Indium (In)
post-transition-metalSolid
প্রমিত পারমাণবিক ওজন
114.818 uইলেকট্রন বিন্যাস
[Kr] 5s2 4d10 5p1গলনাঙ্ক
156.6 °Cস্ফুটনাঙ্ক
2071.85 °Cঘনত্ব
7310 kg/m³জারণ অবস্থা
−5, −2, −1, 0, +1, +2, +3তড়িৎঋণাত্মকতা (পাউলিং)
1.78আয়নীকরণ শক্তি (প্রথম)
5.786356 eVআবিষ্কারের বছর
1863পারমাণবিক ব্যাসার্ধ
155 pmবিস্তারিত
Indium is a soft, silvery post-transition metal in group 13. It is chemically related to gallium and thallium, but its stable chemistry is dominated by the +3 oxidation state, with +1 compounds also known. The element is rare in Earth's crust and is obtained chiefly as a by-product of zinc refining. Its technological importance is disproportionate to its abundance, especially because transparent conducting indium tin oxide is central to flat-panel displays, touch screens, and other optoelectronic devices.
Indium is available in ultra pure form. Indium is a very soft, silvery-white metal with a brilliant luster. The pure metal gives a high-pitched "cry" when bent. It wets glass, as does gallium.
The name derives from the term "indigo" for the indigo-blue line in the element's spark spectrum. It was discovered in 1863 by the German physicist Ferdinand Reich and the German metallurgist Hieronymus Theodor Richter, while examining zinc blende. They isolated indium in 1867.
Indium was discovered by the German chemists Ferdinand Reich and Hieronymus Theodor Richter in 1863. Reich and Richter had been looking for traces of the element thallium in samples of zinc ores. A brilliant indigo line in the sample's spectrum revealed the existence of indium. Indium is about as abundant as silver but is much easier to recover since it typically occurs along with zinc, iron, lead and copper ores.
From the brilliant indigo line in its spectrum. Discovered by Reich and Richter, who later isolated the metal. Until 1924, a gram or so constituted the world's supply of this element in isolated form. It is probably about as abundant as silver. About 4 million troy ounces of indium are now produced annually in the Free World. Canada is presently producing more than 1,000,000 troy ounces annually.
Pure indium is a very soft, lustrous, silvery-white metal at ordinary conditions. It can be cut with a knife, leaves a mark on paper, and emits a characteristic high-pitched “cry” when bent as its crystals deform. It melts at a relatively low temperature for a metal, about 157 °C.
The largest use of indium is in indium tin oxide, a transparent and electrically conducting oxide coating used on displays, touch panels, solar cells, and low-emissivity glass. Indium metal and indium-rich alloys are used in low-melting solders, fusible alloys, thermal interface materials, and seals that wet glass or ceramics. Indium is also used in compound semiconductors such as indium phosphide and indium gallium arsenide for high-speed electronics, lasers, photodetectors, and some photovoltaic cells.
Indium is used to coat the bearings of high speed motors since it allows for the even distribution of lubricating oil. Indium is used to dope germanium to make transistors. It is also used to make other electrical components such as rectifiers, thermistors and photoconductors. Indium can be used to make mirrors that are as reflective as silver mirrors but do not tarnish as quickly. Indium is also used to make low melting alloys. An alloy of 24% indium and 76% gallium is a liquid at room temperature.
It has found application in making low-melting allows; an allow of 24% indium - 76% gallium is liquid at room temperature. It is used in making bearing alloys, germanium transistors, rectifiers, thermistors, and photoconductors. It can be plated onto metal and evaporated onto glass, forming a mirror as good as that made with silver but with more resistance to atmospheric corrosion.
Isotopes in Medicine
111In (with a half-life of 2.8 days) is used in indium leukocyte imaging (Fig. IUPAC.49.1), in which white blood cells that are abundant at sites of infection are labeled with 111In to help locate the source of the infection [361] M. T. Syrjälä, V. Valtonen, K. Liewendahl, G. Myllylä. J. Nucl. Med.28, 155 (1987)., [362] M. D. Cerqueira, A. F. Jacobson. J. Nucl. Med.30, 703 (1989)., [363] C. Love, C. J. Palestro. J. Nucl. Med.Technol.32, 47 (2004)..
