ ਵੰਡ
| ਪੁੰਜ ਸੰਖਿਆ | ਪਰਮਾਣੂ ਪੁੰਜ (u) | ਕੁਦਰਤੀ ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ | ਅਰਧ-ਆਯੂ |
|---|---|---|---|
| 113 ਸਥਿਰ | 112.90406184 ± 0.00000091 | 4.2900% | ਸਥਿਰ |
ਫੇਜ਼ / ਅਵਸਥਾ
ਕਾਰਨ: ਪਿਘਲਣ ਦਰਜੇ (156.6 °C) ਤੋਂ 131.6 °C ਘੱਟ
ਸੰਕੇਤਕ, ਪੈਮਾਨੇ ਅਨੁਸਾਰ ਨਹੀਂ
ਅਵਸਥਾ ਪਰਿਵਰਤਨ ਬਿੰਦੂ
ਸੰਕ੍ਰਮਣ ਊਰਜਾਵਾਂ
ਪਿਘਲਣ ਦਰਜੇ 'ਤੇ 1 mol ਨੂੰ ਪਿਘਲਾਉਣ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦੀ ਊਰਜਾ
ਉਬਾਲ ਦਰਜੇ 'ਤੇ 1 mol ਦੇ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦੀ ਊਰਜਾ
ਉਰਧਪਾਤਨ ਦਰਜੇ 'ਤੇ 1 mol ਦੇ ਉਰਧਪਾਤਨ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦੀ ਊਰਜਾ
ਘਣਤਾ
ਮਿਆਰੀ ਹਾਲਤਾਂ 'ਤੇ
ਮਿਆਰੀ ਹਾਲਤਾਂ 'ਤੇ
ਉੱਨਤ
ਪਰਮਾਣੂ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ
49 ਵਿੱਚੋਂ 10 ਦਿਖਾਏ ਜਾ ਰਹੇ ਹਨ। ਆਇਨ ਦੇ ਆਵੇਸ਼ ਅਨੁਸਾਰ ਕ੍ਰਮਬੱਧ (ਵਧਦੇ ਕ੍ਰਮ ਵਿੱਚ)।
ਉਪਲਬਧ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮੀ ਰੇਖਾਵਾਂ ?
| ਆਇਨ | ਆਵੇਸ਼ | ਕੁੱਲ ਰੇਖਾਵਾਂ | ਸੰਕ੍ਰਮਣ ਸੰਭਾਵਨਾਵਾਂ | ਪੱਧਰਾਂ ਦੇ ਨਾਮਾਂਕਨ |
|---|---|---|---|---|
| In I | 0 | 92 | 27 | 91 |
| In II | +1 | 899 | 528 | 899 |
| In III | +2 | 55 | 0 | 0 |
| In IV | +3 | 42 | 0 | 0 |
| In V | +4 | 38 | 0 | 0 |
ਉਪਲਬਧ ਊਰਜਾ ਪੱਧਰ ?
