Silicon frente a Phosphorus
Comparación en paralelo de Silicon (Si, elemento 14) y Phosphorus (P, elemento 15) según su estructura atómica y sus propiedades físicas.
| Propiedad | Si Silicon | P Phosphorus |
|---|---|---|
| Número atómico | 14 | 15 |
| Símbolo | Si | P |
| Nombre | Silicon | Phosphorus |
| Categoría | metalloid | nonmetal |
| Peso atómico estándar | 28,085 u | 30,973762 u |
| Periodo | 3 | 3 |
| Grupo | 14 | 15 |
| Bloque | p | p |
| Fase en CNPT | Sólido | Sólido |
| Configuración electrónica | [Ne]3s23p2 | [Ne]3s23p3 |
| Estados de oxidación | [-4, -3, -2, -1, 0, 1, 2, 3, 4] | [-3, -2, -1, 0, 1, 2, 3, 4, 5] |
| Electronegatividad (Pauling) | 1.9 | 2.19 |
| Afinidad electrónica | 1,385 eV | 0,7466 eV |
| Densidad | 2329,6 kg/m³ | 1820 kg/m³ |
| Punto de fusión | 1413,85 °C | 44,15 °C |
| Punto de ebullición | 3264,85 °C | 280,5 °C |
| Año de descubrimiento | 1824 | 1669 |
Diferencias principales
| Propiedad | Si Silicon | P Phosphorus |
|---|---|---|
| Peso atómico estándar | 28,085 u ↓ menor | 30,973762 u ↑ mayor |
| Densidad | 2329,6 kg/m³ ↑ mayor | 1820 kg/m³ ↓ menor |
| Punto de fusión | 1413,85 °C ↑ mayor | 44,15 °C ↓ menor |
| Punto de ebullición | 3264,85 °C ↑ mayor | 280,5 °C ↓ menor |
| Electronegatividad (Pauling) | 1.9 ↓ menor | 2.19 ↑ mayor |
| Afinidad electrónica | 1,385 eV ↑ mayor | 0,7466 eV ↓ menor |
| Grupo | 14 | 15 |
| Categoría | metalloid | nonmetal |
| Configuración electrónica | [Ne]3s23p2 | [Ne]3s23p3 |
| Año de descubrimiento | 1824 | 1669 |