Isotopes Used as a Source of Radioactive Isotope(s)
113In is used to produce 113Sn (with a half-life of 115 days) via the reaction 113In (p, n) 113Sn, and 113In is used to produce the radioisotope 110In (with a half-life of 1.15 h) [364] F. E. Fakhari. Separation and Purification of 111In from Irradiated Cadmium Targets by Solid Phase Extraction (SPE) Method for Medical Applications, Deutsche National Bibliothek (2014), Feb. 26; http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2006/0132/view.html., [365] M. Mostafa, A. A. El Sadek, H. El Said, M. A. El Amir. J. Nucl. Radiochem. Sci.10, 1 (2009)..
Indium most often forms In³⁺ compounds, although In⁺ chemistry is significant and can be stabilized in some solids and salts. Indium(III) oxide, In₂O₃, is a wide-band-gap oxide and the main component of indium tin oxide. Indium(III) chloride, InCl₃, is a common Lewis-acidic reagent and precursor. Indium phosphide, InP, and indium arsenide, InAs, are important III-V semiconductors. Indium forms many alloys and intermetallic compounds, and its organometallic chemistry includes precursors used in vapor deposition.
See more information at the Indium compound page.
Bulk indium metal has low acute toxicity, but fine dusts, fumes, and soluble indium compounds require control in industrial settings. Inhalation exposure to indium tin oxide and some indium compounds has been associated with serious lung disease in workers. Many semiconductor compounds containing indium also contain toxic partners such as arsenic or phosphide-forming materials, so hazards are not due to indium alone. Natural indium has no significant radiological hazard.
There is evidence that indium has a low order of toxicity; however, care should be taken until further information is available.
Indium occurs mainly as a trace constituent in sulfide ores, especially zinc ores such as sphalerite, rather than as abundant indium minerals. During weathering and processing it tends to follow chalcophile pathways and can be retained in sulfide-rich residues or industrial wastes. Environmental concentrations are usually very low, and indium has no known biological role. Releases are most relevant near mining, smelting, refining, and electronic-material manufacturing sites.
Indium is not mined as a primary metal in most operations. It is recovered chiefly from residues and intermediate streams produced during zinc smelting and refining, with smaller contributions from other base-metal processing. Supply therefore depends strongly on ore composition, recovery technology, and the economics of host metals. Demand is led by transparent conducting oxides and specialized semiconductors, while solders and alloys account for smaller but useful markets. Recycling occurs from manufacturing scrap and some end-of-life products, but dispersed thin-film uses make complete recovery difficult. Substitution is possible in some applications, yet often involves trade-offs in conductivity, transparency, processing, or reliability.
Indium is most frequently associated with zinc materials, and it is from these that most commercial indium is now obtained; however, it is also found in iron, lead, and copper ores.
Indium is a relatively scarce element in the cosmos. Its stable isotopes are produced by neutron-capture processes in earlier generations of stars, with contributions from both slow and rapid neutron-capture nucleosynthesis. In planetary materials it is strongly chalcophile and is concentrated more readily in sulfide phases than in silicates, helping explain its association with zinc, lead, and tin ores on Earth.
- Natural indium is dominated by ¹¹⁵In, which is very weakly radioactive but has an extremely long half-life.
- Indium metal can form cold-welded seals because it remains soft and malleable at low temperatures.
- The element was named from the indigo-blue spectral line used in its discovery.
- Indium tin oxide is useful because it combines optical transparency with electrical conductivity.
- Indium wets glass better than many common metals, making it useful in special seals.