| ਆਇਨ | ਆਵੇਸ਼ | ਪੱਧਰ |
|---|---|---|
| In I | 0 | 114 |
| In II | +1 | 195 |
| In III | +2 | 28 |
| In IV | +3 | 18 |
| In V | +4 | 42 |
| In VI | +5 | 2 |
| In VII | +6 | 2 |
| In VIII | +7 | 2 |
| In IX | +8 | 2 |
| In X | +9 | 2 |
ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ ਦਾ ਡਾਟਾ ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ
ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ: tetragonal
ਆਇਨਿਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
| ਆਵੇਸ਼ | ਉਪਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਨ | ਸਪਿਨ | ਅਰਧ-ਵਿਆਸ |
|---|---|---|---|
| +3 | 4 | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | 62 pm |
| +3 | 6 | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | 80 pm |
| +3 | 8 | ਉਪਲਬਧ ਨਹੀਂ | 92 pm |
ਯੋਗਿਕ
ਸਮਸਥਾਨਿਕ (1)
| ਪੁੰਜ ਸੰਖਿਆ | ਪਰਮਾਣੂ ਪੁੰਜ (u) | ਕੁਦਰਤੀ ਪ੍ਰਚੁਰਤਾ | ਅਰਧ-ਆਯੂ | ਖ਼ੈ ਦੀ ਵਿਧੀ | |
|---|---|---|---|---|---|
| 113 ਸਥਿਰ | 112.90406184 ± 0.00000091 | 4.2900% ± 0.0500% | ਸਥਿਰ | stable |
ਸਪੈਕਟ੍ਰਮੀ ਰੇਖਾਵਾਂ
277 ਵਿੱਚੋਂ 50 ਦਿਖਾਏ ਜਾ ਰਹੇ ਹਨ। ਮੂਲ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਸਿਰਫ਼ ਮਾਪੀ ਹੋਈ ਤੀਬਰਤਾ ਵਾਲੀਆਂ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮੀ ਰੇਖਾਵਾਂ ਦਿਖਾਈਆਂ ਜਾਂਦੀਆਂ ਹਨ।
| ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ (nm) | ਤੀਬਰਤਾ | ਆਇਨੀਕਰਨ ਪੜਾਅ | ਕਿਸਮ | ਸੰਕ੍ਰਮਣ | ਸ਼ੁੱਧਤਾ | ਸਰੋਤ | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 383.46308 nm | 32000 | In II | emission | 5s.5d 1D → 5s.4f 1F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 451.12972 nm | 18000 | In I | emission | 5s2.5p 2P* → 5s2.6s 2S | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 410.17504 nm | 17000 | In I | emission | 5s2.5p 2P* → 5s2.6s 2S | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 468.1115 nm | 16000 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 590.33916 nm | 9000 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 463.8162 nm | 8800 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 465.562 nm | 7800 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 464.4572 nm | 5900 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 1F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 718.29048 nm | 5800 | In II | emission | 5s.6s 3S → 5s.6p 3P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 384.2918 nm | 5600 | In II | emission | 5s.5d 1D → 5s.4f 3F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 591.87693 nm | 5100 | In II | emission | 5s.6p 1P* → 5s.6d 1D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 616.254 nm | 4100 | In II | emission | 5s.4f 1F* → 5s<1/2,F=4>.6g | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 689.15826 nm | 3900 | In II | emission | 5s.6s 3S → 5s.6p 3P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 585.31709 nm | 3400 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 609.59333 nm | 3300 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 468.4791 nm | 2500 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 727.66388 nm | 2400 | In II | emission | 5s.6s 3S → 5s.6p 3P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 614.953 nm | 2200 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.6g | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 613.986 nm | 2100 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=5>.6g | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 614.32 nm | 2100 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.6g | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 614.813 nm | 2100 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=5>.6g | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 616.113 nm | 2000 | In II | emission | 5s.4f 1F* → 5s<1/2,F=5>.6g | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 465.6736 nm | 1700 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 551.3006 nm | 1500 | In II | emission | 5p2 3P → 5s.4f 1F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 614.126 nm | 1500 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.6g | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 405.69377 nm | 1300 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.8s 3S | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 591.52626 nm | 1300 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 557.6866 nm | 1200 | In II | emission | 5s.7p 1P* → 5s.10d 1D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 551.935 nm | 1100 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.7f 3F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 549.7486 nm | 1000 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.7f 3F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 550.7048 nm | 1000 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.7f 3F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 551.0883 nm | 1000 | In II | emission | 5s.7p 3P* → 5s.10d 3D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 512.0847 nm | 960 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=5>.7g | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 390.20794 nm | 910 | In II | emission | 5s.6p 1P* → 5s.7d 1D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 384.2158 nm | 900 | In II | emission | 5s.5d 1D → 5s.4f 3F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 512.1781 nm | 880 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.7g | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 611.58707 nm | 830 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 511.7388 nm | 810 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.7g | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 511.5109 nm | 800 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=5>.7g | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 512.9865 nm | 710 | In II | emission | 5s.4f 1F* → 5s<1/2,F=5>.7g | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 463.7055 nm | 610 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 511.6041 nm | 590 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.7g | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 550.7779 nm | 570 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.7f 3F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 414.9635 nm | 550 | In II | emission | 5s.4f 1F* → 5s<1/2,F=5>.10g | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 530.94926 nm | 550 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 1D | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 454.8998 nm | 540 | In II | emission | 5p2 1D → 5s.8p 3P* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 461.6069 nm | 540 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.8g | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 457.0881 nm | 520 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.9f 3F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 458.701 nm | 520 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.9f 3F* | ਮਾਪਿਆ | NIST | |
| 457.1286 nm | 510 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.9f 3F* | ਮਾਪਿਆ | NIST |
ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਗੁਣ
ਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ)
- ਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਪਿਊਕੋ)
- 142 pm
- ਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਪਿਊਕੋ, ਦੋਹਰਾ ਬੰਧਨ)
- 136 pm
- ਸਹਿ-ਸੰਯੋਜਕ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਪਿਊਕੋ, ਤਿਹਰਾ ਬੰਧਨ)
- 146 pm
ਵਾਨ ਡਰ ਵਾਲਜ਼ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
- Bondi
- 193 pm
- Batsanov
- 220 pm
- Alvarez
- 243 pm
- UFF
- 446.3 pm
- MM3
- 264 pm
- Dreiding
- 459 pm
ਪਰਮਾਣੂ ਅਤੇ ਧਾਤਵੀ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ
- ਪਰਮਾਣੂ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (ਰਾਮ)
- 246 pm
- ਧਾਤਵੀ ਅਰਧ-ਵਿਆਸ (C12)
- 158 pm
ਅੰਕਨ ਪੈਮਾਨੇ
- Mendeleev
- 84
- Pettifor
- 79
- Glawe
- 80
ਬਿਜਲਈ ਰਿਣਾਤਮਕਤਾ ਦੇ ਪੈਮਾਨੇ
- Ghosh
- 0
- Miedema
- 4
- Gunnarsson–Lundqvist
- 3
- Robles–Bartolotti
- 2
ਧਰੁਵੀਕਰਨਯੋਗਤਾ ਅਤੇ ਪ੍ਰਕੀਰਣ
- ਦੋਧਰੁਵੀ ਧਰੁਵੀਕਰਨਯੋਗਤਾ
- 65 a.u.
- ਦੋਧਰੁਵੀ ਧਰੁਵੀਕਰਨਯੋਗਤਾ (ਅਨਿਸ਼ਚਿਤਤਾ)
- 4 a.u.
- C₆
- 779 Ha·Bohr6
- C₆ (Gould–Bučko)
- 643 Ha·Bohr6
ਮੀਡੇਮਾ ਪਰਾਮੀਟਰ
- ਮੀਡੇਮਾ ਮੋਲਰ ਆਇਤਨ
- 15.75 cm3/mol
- ਮੀਡੇਮਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਘਣਤਾ
- 2
ਸਪਲਾਈ ਦਾ ਜੋਖਮ ਅਤੇ ਅਰਥਸ਼ਾਸਤਰ
- ਉਤਪਾਦਨ ਦੀ ਕੇਂਦਰਿਤਤਾ
- 53
- ਸਾਪੇਖ ਸਪਲਾਈ ਜੋਖਮ
- 8
- ਰਾਜਨੀਤਿਕ ਸਥਿਰਤਾ (ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਡਾ ਉਤਪਾਦਕ)
- 24
ਅਵਸਥਾ ਪਰਿਵਰਤਨ ਅਤੇ ਅਪਰਰੂਪ
| ਪਿਘਲਣ ਦਰਜਾ | 429.75 K |
| ਉਬਾਲ ਦਰਜਾ | 2300.15 K |
| ਤਿਹਰਾ ਬਿੰਦੂ (ਤਾਪਮਾਨ) | 429.74 K |
ਆਕਸੀਕਰਨ ਅਵਸਥਾ ਦੀਆਂ ਸ਼੍ਰੇਣੀਆਂ
ਉੱਨਤ ਸੰਦਰਭ ਡਾਟਾ
ਪਰਿਰੱਖਣ ਸਥਿਰਾਂਕ (11)
| n | ਔਰਬਿਟਲ | σ |
|---|---|---|
| 1 | s | 0.9903 |
| 2 | p | 4.102 |
| 2 | s | 12.8764 |
| 3 | d | 14.3218 |
| 3 | p | 17.4793 |
| 3 | s | 17.3692 |
| 4 | d | 32.0584 |
| 4 | p | 28.6312 |
| 4 | s | 27.2388 |
| 5 | p | 40.53 |
ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਅਰਧ-ਵਿਆਸਾਂ ਦਾ ਵੇਰਵਾ (3)
| ਆਵੇਸ਼ | CN | ਸਪਿਨ | rcrystal (pm) | ਉਤਪੱਤੀ |
|---|---|---|---|---|
| 3 | IV | 76 | ||
| 3 | VI | 94 | from r^3 vs V plots, | |
| 3 | VIII | 106 | from r^3 vs V plots, calculated, |
ਸਮਸਥਾਨਿਕ ਖ਼ੈ ਦੀਆਂ ਵਿਧੀਆਂ (69)
| ਸਮਸਥਾਨਿਕ | ਮੋਡ | ਤੀਬਰਤਾ |
|---|---|---|
| 96 | B+ | — |
| 96 | p | — |
| 97 | B+ | 100% |
| 97 | B+p | 2.3% |
| 97 | p | — |
| 98 | B+ | 100% |
| 98 | B+p | 0.1% |
| 99 | B+ | 100% |
| 99 | B+p | 0.3% |
| 100 | B+ | 100% |
ਐਕਸ-ਰੇ ਖਿੰਡਾਅ ਗੁਣਾਂਕ (510)
| ਊਰਜਾ (eV) | f₁ | f₂ |
|---|---|---|
| 10 | — | 2.16244 |
| 10.1617 | — | 2.07002 |
| 10.3261 | — | 1.98155 |
| 10.4931 | — | 1.89686 |
| 10.6628 | — | 1.81579 |
| 10.8353 | — | 1.72844 |
| 11.0106 | — | 1.54985 |
| 11.1886 | — | 1.35731 |
| 11.3696 | — | 0.99325 |
| 11.5535 | — | 0.74202 |
ਵਾਧੂ ਡਾਟਾ
Estimated Crustal Abundance
The estimated element abundance in the earth's crust.
2.5×10-1 milligrams per kilogram
ਸੰਦਰਭ (1)
Estimated Oceanic Abundance
The estimated element abundance in the earth's oceans.
2×10-2 milligrams per liter
ਸੰਦਰਭ (1)
Sources
Sources of this element.
Indium is most frequently associated with zinc materials, and it is from these that most commercial indium is now obtained; however, it is also found in iron, lead, and copper ores.
ਸੰਦਰਭ (1)
- [6] Indium https://periodic.lanl.gov/49.shtml
ਸੰਦਰਭ
(9)
Data deposited in or computed by PubChem
The half-life and atomic mass data was provided by the Atomic Mass Data Center at the International Atomic Energy Agency.
Element data are cited from the Atomic weights of the elements (an IUPAC Technical Report). The IUPAC periodic table of elements can be found at https://iupac.org/what-we-do/periodic-table-of-elements/. Additional information can be found within IUPAC publication doi:10.1515/pac-2015-0703 Copyright © 2020 International Union of Pure and Applied Chemistry.
The information are cited from Pure Appl. Chem. 2018; 90(12): 1833-2092, https://doi.org/10.1515/pac-2015-0703.
Thomas Jefferson National Accelerator Facility (Jefferson Lab) is one of 17 national laboratories funded by the U.S. Department of Energy. The lab's primary mission is to conduct basic research of the atom's nucleus using the lab's unique particle accelerator, known as the Continuous Electron Beam Accelerator Facility (CEBAF). For more information visit https://www.jlab.org/
The periodic table at the LANL (Los Alamos National Laboratory) contains basic element information together with the history, source, properties, use, handling and more. The provenance data may be found from the link under the source name.
The periodic table contains NIST's critically-evaluated data on atomic properties of the elements. The provenance data that include data for atomic spectroscopy, X-ray and gamma ray, radiation dosimetry, nuclear physics, and condensed matter physics may be found from the link under the source name. Ref: https://www.nist.gov/pml/atomic-spectra-database
This section provides all form of data related to element Indium.
The element property data was retrieved from publications.