ছবি
ধর্ম
ভৌত
- পারমাণবিক ব্যাসার্ধ (পরীক্ষালব্ধ)
- 155 pm সব মৌলের পারমাণবিক ব্যাসার্ধ (পরীক্ষালব্ধ) তুলনা করুন →
- সমযোজী ব্যাসার্ধ
- 142 pm সব মৌলের সমযোজী ব্যাসার্ধ তুলনা করুন →
- ভ্যান ডার ওয়ালস ব্যাসার্ধ
- 193 pm সব মৌলের ভ্যান ডার ওয়ালস ব্যাসার্ধ তুলনা করুন →
- ধাতব ব্যাসার্ধ
- 142 pm সব মৌলের ধাতব ব্যাসার্ধ তুলনা করুন →
- ঘনত্ব
- 7310 kg/m³ সব মৌলের ঘনত্ব তুলনা করুন →
- মোলার আয়তন
- 0.0157 L/mol
- STP-তে দশা
- কঠিন সব মৌলের STP-তে দশা তুলনা করুন →
- গলনাঙ্ক
- 156.6 °C সব মৌলের গলনাঙ্ক তুলনা করুন →
- স্ফুটনাঙ্ক
- 2071.85 °C সব মৌলের স্ফুটনাঙ্ক তুলনা করুন →
- তাপ পরিবাহিতা
- 81.8 W/(m·K) সব মৌলের তাপ পরিবাহিতা তুলনা করুন →
- আপেক্ষিক তাপধারণ ক্ষমতা
- 0.233 J/(g·K) সব মৌলের আপেক্ষিক তাপধারণ ক্ষমতা তুলনা করুন →
- মোলার তাপধারণ ক্ষমতা
- 26.74 J/(mol·K) সব মৌলের মোলার তাপধারণ ক্ষমতা তুলনা করুন →
- স্ফটিক গঠন
- চতুষ্কোণীয় সব মৌলের স্ফটিক গঠন তুলনা করুন →
রাসায়নিক
- তড়িৎঋণাত্মকতা (পাউলিং)
- 1.78 সব মৌলের তড়িৎঋণাত্মকতা (পাউলিং) তুলনা করুন →
- তড়িৎঋণাত্মকতা (অ্যালেন)
- 1.656
- ইলেকট্রন আসক্তি
- 0.3 eV
- আয়নীকরণ শক্তি (প্রথম)
- 5.786356 eV সব মৌলের আয়নীকরণ শক্তি (প্রথম) তুলনা করুন →
- আয়নীকরণ শক্তি (দ্বিতীয়)
- 18.870475 eV সব মৌলের আয়নীকরণ শক্তি (দ্বিতীয়) তুলনা করুন →
- আয়নীকরণ শক্তি (তৃতীয়)
- 28.044247 eV সব মৌলের আয়নীকরণ শক্তি (তৃতীয়) তুলনা করুন →
- আয়নীকরণ শক্তি (চতুর্থ)
- 55.450191 eV সব মৌলের আয়নীকরণ শক্তি (চতুর্থ) তুলনা করুন →
- আয়নীকরণ শক্তি (পঞ্চম)
- 69.300239 eV সব মৌলের আয়নীকরণ শক্তি (পঞ্চম) তুলনা করুন →
- জারণ অবস্থা
- −5, −2, −1, 0, +1, +2, +3 সব মৌলের জারণ অবস্থা তুলনা করুন →
- যোজ্যতা ইলেকট্রন
- 3 সব মৌলের যোজ্যতা ইলেকট্রন তুলনা করুন →
- ইলেকট্রন বিন্যাস
- [Kr] 5s2 4d10 5p1
তাপগতীয়
- ত্রৈধ বিন্দু (তাপমাত্রা)
- 156.5936 °C
- গলন তাপ
- 0.03378764 eV সব মৌলের গলন তাপ তুলনা করুন →
- বাষ্পীভবন তাপ
- 2.402446 eV সব মৌলের বাষ্পীভবন তাপ তুলনা করুন →
- ঊর্ধ্বপাতন তাপ
- 2.518526 eV
- পরমাণুকরণ তাপ
- 2.518526 eV
- পরমাণুকরণ এনথালপি
- 2.518526 eV
নিউক্লীয়
- প্রোটন
- 49 সব মৌলের প্রোটন তুলনা করুন →
- নিউট্রন
- 64 সব মৌলের নিউট্রন তুলনা করুন →
- পরিচিত আইসোটোপ
- 42 সব মৌলের পরিচিত আইসোটোপ তুলনা করুন →
- স্থিতিশীল আইসোটোপ
- 1 সব মৌলের স্থিতিশীল আইসোটোপ তুলনা করুন →
- সবচেয়ে স্থিতিশীল আইসোটোপ
- In-113
- আবিষ্কারের বছর
- 1863
প্রাচুর্য
- প্রাচুর্য (ভূত্বক)
- 0.25 mg/kg সব মৌলের প্রাচুর্য (ভূত্বক) তুলনা করুন →
- প্রাচুর্য (মহাসাগর)
- 0.02 mg/L সব মৌলের প্রাচুর্য (মহাসাগর) তুলনা করুন →
স্ফটিক গঠন
- জালক ধ্রুবক a
- 459 pm
ইলেকট্রনীয় গঠন
- প্রতি শক্তিস্তরে ইলেকট্রন
- 2, 8, 18, 18, 3 সব মৌলের প্রতি শক্তিস্তরে ইলেকট্রন তুলনা করুন →
শনাক্তকারী
- CAS নম্বর
- 7440-74-6 সব মৌলের CAS নম্বর তুলনা করুন →
- টার্ম প্রতীক
- 2P°1/2
- InChI
- InChI=1S/In
- InChI Key
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N
ইলেকট্রন বিন্যাস পরিমাপকৃত
In: 4d¹⁰ 5s² 5p¹[Kr] 4d¹⁰ 5s² 5p¹1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p⁶ 3d¹⁰ 4s² 4p⁶ 4d¹⁰ 5s² 5p¹পারমাণবিক মডেল
আইসোটোপভেদে নিউট্রনের সংখ্যা, ভর ও স্থিতিশীলতা পরিবর্তিত হয় — নিরপেক্ষ পরমাণুর ইলেকট্রন বিন্যাস নয়।
পারমাণবিক মডেলের রূপরেখা, প্রকৃত অনুপাতে নয়।
পারমাণবিক স্বতন্ত্র পরিচয়চিহ্ন
নিঃসরণ / শোষণ বর্ণালি
আইসোটোপের বণ্টন
| ভরসংখ্যা | পারমাণবিক ভর (u) | প্রাকৃতিক প্রাচুর্য | অর্ধায়ু |
|---|---|---|---|
| 113 স্থিতিশীল | ১১২.৯০৪০৬১৮৪ ± ০.০০০০০০৯১ | 4.2900% | স্থিতিশীল |
দশা / অবস্থা
কারণ: গলনাঙ্কের (156.6 °C) চেয়ে 131.6 °C কম
রূপরেখামূলক, প্রকৃত অনুপাতে নয়
দশান্তর বিন্দু
দশান্তর শক্তি
গলনাঙ্কে 1 mol গলাতে প্রয়োজনীয় শক্তি
স্ফুটনাঙ্কে 1 mol বাষ্পীভূত করতে প্রয়োজনীয় শক্তি
ঊর্ধ্বপাতনাঙ্কে 1 mol ঊর্ধ্বপাতিত করতে প্রয়োজনীয় শক্তি
ঘনত্ব
প্রমিত শর্তে
প্রমিত শর্তে
উন্নত
পারমাণবিক বর্ণালি
49টির মধ্যে 10টি দেখানো হচ্ছে। আয়নের আধান অনুযায়ী সাজানো (ঊর্ধ্বক্রমে)।
সংরক্ষিত বর্ণালিরেখার তথ্য ?
| আয়ন | আধান | মোট রেখা | অবস্থান্তরের সম্ভাবনা | স্তরের নির্দেশক |
|---|---|---|---|---|
| In I | 0 | 92 | 27 | 91 |
| In II | +1 | 899 | 528 | 899 |
| In III | +2 | 55 | 0 | 0 |
| In IV | +3 | 42 | 0 | 0 |
| In V | +4 | 38 | 0 | 0 |
সংরক্ষিত শক্তিস্তর তথ্য ?
| আয়ন | আধান | স্তর |
|---|---|---|
| In I | 0 | 114 |
| In II | +1 | 195 |
| In III | +2 | 28 |
| In IV | +3 | 18 |
| In V | +4 | 42 |
| In VI | +5 | 2 |
| In VII | +6 | 2 |
| In VIII | +7 | 2 |
| In IX | +8 | 2 |
| In X | +9 | 2 |
স্ফটিক গঠনের তথ্য পাওয়া যায় না
স্ফটিক গঠন: tetragonal
আয়নিক ব্যাসার্ধ
| আধান | সমন্বয় | স্পিন | ব্যাসার্ধ |
|---|---|---|---|
| +3 | 4 | তথ্য নেই | 62 pm |
| +3 | 6 | তথ্য নেই | 80 pm |
| +3 | 8 | তথ্য নেই | 92 pm |
যৌগ
আইসোটোপ (1)
| ভরসংখ্যা | পারমাণবিক ভর (u) | প্রাকৃতিক প্রাচুর্য | অর্ধায়ু | ক্ষয়প্রণালি | |
|---|---|---|---|---|---|
| 113 স্থিতিশীল | ১১২.৯০৪০৬১৮৪ ± ০.০০০০০০৯১ | 4.2900% ± 0.0500% | স্থিতিশীল | stable |
বর্ণালিরেখা
277টির মধ্যে 50টি দেখানো হচ্ছে। ডিফল্টভাবে কেবল পরিমাপকৃত তীব্রতাযুক্ত বর্ণালিরেখা দেখানো হয়।
| তরঙ্গদৈর্ঘ্য (nm) | তীব্রতা | আয়নীকরণ পর্যায় | ধরন | অবস্থান্তর | নির্ভুলতা | উৎস | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 383.46308 nm | 32000 | In II | emission | 5s.5d 1D → 5s.4f 1F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 451.12972 nm | 18000 | In I | emission | 5s2.5p 2P* → 5s2.6s 2S | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 410.17504 nm | 17000 | In I | emission | 5s2.5p 2P* → 5s2.6s 2S | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 468.1115 nm | 16000 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 590.33916 nm | 9000 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 463.8162 nm | 8800 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 465.562 nm | 7800 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 464.4572 nm | 5900 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 1F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 718.29048 nm | 5800 | In II | emission | 5s.6s 3S → 5s.6p 3P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 384.2918 nm | 5600 | In II | emission | 5s.5d 1D → 5s.4f 3F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 591.87693 nm | 5100 | In II | emission | 5s.6p 1P* → 5s.6d 1D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 616.254 nm | 4100 | In II | emission | 5s.4f 1F* → 5s<1/2,F=4>.6g | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 689.15826 nm | 3900 | In II | emission | 5s.6s 3S → 5s.6p 3P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 585.31709 nm | 3400 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 609.59333 nm | 3300 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 468.4791 nm | 2500 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 727.66388 nm | 2400 | In II | emission | 5s.6s 3S → 5s.6p 3P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 614.953 nm | 2200 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.6g | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 613.986 nm | 2100 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=5>.6g | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 614.32 nm | 2100 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.6g | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 614.813 nm | 2100 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=5>.6g | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 616.113 nm | 2000 | In II | emission | 5s.4f 1F* → 5s<1/2,F=5>.6g | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 465.6736 nm | 1700 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 551.3006 nm | 1500 | In II | emission | 5p2 3P → 5s.4f 1F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 614.126 nm | 1500 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.6g | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 405.69377 nm | 1300 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.8s 3S | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 591.52626 nm | 1300 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 557.6866 nm | 1200 | In II | emission | 5s.7p 1P* → 5s.10d 1D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 551.935 nm | 1100 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.7f 3F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 549.7486 nm | 1000 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.7f 3F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 550.7048 nm | 1000 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.7f 3F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 551.0883 nm | 1000 | In II | emission | 5s.7p 3P* → 5s.10d 3D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 512.0847 nm | 960 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=5>.7g | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 390.20794 nm | 910 | In II | emission | 5s.6p 1P* → 5s.7d 1D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 384.2158 nm | 900 | In II | emission | 5s.5d 1D → 5s.4f 3F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 512.1781 nm | 880 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.7g | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 611.58707 nm | 830 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 3D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 511.7388 nm | 810 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.7g | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 511.5109 nm | 800 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=5>.7g | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 512.9865 nm | 710 | In II | emission | 5s.4f 1F* → 5s<1/2,F=5>.7g | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 463.7055 nm | 610 | In II | emission | 5s.5d 3D → 5s.4f 3F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 511.6041 nm | 590 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.7g | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 550.7779 nm | 570 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.7f 3F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 414.9635 nm | 550 | In II | emission | 5s.4f 1F* → 5s<1/2,F=5>.10g | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 530.94926 nm | 550 | In II | emission | 5s.6p 3P* → 5s.6d 1D | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 454.8998 nm | 540 | In II | emission | 5p2 1D → 5s.8p 3P* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 461.6069 nm | 540 | In II | emission | 5s.4f 3F* → 5s<1/2,F=4>.8g | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 457.0881 nm | 520 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.9f 3F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 458.701 nm | 520 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.9f 3F* | পরিমাপকৃত | NIST | |
| 457.1286 nm | 510 | In II | emission | 5s.6d 3D → 5s.9f 3F* | পরিমাপকৃত | NIST |
বিস্তৃত ধর্ম
সমযোজী ব্যাসার্ধ (বিস্তৃত)
- সমযোজী ব্যাসার্ধ (পিউক্কো)
- 142 pm
- সমযোজী ব্যাসার্ধ (পিউক্কো, দ্বিবন্ধন)
- 136 pm
- সমযোজী ব্যাসার্ধ (পিউক্কো, ত্রিবন্ধন)
- 146 pm
ভ্যান ডার ওয়ালস ব্যাসার্ধ
- Bondi
- 193 pm
- Batsanov
- 220 pm
- Alvarez
- 243 pm
- UFF
- 446.3 pm
- MM3
- 264 pm
- Dreiding
- 459 pm
পারমাণবিক ও ধাতব ব্যাসার্ধ
- পারমাণবিক ব্যাসার্ধ (রাম)
- 246 pm
- ধাতব ব্যাসার্ধ (C12)
- 158 pm
সংখ্যায়ন স্কেল
- Mendeleev
- 84
- Pettifor
- 79
- Glawe
- 80
তড়িৎঋণাত্মকতার স্কেল
- Ghosh
- 0
- Miedema
- 4
- Gunnarsson–Lundqvist
- 3
- Robles–Bartolotti
- 2
মেরুকরণযোগ্যতা ও বিচ্ছুরণ
- দ্বিমেরু মেরুকরণযোগ্যতা
- 65 a.u.
- দ্বিমেরু মেরুকরণযোগ্যতা (অনিশ্চয়তা)
- 4 a.u.
- C₆
- 779 Ha·Bohr6
- C₆ (Gould–Bučko)
- 643 Ha·Bohr6
মিডেমা পরামিতি
- মিডেমা মোলার আয়তন
- 15.75 cm3/mol
- মিডেমা ইলেকট্রন ঘনত্ব
- 2
সরবরাহের ঝুঁকি ও অর্থনীতি
- উৎপাদনের কেন্দ্রীভবন
- 53
- আপেক্ষিক সরবরাহের ঝুঁকি
- 8
- রাজনৈতিক স্থিতিশীলতা (শীর্ষ উৎপাদক)
- 24
দশান্তর ও রূপভেদ
| গলনাঙ্ক | 429.75 K |
| স্ফুটনাঙ্ক | 2300.15 K |
| ত্রৈধ বিন্দু (তাপমাত্রা) | 429.74 K |
জারণ অবস্থার শ্রেণি
উন্নত তথ্যসূত্রের উপাত্ত
আচ্ছাদন ধ্রুবক (11)
| n | অরবিটাল | σ |
|---|---|---|
| 1 | s | 0.9903 |
| 2 | p | 4.102 |
| 2 | s | 12.8764 |
| 3 | d | 14.3218 |
| 3 | p | 17.4793 |
| 3 | s | 17.3692 |
| 4 | d | 32.0584 |
| 4 | p | 28.6312 |
| 4 | s | 27.2388 |
| 5 | p | 40.53 |
স্ফটিক ব্যাসার্ধের বিস্তারিত (3)
| আধান | CN | স্পিন | rcrystal (pm) | উৎস |
|---|---|---|---|---|
| 3 | IV | 76 | ||
| 3 | VI | 94 | from r^3 vs V plots, | |
| 3 | VIII | 106 | from r^3 vs V plots, calculated, |
আইসোটোপের ক্ষয়প্রণালি (69)
| আইসোটোপ | মোড | তীব্রতা |
|---|---|---|
| 96 | B+ | — |
| 96 | p | — |
| 97 | B+ | 100% |
| 97 | B+p | 2.3% |
| 97 | p | — |
| 98 | B+ | 100% |
| 98 | B+p | 0.1% |
| 99 | B+ | 100% |
| 99 | B+p | 0.3% |
| 100 | B+ | 100% |
এক্স-রে বিক্ষেপণ গুণক (510)
| শক্তি (eV) | f₁ | f₂ |
|---|---|---|
| 10 | — | 2.16244 |
| 10.1617 | — | 2.07002 |
| 10.3261 | — | 1.98155 |
| 10.4931 | — | 1.89686 |
| 10.6628 | — | 1.81579 |
| 10.8353 | — | 1.72844 |
| 11.0106 | — | 1.54985 |
| 11.1886 | — | 1.35731 |
| 11.3696 | — | 0.99325 |
| 11.5535 | — | 0.74202 |
অতিরিক্ত তথ্য
Estimated Crustal Abundance
The estimated element abundance in the earth's crust.
2.5×10-1 milligrams per kilogram
তথ্যসূত্র (1)
Estimated Oceanic Abundance
The estimated element abundance in the earth's oceans.
2×10-2 milligrams per liter
তথ্যসূত্র (1)
Sources
Sources of this element.
Indium is most frequently associated with zinc materials, and it is from these that most commercial indium is now obtained; however, it is also found in iron, lead, and copper ores.
তথ্যসূত্র (1)
- [6] Indium https://periodic.lanl.gov/49.shtml
তথ্যসূত্র
(9)
Data deposited in or computed by PubChem
The half-life and atomic mass data was provided by the Atomic Mass Data Center at the International Atomic Energy Agency.
Element data are cited from the Atomic weights of the elements (an IUPAC Technical Report). The IUPAC periodic table of elements can be found at https://iupac.org/what-we-do/periodic-table-of-elements/. Additional information can be found within IUPAC publication doi:10.1515/pac-2015-0703 Copyright © 2020 International Union of Pure and Applied Chemistry.
The information are cited from Pure Appl. Chem. 2018; 90(12): 1833-2092, https://doi.org/10.1515/pac-2015-0703.
Thomas Jefferson National Accelerator Facility (Jefferson Lab) is one of 17 national laboratories funded by the U.S. Department of Energy. The lab's primary mission is to conduct basic research of the atom's nucleus using the lab's unique particle accelerator, known as the Continuous Electron Beam Accelerator Facility (CEBAF). For more information visit https://www.jlab.org/
The periodic table at the LANL (Los Alamos National Laboratory) contains basic element information together with the history, source, properties, use, handling and more. The provenance data may be found from the link under the source name.
The periodic table contains NIST's critically-evaluated data on atomic properties of the elements. The provenance data that include data for atomic spectroscopy, X-ray and gamma ray, radiation dosimetry, nuclear physics, and condensed matter physics may be found from the link under the source name. Ref: https://www.nist.gov/pml/atomic-spectra-database
This section provides all form of data related to element Indium.
The element property data was retrieved from publications.